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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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作者:Kenton Williston 開關(guān)模式電源(開關(guān)電源)因其高效性和靈活性而廣受歡迎。但它們也帶來了挑戰(zhàn),因?yàn)槠鋺?yīng)用已經(jīng)延伸到新的領(lǐng)域。最明顯的...
2024-05-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開關(guān)電源 1289 0
利用雙 MOSFET 最大限度地提高開關(guān)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的功率密度和性能
作者:Jens Wallmann 工業(yè)和汽車開關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都需要體積小、效率高、電氣噪聲低的金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。雙 MO...
2024-05-05 標(biāo)簽:MOSFET印刷電路板電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1030 0
鋰離子電池充電器電流擴(kuò)展電路設(shè)計(jì)方案
原充電器以1A電流充電,若擴(kuò)流電流為1A,則在恒流充電階段時(shí)充電電流為2A。圖5中紅線為充電電池電壓特性、黑線為充電電流特性,實(shí)線為加擴(kuò)流特性,虛線為未...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種三端子的半導(dǎo)體開關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)...
電池管理系統(tǒng)(BMS)設(shè)計(jì)之高側(cè)與低側(cè)電池保護(hù)
設(shè)計(jì) BMS 時(shí),重要的是要考慮電池保護(hù)斷路器的放置位置。通常,這些電路采用 N 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn),因?yàn)榕c P 溝道 MOSFET 相比,它們的...
2024-04-18 標(biāo)簽:MOSFETCAN總線電池管理系統(tǒng) 3878 0
在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)
使用電機(jī)試驗(yàn)臺的測試結(jié)果,按照油耗測試方法WTLC進(jìn)行了模擬行駛仿真,確認(rèn)了第4代SiC MOSFET對電耗的改善效果。
短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機(jī)械等多種應(yīng)力的作用,其退化機(jī)理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進(jìn)行論證分析。
2024-04-17 標(biāo)簽:MOSFET變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3770 0
功率MOS管的驅(qū)動(dòng)電路中會(huì)分布各種電感,例如圖中的L,它們與MOSFET的Cgd, Cge會(huì)形成諧振電路:對開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號中的高頻諧波分量產(chǎn)生諧振,進(jìn)而引...
2024-04-16 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻電阻MOSFET 930 0
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M...
2024-04-10 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管SiC 1735 0
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)鍵注意事項(xiàng)
為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT,必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí),會(huì)存在一個(gè)從雙極型晶體...
功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路,是可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性,故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片,于車...
如何看懂MOSFET數(shù)據(jù)表常見的數(shù)據(jù)
Qrr 甚至可以對測試執(zhí)行性的二極管正向電流 (If) 具有更強(qiáng)的依賴關(guān)系。而進(jìn)一步使事情復(fù)雜化的原因在于,某些廠商未將QOSS 作為一個(gè)單獨(dú)參數(shù)包含在...
PWM整流和相控整流是電力電子領(lǐng)域中兩種重要的整流技術(shù),它們在不同的應(yīng)用場景中各自發(fā)揮著重要作用。
開關(guān)電源芯片U6113設(shè)計(jì)助力EMI系統(tǒng)性能優(yōu)化
開關(guān)電源芯片把開關(guān)電源所需要的控制邏輯都集成在芯片中,作用當(dāng)然是來簡化電路設(shè)計(jì)、提高可靠性的。
在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動(dòng)汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化...
主動(dòng)整流技術(shù),也叫同步整流技術(shù),是近些年來出現(xiàn)的,為了提高整流效率,使用主動(dòng)控制的功率MOSFET開關(guān)來代替整流二極管的一種技術(shù)。
Littelfuse N溝道和P溝道功率MOSFET的比較分析
Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加...
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