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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰與抑制方法分析(上)
高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一,這能顯著提升系統(tǒng)效率,但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。
MOS結(jié)構(gòu)和MOSFET反型層電荷的來(lái)源
我們知道,MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線是跟頻率相關(guān)的,高頻和低頻曲線長(zhǎng)這樣,但是用MOS管是測(cè)不出來(lái)高頻曲線的,只能測(cè)出低頻曲線,為什么呢,下面來(lái)簡(jiǎn)單盤(pán)一盤(pán)。
選購(gòu)適配器電源IC和電池充電器IC時(shí),應(yīng)考慮品牌及生產(chǎn)商的規(guī)模、信譽(yù)、售后服務(wù)。具備正規(guī)資質(zhì)、品質(zhì)優(yōu)良且有較好的售后服務(wù)
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)...
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1999 0
MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些?如何區(qū)分是什么原因失效的?
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,其主要功能是控制電流的流動(dòng)。
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管EOS 1.1萬(wàn) 0
SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動(dòng)汽車充電和牽引、儲(chǔ)能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...
半導(dǎo)體芯片究竟是如何發(fā)展起來(lái)的?又是如何工作的?
1883年,著名發(fā)明家托馬斯·愛(ài)迪生(Thomas Edison)在一次實(shí)驗(yàn)中,觀察到一種奇怪現(xiàn)象。
基于PN8360電源IC的5V/2.4A電源應(yīng)用方案
PN8360電源IC 5V/2.4A電路描述 1、PN8360電路圖中R7、R8和R9為反饋分壓電阻,C5起到環(huán)路補(bǔ)償?shù)淖饔谩? 2、C1、D...
隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展,作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅(Si)與砷化鎵(GaAs)在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時(shí)間(SCWT:shor...
碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2234 0
EAS 表示單脈沖雪崩擊穿能量,如果電壓過(guò)沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過(guò)擊穿電壓,則器件不會(huì)發(fā)生雪崩 擊穿,因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力...
2023-12-11 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體無(wú)刷電機(jī) 4664 0
MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
驅(qū)動(dòng)電路和以兩個(gè)輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動(dòng)電路和它的浮動(dòng)偏置可以通過(guò)低壓電路實(shí)現(xiàn),因?yàn)檩斎腚妷翰粫?huì)作用到這些電路上。
2023-12-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 1787 0
開(kāi)關(guān)電源芯片U6217定位準(zhǔn)確快速有效
越來(lái)越多的游戲愛(ài)好者喜歡玩一些格斗游戲,既能享受到游戲帶來(lái)的樂(lè)趣還能緩解身體疲勞。這自然少不了一款好的游戲手柄來(lái)搭配游戲體驗(yàn)。
開(kāi)關(guān)電源芯片U6217概述及主要特點(diǎn)
越來(lái)越多的游戲愛(ài)好者喜歡玩一些格斗游戲,既能享受到游戲帶來(lái)的樂(lè)趣還能緩解身體疲勞。這自然少不了一款好的游戲手柄來(lái)搭配游戲體驗(yàn)。國(guó)內(nèi)躋身游戲外設(shè)電子產(chǎn)品賽...
IGBT儲(chǔ)能應(yīng)用價(jià)值及優(yōu)勢(shì)分析
儲(chǔ)能用更多的 IGBT 和 SiC,涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個(gè)環(huán)節(jié)。兩種方案,光儲(chǔ)一體以及單獨(dú)儲(chǔ)能系統(tǒng)。獨(dú)立的儲(chǔ)能系統(tǒng),功率半導(dǎo)體器件的用量是...
2023-12-07 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1149 0
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