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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand技術(shù)

蘋果閃存和固態(tài)硬盤的區(qū)別固態(tài)硬盤為什么不建議分區(qū)

蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù)，但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開發(fā)的，使用NAND（非易失性閃存）芯片技術(shù)，而SSD可以是通用的，采用不同...

2023-07-19 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 5577 0

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。

2023-07-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 晶體管 2706 0

STM32的FSMC外設(shè)簡介

Flexible static memory controller(FSMC)靈活的靜態(tài)存儲控制器。FSMC可以連接異步或同步存儲器或16位PC存儲卡

2023-07-11 標(biāo)簽：Nand SRAM控制器 AHB總線 2162 0

nand flash是固態(tài)硬盤嗎 nor flash與nand flash區(qū)別

　相對于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤，固態(tài)硬盤采用了閃存存儲技術(shù)，具有更高的數(shù)據(jù)訪問速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展...

2023-07-05 標(biāo)簽：NOR閃存 Nand 固態(tài)硬盤 4482 0

EMMC基礎(chǔ)知識簡介

eMMC 是 embedded MultiMediaCard 的簡稱。MultiMediaCard，即 MMC，是一種閃存卡（Flash Memory...

2023-07-03 標(biāo)簽：Nand 存儲器 GPIO 8437 0

半導(dǎo)體存儲芯片分類淺述

全球每年的存儲芯片的市場規(guī)模在1600億美元左右，而且隨著高性能計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，邊緣計(jì)算，智能穿戴市場，物聯(lián)網(wǎng)和車聯(lián)網(wǎng)全球市場規(guī)模的不斷做大，存儲器市場...

2023-07-03 標(biāo)簽：DRAM NAND 物聯(lián)網(wǎng) 3247 0

閑聊芯片封裝

芯片產(chǎn)業(yè)是一個分工很細(xì)的產(chǎn)業(yè)。設(shè)計(jì)公司做完邏輯和物理設(shè)計(jì)，將最終設(shè)計(jì)結(jié)果交給芯片生產(chǎn)廠。

2023-06-29 標(biāo)簽：NAND 芯片設(shè)計(jì)芯片封裝 4778 0

NAND芯片是用于哪些領(lǐng)域 NAND和SSD的區(qū)別

閃存存儲設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。

2023-06-28 標(biāo)簽：NAND 固態(tài)硬盤內(nèi)存卡 1.1萬 0

亂碼電路第2部分：通用解決方案

構(gòu)建用于評估特定函數(shù)f（x）的通用解決方案的一種方法是設(shè)計(jì)一個電路，將可能的輸入x映射到可能的輸出f（x）。例如，考慮一個NAND門：

2023-06-27 標(biāo)簽：NAND 函數(shù)生成器 1131 0

SPI NAND驅(qū)動性能測試分析與優(yōu)化

既然是追求性能,所以我們后面就都基于X4模式進(jìn)行了。

2023-06-21 標(biāo)簽：NAND 存儲 SPI 2817 0

NAND里的LDO設(shè)計(jì)

我們當(dāng)然希望LDO的輸出準(zhǔn)確、負(fù)載（電流）變化時能夠快速響應(yīng)。

2023-06-19 標(biāo)簽：NAND 比較器電源電壓 2146 0

基于NAND門的方波發(fā)生器電路

方波廣泛用于許多數(shù)字電路。許多組合邏輯電路都需要這種波來工作。以下是您可以使用NAND，逆變器和施密特觸發(fā)門生成簡單方波的幾種方法。這些方波發(fā)生器非常適...

2023-06-18 標(biāo)簽：NAND 發(fā)生器電路方波發(fā)生器 2610 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...

2023-06-15 標(biāo)簽：NAND 存儲芯片蝕刻技術(shù) 2616 0

3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點(diǎn)

中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-12 標(biāo)簽：集成電路 NAND 3D 1218 0

3D NAND沉積技術(shù)的特點(diǎn)及挑戰(zhàn)

2023-06-12 標(biāo)簽：集成電路 NAND 3D 796 0

SPI NAND完全解讀-基于GD5F1GM7xExxG

本文以具體型號為GD5F1GM7xExxG的GD的NAND為例,對SPI NAND Flash進(jìn)行介紹。不同廠家的不同型號都大同小異了解一款其他的也就都了解了。

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式 NAND FlaSh 1.5萬 0

使用邏輯分析儀Acute TravelLogic Analyzer進(jìn)行SPI NAND驅(qū)動開發(fā)調(diào)試

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 調(diào)試 6443 0

Micrium全家桶之uC-CRC: 0x02 CRC

前一篇我們講了Micrium全家桶之uC-CRC: 0x01 ECC:https://mp.weixin.qq.com/s/FKVvzwL7wzxLJC...

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式 NAND crc 1493 0

Micrium全家桶之uC-FS: 0x01 NAND FTL

這一篇我們來講講Micrium全家桶的uC-FS。文件系統(tǒng)是一個比較龐大的組件,我們以從下往上的順序介紹,即先以一個具體的設(shè)備:NAND為例,講其FTL...

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 代碼 2591 0

Micrium全家桶之uC-FS: 0x02 NAND FTL算法原理詳解

uC-FS的NAND驅(qū)動實(shí)現(xiàn)基于一篇論文:《KAST: K-Associative Sector Translation for NAND Flash ...

2023-06-08 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 算法 2041 0

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云儲存

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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