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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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PCIM2024論文摘要|新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
/摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補(bǔ)了長(zhǎng)期存在的200V中壓MOSFET與600V超級(jí)結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOS...
2024-08-08 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC 2458 0
溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一,為防止過(guò)熱導(dǎo)致的MOS失效,使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過(guò)程中產(chǎn)生的各種損...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)...
電焊機(jī)是指為焊接提供一定特性的電源的電器,使用電能源,將電能瞬間轉(zhuǎn)換為熱能。電焊機(jī)適合在干燥的環(huán)境下工作,不需要太多要求,因體積小巧、操作簡(jiǎn)單、使用方便...
2024-08-07 標(biāo)簽:電源MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3072 0
Diodes公司高速視頻開(kāi)關(guān)PI3WVR41產(chǎn)品介紹
PI3WVR41310 是一款寬電壓、支持多種標(biāo)準(zhǔn)、4 通道的3:1 多路復(fù)用/1:3 解復(fù)用視頻開(kāi)關(guān)。此器件支持 DisplayPort 2.1 (U...
2024-08-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器Diodes 921 0
了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測(cè)試的關(guān)鍵,這些測(cè)試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運(yùn)行,并滿(mǎn)足汽車(chē)和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對(duì)每十億個(gè)部...
繼前一篇的“裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)”之后,本文將介紹在相同的BEV電源架構(gòu)的組成模塊之一—OBC的雙向圖騰柱PFC中使用第4代SiC MOSFE...
2024-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETPFC電路 6217 0
MOT仁懋MOSFET在電動(dòng)工具上的應(yīng)用
在現(xiàn)代生活中,手持電動(dòng)工具以其便捷、高效的特點(diǎn),成為了家庭DIY愛(ài)好者與專(zhuān)業(yè)工匠不可或缺的得力助手。從精致的樹(shù)墻修剪機(jī)到強(qiáng)勁的吹葉機(jī),再到精準(zhǔn)的電鋸與角...
2024-08-02 標(biāo)簽:MOSFETMOT電動(dòng)工具 1639 0
峰岹FU6812S+FD2606S+N MOSFET 油煙機(jī)方案
FD2606S是高壓、高速半橋柵極驅(qū)動(dòng)器, 能夠驅(qū)動(dòng)N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S內(nèi)置VCC和VB欠壓(UVLO)保護(hù)功能,防止功率管...
國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)智能隔離柵極驅(qū)動(dòng)器概述
電機(jī)控制器是新能源汽車(chē)中的重要組成部分,負(fù)責(zé)控制電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn),而柵極驅(qū)動(dòng)器則是電機(jī)控制器中的關(guān)鍵元件之一。今天就給大家推薦一款國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)智能隔離柵極驅(qū)動(dòng)器...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1289 1
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場(chǎng)...
MOSFET超過(guò)耐壓值的原因、影響及檢測(cè)方法
在電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率器件,具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動(dòng)功耗等優(yōu)點(diǎn)。然而,如果MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 1971 0
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。MOSFET的導(dǎo)通電壓,也稱(chēng)為閾值電壓(Vth),是MOSFET...
通過(guò)三相逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率(仿真)
繼上一篇中通過(guò)雙脈沖測(cè)試進(jìn)行損耗比較的內(nèi)容之后,本文中我們將對(duì)本系列文章的評(píng)估對(duì)象——三相調(diào)制逆變電路中的效率進(jìn)行比較。MOSFET與雙脈沖測(cè)試中使用的...
瑞能半導(dǎo)體G2超結(jié)MOSFET在軟硬開(kāi)關(guān)中的應(yīng)用
根據(jù)Global Market Insights的調(diào)查,超級(jí)結(jié)MOSFET在去年在能源和電力領(lǐng)域中的市場(chǎng)份額超過(guò)30%,覆蓋了電動(dòng)車(chē)充電樁、服務(wù)器和數(shù)據(jù)...
2024-07-29 標(biāo)簽:MOSFET數(shù)據(jù)中心軟開(kāi)關(guān) 931 0
開(kāi)關(guān)電源作為電子設(shè)備中的重要組成部分,其輸出電壓的穩(wěn)定性和調(diào)節(jié)性直接關(guān)系到整個(gè)設(shè)備的運(yùn)行效率和安全性。在實(shí)際應(yīng)用中,有時(shí)需要降低開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓以滿(mǎn)足...
2024-07-29 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電子設(shè)備 3133 0
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中,作為電子開(kāi)關(guān)或放大器使用。根據(jù)其結(jié)構(gòu)和工作原理的不同,晶體管可以分為多種類(lèi)型。以下主要介紹雙極型晶體管(B...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件,其關(guān)斷過(guò)程的分析對(duì)于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開(kāi)關(guān)過(guò)程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)...
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