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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) MOSFET選型

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安世半導(dǎo)體P溝道LFPAK56 MOSFET特性概述

Nexperia（安世半導(dǎo)體）將向您展示H橋直流電機(jī)控制電路參考設(shè)計(jì)。 H橋電路是一個(gè)全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器，支持有刷直流電動(dòng)機(jī)（最大電壓48 V、最小電...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET 安世半導(dǎo)體 1178 0

#參考設(shè)計(jì)#低側(cè) MOSFET 控制功能的 5 至 7 節(jié)串聯(lián)電池包監(jiān)測器

一款具有高電芯電壓精度的 5 至 7 節(jié)串聯(lián)鋰離子 (Li-ion)、磷酸鐵鋰 (LiFePO4) 電池包設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)能夠非常精確地監(jiān)測各個(gè)電芯的電壓和...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET 電池包監(jiān)測器 7522 0

PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究

/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 991 0

使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)

本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 714 0

MOSFET參數(shù)與工藝

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電子工業(yè)中的核心元件之一，其參數(shù)與工藝對于電路的性能、效率及可靠性具有至關(guān)重要的影響。以下將從MOS...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 2653 0

驅(qū)動(dòng)電流對MOSFET性能有什么影響

驅(qū)動(dòng)電流對MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）性能有著顯著的影響。MOSFET作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中常用的開關(guān)元件，其性能直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電流 1227 0

MOSFET的驅(qū)動(dòng)電流有多大

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動(dòng)電流大小并不是一個(gè)固定的值，它受到多種因素的影響，包括MOSFET的具體型號(hào)、工作條件（如開關(guān)頻率、柵...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 2188 0

MOSFET驅(qū)動(dòng)器的分類和應(yīng)用

MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的電路設(shè)備。MOSFET作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 1290 0

柵極驅(qū)動(dòng)器是什么？柵極驅(qū)動(dòng)器有什么用？

柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是一種電路，其主要功能在于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號(hào)，以便控制器能夠...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 1623 0

三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史

三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)功率器件 1130 0

MOSFET屬于什么器件？MOSFET的用途有哪些？

MOSFET，全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是...

2024-07-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 3854 0

MOSFET閾值電壓是什么？影響MOSFET閾值電壓的因素有哪些？

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是現(xiàn)代電子學(xué)中極為重要的器件之一，廣泛應(yīng)用于集成電路、電源管理、信號(hào)處理等多個(gè)領(lǐng)域。其核心特性之一便是其閾值...

2024-07-23 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 2.0萬 0

什么是柵極驅(qū)動(dòng)器？柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理

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2024-07-19 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 2.0萬 0

功率器件的開關(guān)波形分析

功率器件，特別是如功率MOSFET和IGBT等，在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...

2024-07-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 1573 0

三種功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶...

2024-07-18 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 1.1萬 0

Buck變換器的工作原理和應(yīng)用

Buck變換器，也稱為降壓轉(zhuǎn)換器或步進(jìn)電壓降壓器，是一種重要的電力電子設(shè)備，用于將直流電壓轉(zhuǎn)換為較低的直流電壓。其工作原理基于電感儲(chǔ)能和電磁感應(yīng)的基本原...

2024-07-16 標(biāo)簽：二極管 MOSFET Buck變換器 4187 0

SK Powertech 碳化硅MOSFET技術(shù)介紹與應(yīng)用潛力

碳化硅(SiC)器件在工業(yè)和汽車應(yīng)用中得到廣泛認(rèn)可，例如電動(dòng)汽車(EV)牽引逆變器和車載充電器、快速電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏、儲(chǔ)能、固態(tài)變...

2024-07-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 碳化硅 675 0

基于555定時(shí)器的負(fù)電壓發(fā)生器電路圖負(fù)電壓發(fā)生器的工作原理和應(yīng)用

負(fù)電壓發(fā)生器，顧名思義，是一種能夠產(chǎn)生負(fù)電壓的電子設(shè)備。在電子電路中，電壓的極性對于電路的功能和性能具有重要影響。雖然大多數(shù)電子設(shè)備主要使用正電壓，但在...

2024-07-17 標(biāo)簽：電路圖 MOSFET 負(fù)電壓 4106 0

GaN MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及原理

GaN MOSFET（氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...

2024-07-14 標(biāo)簽：MOSFET GaN 金屬 2915 0

MOSFET是單極型還是雙極型

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種單極型半導(dǎo)體器件。 MOSFET的基本概念 MOSFET是一種利用電場控制半導(dǎo)體材料中電流流動(dòng)的器件。...

2024-07-14 標(biāo)簽：MOSFET 絕緣電荷 1686 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
海思

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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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在眾多的51系列單片機(jī)中，要算國內(nèi)STC 公司的1T增強(qiáng)系列更具有競爭力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲(chǔ)器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機(jī)內(nèi)部就自帶高達(dá)60K FLASHROM，這種工藝的存儲(chǔ)器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。
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做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識(shí)，它是自動(dòng)引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動(dòng)自動(dòng)循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識(shí)吧！
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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