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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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金升陽(yáng)IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì),半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大;對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛,而驅(qū)動(dòng)電源作為專為IG...
按施敏教授的觀點(diǎn),半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元:金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合,比如BJT由...
MOS結(jié)構(gòu)加上一對(duì)背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的,此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。...
金屬-絕緣體(氧化層)-半導(dǎo)體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu),金屬作為柵極,當(dāng)柵極零偏時(shí),理想情況下半導(dǎo)體能帶是平的,意味著半導(dǎo)體內(nèi)沒(méi)有凈電荷存在。
什么是IPD?MOSFET和IPD的區(qū)別?IPD在車載行業(yè)中的應(yīng)用
IPD 的全稱是 Intelligent Power Device,即“具有智能功能的電源器件”。根據(jù)制造商的不同,其叫法也不一樣,有時(shí)也被稱為 Sma...
2023-11-30 標(biāo)簽:MOSFETIPD過(guò)熱保護(hù)電路 1.8萬(wàn) 0
功率集成電路設(shè)計(jì)之結(jié)終端技術(shù)
通常采用半絕緣多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline Silicon,SIPOS),其兩端分別與器件的兩個(gè)電極相連,因?yàn)?..
晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān),它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān),晶體管類似于繼電器,因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或...
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心,它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多,不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)...
2023-11-29 標(biāo)簽:集成電路MOSFET半導(dǎo)體材料 2037 0
mt3608升壓模塊輸出升不上去(mt3608升壓模塊電路圖)
MT3608是一個(gè)小封裝SOT23,引間距離是0.95MM的升壓集成芯片,它應(yīng)用在是小封裝,低功率電路圖中。內(nèi)部集成了80毫歐的功率管。最高電壓可以達(dá)到...
穩(wěn)壓器不升壓怎么回事 升壓器和穩(wěn)壓器有什么區(qū)別
穩(wěn)壓器并不適用于直接對(duì)電機(jī)進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)。電機(jī)通常需要特定的驅(qū)動(dòng)電路或控制系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行電壓、頻率和相位等方面的調(diào)節(jié),以滿足其運(yùn)行要求。
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 2842 0
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說(shuō)IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 2064 0
在電源應(yīng)用中,哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求,工程師短時(shí)間內(nèi)也很難判斷哪一種開(kāi)關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”(Figure of Merit, ...
MOSFET工作在飽和區(qū)時(shí),具有信號(hào)放大功能,柵極的電壓和漏極的電流基于其跨導(dǎo)保持一定的約束關(guān)系,柵極的電壓和漏極的電流的關(guān)系就是MOSFET的傳輸特性。
SemiQ推出采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET
為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二...
2023-11-26 標(biāo)簽:MOSFET封裝數(shù)據(jù)中心 1622 0
什么是碳化硅功率模塊?為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選?
如今,功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉,而且該技術(shù)廣為人知。
2023-11-25 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 3728 0
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
為什么說(shuō)IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)...
UIS測(cè)試是什么?雪崩能量對(duì)實(shí)際應(yīng)用的影響
UIS:英文全稱Unclamped Inductive Switching,中文譯為非嵌位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)過(guò)程。
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