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mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式

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本文將深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式,該吸 收器電路可以避免電壓偏移,特別是能消除MOSFET中寄生二極 管的反向恢復(fù)損耗,還具有多種其他優(yōu)...

2019-01-14 標(biāo)簽:MOSFET諧振器電流吸收器 1.6萬(wàn) 1

IGBT的工作原理及基本特性

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  絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn),具有良好的特性。IGBT也是三端器件,具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。

2022-10-28 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1.5萬(wàn) 0

MOS失效的原因分析總結(jié)

到底什么是雪崩失效呢,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式...

2018-05-06 標(biāo)簽:二極管MOSFETMOS管 1.5萬(wàn) 0

從原理到具體電路,深入剖析MOSFET的工作方式

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本文從MOSFET的工作原理入手,詳細(xì)介紹MOSFET的應(yīng)用以及其他注意事項(xiàng),希望能夠提高大家對(duì)MOSFET的認(rèn)識(shí)。詳細(xì)介紹請(qǐng)看原文:MOSFET的原意...

2013-07-31 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.5萬(wàn) 2

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記:各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)

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當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來(lái)區(qū)分的,平面型和溝槽型。

2023-06-07 標(biāo)簽:芯片MOSFETJFET 1.5萬(wàn) 0

一個(gè)約100Ω的電阻,為何在MOSFET柵極前?

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只要問(wèn)任何經(jīng)驗(yàn)豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么,你很可能會(huì)聽(tīng)到“一個(gè)約 100 Ω 的電阻”。

2018-04-16 標(biāo)簽:MOSFET增益LTC2063 1.5萬(wàn) 0

MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個(gè)電容?居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問(wèn)題?

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Part 01 前言 在MOSFET中,dv/dt指的是MOSFET在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)期間,其漏源電壓Vds的變化率,即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...

2024-11-12 標(biāo)簽:MOSFET電容MOS 1.5萬(wàn) 0

IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-09-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1.5萬(wàn) 0

反激開(kāi)關(guān)MOSFET源極流出的電流精細(xì)剖析

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大家都知道這個(gè)尖峰是開(kāi)關(guān)MOS開(kāi)通的時(shí)候出現(xiàn)的,根據(jù)反激回路,Ids電流環(huán)為Vbus經(jīng)變壓器原邊、然后經(jīng)過(guò)MOS再到Vbus形成回路。

2018-01-25 標(biāo)簽:mosfet電源管理 1.5萬(wàn) 0

場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。

2017-08-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.5萬(wàn) 0

Mosfet驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)發(fā)進(jìn)階之路

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常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)方式有非隔離的直接驅(qū)動(dòng)、自舉驅(qū)動(dòng),和有隔離的變壓器驅(qū)動(dòng)、光耦隔離驅(qū)動(dòng)等。

2017-08-30 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 1.5萬(wàn) 0

用UC3842芯片做醫(yī)用開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)方案

用UC3842芯片做醫(yī)用開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)方案

本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開(kāi)關(guān)電源,適合應(yīng)用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)通過(guò)光耦實(shí)現(xiàn)輸出和輸入的隔離,不僅提高了電源的...

2017-12-02 標(biāo)簽:MOSFET光耦合器TL431 1.5萬(wàn) 0

MOSFET的米勒平臺(tái)電壓很重要,1400字教你兩種方式計(jì)算出米勒平臺(tái)電壓值

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Part 01 前言 MOSFET米勒效應(yīng)是指在MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程中,由于柵極-漏極之間的電容Cgd的存在,漏極電壓的變化會(huì)通過(guò)該電容耦合到柵極,導(dǎo)...

2025-01-07 標(biāo)簽:MOSFET米勒平臺(tái) 1.5萬(wàn) 0

PWM控制芯片的驅(qū)動(dòng)能力及工作可靠性

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 功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中,在米勒平臺(tái)線性區(qū),由于VGS保持不變,相當(dāng)于使用恒流源進(jìn)行驅(qū)動(dòng),其它的時(shí)間段,使用恒壓源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。VGS電壓變化時(shí),和時(shí)...

2022-06-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器PFC控制器 1.4萬(wàn) 0

逆變器電路圖分享

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逆變器是一種將直流電能(電池、蓄電瓶)轉(zhuǎn)變成定頻定壓或調(diào)頻調(diào)壓交流電(一般為220V,50Hz正弦波)的轉(zhuǎn)換器。它由逆變橋、控制邏輯和濾波電路組成,廣泛...

2024-01-09 標(biāo)簽:電路圖MOSFET太陽(yáng)能 1.4萬(wàn) 0

主要介紹MOSFET電性能相關(guān)的參數(shù)

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BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿,且雪崩倍增引發(fā)大量的電流在源極和漏極之間流動(dòng)的電壓。

2023-05-29 標(biāo)簽:MOSFET電壓源VDS 1.4萬(wàn) 1

最新關(guān)于全波橋式整流器的設(shè)計(jì)詳細(xì)解析

大多數(shù)電子元器件都需要一個(gè)來(lái)自AC電力線的輸入電源。對(duì)于電壓穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)模式電源和其它下游電子組件來(lái)說(shuō),一個(gè)全橋或半橋二極管整流器器件對(duì)正弦AC電壓波形...

2018-07-02 標(biāo)簽:二極管MOSFET電壓 1.4萬(wàn) 0

MOSFET的基本特性及MOSFET開(kāi)關(guān)電路

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MOSFET是一種利用場(chǎng)效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它有一個(gè)柵極。為簡(jiǎn)單起見(jiàn),您可以將這個(gè)門想象成一個(gè)水龍頭,您逆時(shí)針旋...

2022-08-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOSFET晶體管 1.4萬(wàn) 0

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MT3608是一個(gè)小封裝SOT23,引間距離是0.95MM的升壓集成芯片,它應(yīng)用在是小封裝,低功率電路圖中。內(nèi)部集成了80毫歐的功率管。最高電壓可以達(dá)到...

2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET功率電路集成芯片 1.4萬(wàn) 0

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MOSFET炸管也有三大原因,電壓,電流,溫度,比如MOSFET漏源極兩端的電壓超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)OSFET的漏源極電流超過(guò)了最大極限值,或者M(jìn)O...

2024-11-15 標(biāo)簽:MOSFET電容電路設(shè)計(jì) 1.4萬(wàn) 1

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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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