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MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。

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mram技術

FeRAM和MRAM的比較

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從MRAM的演進看存內計算的發(fā)展

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2024-05-17 標簽：存儲器芯片架構 MRAM 1738 0

探索存內計算—基于 SRAM 的存內計算與基于 MRAM 的存算一體的探究

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2024-05-16 標簽：存儲器神經網絡 sram 3919 0

MRAM特性優(yōu)勢和存儲原理

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2024-02-19 標簽：存儲器 sram 晶體管 1769 0

MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）有何區(qū)別

MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據存儲元素。

2024-01-09 標簽：電容器存儲器數據存儲 1803 0

深入探索MRAM的原理與技術

2024-01-09 標簽：存儲器 sram MRAM 1729 0

ReRAM能否取代NOR？

“與MRAM相比，ReRAM有兩個主要優(yōu)勢——工藝簡單和更寬的讀取窗口，”的內存技術專家Jongsin Yun說西門子EDA。“MRAM需要10層以上的...

2023-11-22 標簽：存儲器晶體管 MRAM 1135 0

MRAM會取代DDR嗎？簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別

在當前我們比較熟悉的存儲產品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。

2023-10-07 標簽：電容器 DRAM 存儲器 4695 0

數據存儲技術發(fā)展歷程簡述

數據存儲技術的發(fā)展，可以說是一段漫長而又充滿神奇色彩的歷程，承載著人類智慧與技術創(chuàng)新。從最早的打孔卡開始，它逐漸經歷了磁存儲、硬盤、閃存，以及現在的云存...

2023-09-22 標簽：PCM 存儲器數據存儲 4441 0

如何選擇存儲器類型存算一體芯片發(fā)展趨勢

閃存存算方面，目前主要路線是基于NOR flash（不是目前優(yōu)盤所用的閃存類型），多數情況下存儲容量較小，這使得NOR flash單片算力達到1 TOP...

2023-09-06 標簽：傳感器存儲器 MRAM 1206 0

什么是OTP？eFuse是什么？eFuse是如何使用的？

NVM，即Non－Volatile Memory，非易失性存儲器。

2023-08-29 標簽：FlaSh 嵌入式系統(tǒng)ROM 8906 0

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRA...

2023-04-19 標簽：DRAM 存儲器 RAM 3975 0

新型存儲MRAM 技術及產業(yè)發(fā)展現狀

全新的存儲器MRAM，ReRAM，PCRAM，相對于傳統(tǒng)存儲器來說，具有很多方面獨特的優(yōu)勢，能夠在計算系統(tǒng)層級實現更優(yōu)的計算性能、功耗和成本。

2023-03-20 標簽：存儲器 MRAM reram 2008 0

新興的記憶存儲器問世了嗎

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2022-11-25 標簽：微控制器存儲器 NOR芯片 552 0

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與其他標準主流存儲器不同，Everspin的MRAM可在惡劣環(huán)境下實現數據完整性和可靠性，并在斷電且無需電池的情況下即時保存事件。

2022-11-18 標簽：plc MRAM 可編程邏輯控制器 1867 0

淺析MR25HxxxDF的2.0mm裸露底墊新封裝

EVERSPIN的SPI產品系列中增加了具有2mm底部裸露焊盤的新型DFN8封裝。這種新封裝允許該器件既可用于JEDEC標準SOIC-8引腳又可用于DF...

2022-11-17 標簽：MRAM PCB 2853 0

MRAM關鍵工藝步驟包括哪幾個方面

MRAM是使用單個一體化的機臺進行物理氣相沉積(PVD)，可以精確地沉積20至30個不同的金屬和絕緣層，每個金屬層和絕緣層的厚度通常在0.2至5.0nm之間。

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STT-MRAM非易失性磁隨機存儲器的優(yōu)點及其應用有哪些

反鐵磁性材料在微觀尺度上有磁性，但在宏觀尺度上卻沒有。這意味著用這些材料制成的MRAM單元的相鄰位之間沒有磁力-這意味著您可以將它們非常緊密地包裝在一起。

2022-11-17 標簽：存儲器飛行器 MRAM 1653 0

基于自旋轉移矩效應的STT-MRAM器件存在的兩個弊端

隨著工藝減小，熱穩(wěn)定性惡化。采用面內磁各向異性磁隧道結的存儲壽命取決于熱穩(wěn)定性勢壘和磁各向異性場，面內磁各向異性的來源是薄膜平面較大的長寬比。

2022-11-17 標簽：MRAM 2217 0

Everspin展示了28nm單機1Gb STT-MRAM芯片

everspin在磁存儲器設計，制造和交付給相關應用方面的知識和經驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權...

2022-11-17 標簽：CMOS 存儲器 DDR4 2919 0

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