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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式
本文將深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式,該吸 收器電路可以避免電壓偏移,特別是能消除MOSFET中寄生二極 管的反向恢復(fù)損耗,還具有多種其他優(yōu)...
到底什么是雪崩失效呢,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式...
本文從MOSFET的工作原理入手,詳細(xì)介紹MOSFET的應(yīng)用以及其他注意事項(xiàng),希望能夠提高大家對(duì)MOSFET的認(rèn)識(shí)。詳細(xì)介紹請(qǐng)看原文:MOSFET的原意...
2013-07-31 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.5萬(wàn) 2
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記:各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的,平面型和溝槽型。
只要問(wèn)任何經(jīng)驗(yàn)豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么,你很可能會(huì)聽(tīng)到“一個(gè)約 100 Ω 的電阻”。
MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個(gè)電容?居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問(wèn)題?
Part 01 前言 在MOSFET中,dv/dt指的是MOSFET在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)期間,其漏源電壓Vds的變化率,即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...
IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶...
反激開(kāi)關(guān)MOSFET源極流出的電流精細(xì)剖析
大家都知道這個(gè)尖峰是開(kāi)關(guān)MOS開(kāi)通的時(shí)候出現(xiàn)的,根據(jù)反激回路,Ids電流環(huán)為Vbus經(jīng)變壓器原邊、然后經(jīng)過(guò)MOS再到Vbus形成回路。
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)
根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。
2017-08-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.5萬(wàn) 0
Mosfet驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)發(fā)進(jìn)階之路
常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)方式有非隔離的直接驅(qū)動(dòng)、自舉驅(qū)動(dòng),和有隔離的變壓器驅(qū)動(dòng)、光耦隔離驅(qū)動(dòng)等。
2017-08-30 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 1.5萬(wàn) 0
用UC3842芯片做醫(yī)用開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)方案
本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開(kāi)關(guān)電源,適合應(yīng)用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)通過(guò)光耦實(shí)現(xiàn)輸出和輸入的隔離,不僅提高了電源的...
MOSFET的米勒平臺(tái)電壓很重要,1400字教你兩種方式計(jì)算出米勒平臺(tái)電壓值
Part 01 前言 MOSFET米勒效應(yīng)是指在MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程中,由于柵極-漏極之間的電容Cgd的存在,漏極電壓的變化會(huì)通過(guò)該電容耦合到柵極,導(dǎo)...
功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中,在米勒平臺(tái)線性區(qū),由于VGS保持不變,相當(dāng)于使用恒流源進(jìn)行驅(qū)動(dòng),其它的時(shí)間段,使用恒壓源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。VGS電壓變化時(shí),和時(shí)...
2022-06-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器PFC控制器 1.4萬(wàn) 0
逆變器是一種將直流電能(電池、蓄電瓶)轉(zhuǎn)變成定頻定壓或調(diào)頻調(diào)壓交流電(一般為220V,50Hz正弦波)的轉(zhuǎn)換器。它由逆變橋、控制邏輯和濾波電路組成,廣泛...
最新關(guān)于全波橋式整流器的設(shè)計(jì)詳細(xì)解析
大多數(shù)電子元器件都需要一個(gè)來(lái)自AC電力線的輸入電源。對(duì)于電壓穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)模式電源和其它下游電子組件來(lái)說(shuō),一個(gè)全橋或半橋二極管整流器器件對(duì)正弦AC電壓波形...
MOSFET的基本特性及MOSFET開(kāi)關(guān)電路
MOSFET是一種利用場(chǎng)效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它有一個(gè)柵極。為簡(jiǎn)單起見(jiàn),您可以將這個(gè)門想象成一個(gè)水龍頭,您逆時(shí)針旋...
2022-08-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOSFET晶體管 1.4萬(wàn) 0
mt3608升壓模塊輸出升不上去(mt3608升壓模塊電路圖)
MT3608是一個(gè)小封裝SOT23,引間距離是0.95MM的升壓集成芯片,它應(yīng)用在是小封裝,低功率電路圖中。內(nèi)部集成了80毫歐的功率管。最高電壓可以達(dá)到...
MOSFET電路柵源極GS之間并聯(lián)電容后,MOS管為什么會(huì)炸管?原因分析
MOSFET炸管也有三大原因,電壓,電流,溫度,比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)OSFET的漏源極電流超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)O...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOSFET電容電路設(shè)計(jì) 1.4萬(wàn) 1
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