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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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場(chǎng)效應(yīng)管FET(Field Effect Transistor),是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,分為結(jié)型(JFET)和絕緣...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 9842 0
淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...
造成EMI問(wèn)題的輻射源有兩類:交變電場(chǎng)(高阻),交變磁場(chǎng)(低阻)。非隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器具有阻抗很低的節(jié)點(diǎn)和環(huán)路(遠(yuǎn)低于自由空間的阻抗377Ω,此值為...
2023-11-17 標(biāo)簽:pcb轉(zhuǎn)換器MOSFET 2025 0
SemiQ推出一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET
為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二...
我印象中以前普遍都是將示波器的地線夾子去了,換彈簧夾子(因?yàn)檫@個(gè)本身的夾子與地線會(huì)形成環(huán)路,像一個(gè)天線接收雜訊,引入一些不必要的雜訊),此外,在探頭上并...
場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)。
2023-11-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 9377 0
MOSFET的非理想特性對(duì)模擬集成電路設(shè)計(jì)具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個(gè)方面,包括電容、體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制、亞閾值導(dǎo)通、遷移率下降以及飽和速...
MOSFET 的選擇關(guān)乎效率,設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間,由于電流流過(guò)導(dǎo)通電阻而造成;開關(guān)...
計(jì)算機(jī)是處理數(shù)字格式信息的電子機(jī)器。他們不像人們那樣理解單詞和數(shù)字,而是將這些單詞和數(shù)字更改為由零和一組成的字符串,稱為二進(jìn)制(有時(shí)稱為“二進(jìn)制代碼”)。
通過(guò)PCB設(shè)計(jì)實(shí)踐減輕噪聲
這兩種 MOSFET 類型對(duì) MOSFET 柵極電壓具有相反的響應(yīng)。MOSFET 柵極處的輸入邏輯低信號(hào)將導(dǎo)致 p 溝道 MOSFET 將 Vss 連接...
本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成,有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu),以及針對(duì)...
2023-11-15 標(biāo)簽:集成電路MOSFETIC設(shè)計(jì) 1.2萬(wàn) 0
繼電器開關(guān)電路的設(shè)計(jì)和類型非常龐大,許多小型電子項(xiàng)目都使用晶體管和MOSFET作為其主要開關(guān)設(shè)備。
2023-11-14 標(biāo)簽:繼電器開關(guān)電路MOSFET 2653 0
感應(yīng)加熱的基本原理 感應(yīng)加熱中的功率半導(dǎo)體
感應(yīng)加熱是一種強(qiáng)大的熱處理技術(shù),它利用感應(yīng)電流在導(dǎo)電材料內(nèi)產(chǎn)生的電阻加熱來(lái)快速加熱金屬物體。
2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管感應(yīng)加熱 3415 0
什么是反激電源?反激電源設(shè)計(jì)步驟和注意事項(xiàng)
反激電源是一種電力轉(zhuǎn)換電路,能夠?qū)⒅绷麟妷恨D(zhuǎn)換成所需的交流電壓并為負(fù)載供電。反激電源的基本原理是通過(guò)控制開關(guān)器件(MOSFET、IGBT等)導(dǎo)通和截止時(shí)...
2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT轉(zhuǎn)換電路 1.2萬(wàn) 0
一款高度集成、高可靠性的半橋IPM驅(qū)動(dòng)電路CS5755SDQ
CS5755SDQ是一款高度集成、高可靠性的半橋IPM驅(qū)動(dòng)電路,主要應(yīng)用于較低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng),如風(fēng)扇電機(jī)、水泵等。
功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)
MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū),那為什么還要在周圍設(shè)計(jì)一圈終端區(qū)浪費(fèi)芯片的一部分面積呢
HL型柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析
引言:在多相電源控制器里,PWM波輸出最為常見,但是HL型也使用較多,與PWM型相比,HL型控制更為獨(dú)立,更為靈活,抗干擾能力也較好,唯獨(dú)就是需要兩...
2023-11-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 1815 0
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