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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體,但最近的研究表明它有一些局限性,特別是在高功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的一個相關(guān)因素,因為高帶隙在高溫、電壓...
2022-07-29 標簽:MOSFET開關(guān)損耗 1635 0
2MHz開關(guān)頻率條件下工作時的第一個也是最重要的考慮因素是轉(zhuǎn)換器的最小接通時間。在降壓轉(zhuǎn)換器中,當高側(cè)MOSFET導(dǎo)通時,它在關(guān)閉前必須保持最小的導(dǎo)通時...
2023-04-08 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETPCB 1634 0
在 PCT 期間,當 DUT 開啟時,由于電流從漏極流向源極,DUT 溫度會升高(圖 1a)。當 DUT 關(guān)閉時,通過從源極到漏極的感測電流測量體二極管...
柵極驅(qū)動器(Gate Driver)是一種電路,其主要功能在于增強場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號,以便控制器能夠...
如何在挑戰(zhàn)性環(huán)境中優(yōu)化 BLDC 電機驅(qū)動器的熱性能
作者:Jeff Shepard 投稿人:DigiKey 北美編輯 無刷直流 (BLDC) 電機越來越多地用于熱條件苛刻的環(huán)境中,如電動汽車 (EV) 等...
MOSFET是以金屬層(M)柵極隔著氧化層(O)利用電場效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場效應(yīng)晶體管,其特點是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同,M...
2023-04-13 標簽:MOSFET東芝開關(guān)電源 1631 0
在過去的二十年間,MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個極限,被稱為“硅極限”。為了突...
做到這一點的一個方法是通過減少軌道數(shù)來降低單元高度--它被定義為每個單元的金屬線(或軌道)的數(shù)量乘以金屬間距。對于FinFET,通過逐步將一個標準單元內(nèi)...
如何為中壓SiC-MOSFET轉(zhuǎn)換器的濾波電感器的接地電流建模
在設(shè)計使用寬帶隙 (WBG)的電子轉(zhuǎn)換器時,高 dv/dt 瞬變是挑戰(zhàn)背后的原因通常以存在于它們的有源和無源組件中的寄生參數(shù)的形式引起的設(shè)備 [1][2...
2022-08-04 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電感器 1626 0
SemiQ推出采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二...
2023-11-26 標簽:MOSFET封裝數(shù)據(jù)中心 1625 0
MOSFET理解與應(yīng)用 如何提高放大器的Robust
哪些因素會影響MOSFET放大器的Robust增加一個電阻,提高Robust增加一個電容。
SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
國產(chǎn)車規(guī)級4通道、40V、160mΩ智能高側(cè)開關(guān)
該芯片均具有負載開路、輸出對輸入短路、輸出過流、輸出短路、過溫等故障診斷輸出功能,具有各通道獨立的診斷狀態(tài)輸出。
2023-07-18 標簽:MOSFET智能高側(cè)開關(guān) 1620 1
MOS管知識點總結(jié):它憑什么成為現(xiàn)代電力電子的主角?
MOS管制造工藝會造成內(nèi)部D極與S極之間存在一個寄生二極管,其作用:一是電路有反向電壓時,為反向電壓提供續(xù)流,避免反向電壓擊穿MOS管;二是當DS兩級電...
能量轉(zhuǎn)換效率是一個重要的指標,各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎(chǔ)上再有所提升。為了實現(xiàn)這一提升,開始逐漸采用越來越復(fù)雜的轉(zhuǎn)換拓撲,如移相全橋(PSFB)...
2023-05-08 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET變換器 1618 0
LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器參數(shù)介紹
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,選用高達 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 M...
2023-03-23 標簽:MOSFET電源開關(guān)MOSFET驅(qū)動器 1613 0
隨著新的應(yīng)用領(lǐng)域和市場的出現(xiàn),近年來全球電力需求猛增,使得節(jié)能成為設(shè)備設(shè)計的重要方面。這使得高效逆變器電路和轉(zhuǎn)換器必不可少,特別是對于需要高功率轉(zhuǎn)換的電...
2022-07-27 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET柵極驅(qū)動器 1612 0
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