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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基于LAMP和MOSFET的Hi-Fi耳機(jī)放大器電路圖
任何追求高品質(zhì)音頻再現(xiàn)的發(fā)燒友都需要一個(gè) Hi-Fi 耳機(jī)放大器。強(qiáng)大的混合設(shè)計(jì)結(jié)合了真空管 (LAMP) 和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFE...
電子電路必須具有過流保護(hù),以防止大電流造成損害。由于開關(guān)時(shí)間快且導(dǎo)通電阻低,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)可用作過流保護(hù)電路中的開關(guān)。在本...
隨著新能源汽車的快速發(fā)展,市場的普及,越來越多的用戶在使用過程中,對新能源汽車的充電仍是一個(gè)頭疼的事情。
硅終端金剛石半導(dǎo)體與場效應(yīng)管器件研究進(jìn)展
金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,近年來成為大家關(guān)注的熱點(diǎn)。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進(jìn)展,但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒有很好解決。氫終端...
2023-08-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 2589 0
開關(guān)管MOSFET的損耗分析及其優(yōu)化方法
本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點(diǎn),提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。
近年來,大到關(guān)乎國運(yùn)的“芯片之戰(zhàn)”,小到每個(gè)人日夜不離手的手機(jī)、平板,遠(yuǎn)到遙遠(yuǎn)太空的空間站,近到飯店送餐的機(jī)器人,芯片成了國家、個(gè)體都密切關(guān)注的焦點(diǎn)。深...
2023-08-16 標(biāo)簽:芯片MOSFET開關(guān)電源 547 0
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 833 0
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)控制器的區(qū)別
在大多數(shù)電子項(xiàng)目或機(jī)器人應(yīng)用中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)控制器起著非常重要的作用。
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET步進(jìn)電機(jī)IGBT 7920 0
mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理
? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1.0萬 0
高效率 1.2MHz、28V輸出、2A升壓穩(wěn)壓器ZCC3710介紹
ZCC3710是一個(gè)恒定的頻率,電流模式升壓轉(zhuǎn)換器適用于小型、低功耗應(yīng)用。開關(guān)頻率為1.2MHz,允許使用纖巧、低成本的電容器和高度不超過2mm的電感器...
在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)過程中,電源通常是必不可少的部分,很多設(shè)備(尤其是使用電池的設(shè)備)的電源都是以DC-DC為主的。這些電源一般有三種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),即人們熟知的b...
三相180?正弦波無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC-ACM6753介紹
ACM6753是一種三相無傳感器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC,具有集成功率MOSFET,可提供高達(dá)3.2A峰值的驅(qū)動(dòng)電流。
2023-08-15 標(biāo)簽:傳感器MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1462 0
這里介紹的方案是一個(gè)只需要單電源的MOSFET 10W音頻放大器電路。 B 類功率放大器很少使用單軌電源。無論如何,對于低功耗應(yīng)用來說已經(jīng)足夠了。事實(shí)上...
基于分段模型的CRM boost電路軟開關(guān)時(shí)間優(yōu)化設(shè)計(jì)
臨界導(dǎo)通模式(critical conduction mode,CRM)下的DC-DC變換器能夠降低系統(tǒng)階數(shù),并且可以實(shí)現(xiàn)更高的效率而廣泛應(yīng)用于中小功率場景中。
適用于PD3.1標(biāo)準(zhǔn)的芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品簡介
USB Promoter Group在2021年5月26日發(fā)布了USB PD3.1,PD3.1將原有PD3.0的標(biāo)準(zhǔn)功率范圍擴(kuò)大至擴(kuò)展功率范圍(EPR)...
上一篇文章我們介紹過,為了使MOS管完全導(dǎo)通,需要盡量提高柵極的驅(qū)動(dòng)電流。那是不是柵極驅(qū)動(dòng)電流越大越好呢,即驅(qū)動(dòng)電路的內(nèi)阻越小越好?
碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
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