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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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JFET(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)與MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在電子工程領(lǐng)域中都扮演著重要角色,盡管它們都屬于場效應(yīng)晶體管(FET)家族,但...
MOS驅(qū)動電阻的選擇和計算是MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計中的重要環(huán)節(jié),它直接影響到MOSFET的開關(guān)性能、穩(wěn)定性和效率。以下是對MOS驅(qū)動電阻選擇和計算方法...
柵極驅(qū)動IC(Gate Driver IC)和源極(Source)是兩個在電子和電力電子領(lǐng)域中常見的概念,它們在功能和應(yīng)用上有著明顯的區(qū)別。 柵極驅(qū)動I...
電子負(fù)載是一種通過電子元件(如功率場效應(yīng)管MOSFET或絕緣柵雙極型晶體管IGBT等功率半導(dǎo)體器件)吸收并消耗電能的設(shè)備。它不同于傳統(tǒng)的電阻負(fù)載,通過控...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的開關(guān)...
2024-09-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體開關(guān)損耗 1656 0
柵極驅(qū)動器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路,用于放大控制器的控制信號,從而實現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。今天給大家推薦一款國產(chǎn)汽車級H橋智能柵極驅(qū)動器。
電力場效應(yīng)管,特別是指電力MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),是一種重要...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1357 0
電力場效應(yīng)管(特別是MOSFET)在電力電子系統(tǒng)中扮演著重要角色,但由于其工作環(huán)境的復(fù)雜性和多樣性,必須采取一系列的保護措施來確保其安全、穩(wěn)定地運行。以...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1137 0
三相全橋SiC MOSFET模塊,為車載空調(diào)壓縮機提供創(chuàng)新解決方案
1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結(jié)構(gòu),以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能,展現(xiàn)了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優(yōu)勢...
電力場效應(yīng)管(特別是MOSFET)的安全工作區(qū)(SOA,Safe Operating Area)是指在該區(qū)域內(nèi),MOSFET能夠安全、穩(wěn)定地工作,而不會...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1023 0
電力場效應(yīng)管的動態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 2466 0
電力場效應(yīng)管的靜態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1585 0
電力場效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET)和MOSFET(Metal-Oxide-Semicon...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 1635 0
柵極驅(qū)動ic和源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動ic選型看哪些參數(shù)
一、柵極驅(qū)動IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色,它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 : 柵極驅(qū)動IC :柵極驅(qū)動...
BuckBoost負(fù)壓變換器最基本的電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,如果把BuckBoost負(fù)壓變換器功率MOSFET管和二極管移動到下面,電路工作狀態(tài)和放在上面完全一樣。
2024年預(yù)計家電市場的全年零售規(guī)模將同比增長0.7%,顯示出回暖的跡象。在家電領(lǐng)域,電源管理ic展現(xiàn)出了穩(wěn)健復(fù)蘇的趨勢。因此,電源管理ic廠商應(yīng)該抓住...
LDO穩(wěn)壓器和串聯(lián)穩(wěn)壓器的區(qū)別
LDO穩(wěn)壓器(Low-Dropout Regulator)和串聯(lián)穩(wěn)壓器在電子領(lǐng)域中都是常見的穩(wěn)壓器件,它們各自具有獨特的特點和應(yīng)用場景。
2024-09-11 標(biāo)簽:MOSFETLDO穩(wěn)壓器串聯(lián)穩(wěn)壓器 1025 0
晶揚電子2N7002KX N溝道MOSFET產(chǎn)品介紹
晶揚電子作為國內(nèi)業(yè)內(nèi)著名的“電路與系統(tǒng)保護專家” ,生產(chǎn)的2N7002KX型N溝道MOSFET管,因其優(yōu)良的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受關(guān)注。本文將深入介...
SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們...
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