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標(biāo)簽 > npn管
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IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響
在IGBT模塊的使用過程中,關(guān)斷時(shí)刻的電壓尖峰限制著系統(tǒng)的工作電壓,特別在高壓平臺(tái)的應(yīng)用中對(duì)于模塊電壓尖峰要求更高
2023-10-10 標(biāo)簽:IGBTMOS驅(qū)動(dòng)電路 2003 0
當(dāng)基準(zhǔn)建立后,M4可以提供一個(gè)與M1成一定比例大小的電流并注入C點(diǎn),使VC≈VDD,使M8關(guān)斷,避免啟動(dòng)電路對(duì)核心電路的正常工作造成影響。
NPN管做放大器的基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)
圖2為使用NPN做放大器實(shí)現(xiàn)的基準(zhǔn)電路??梢詫?duì)A點(diǎn)進(jìn)行啟動(dòng)。穩(wěn)定電源下,使能切換后,該結(jié)構(gòu)在建立速度和穩(wěn)定度之間有較好折中,但溫漂性能略差。
達(dá)林頓管就是兩個(gè)三極管接在一起,極性只認(rèn)前面的三極管。
電接口設(shè)計(jì)中,反射衰減通常在高頻情況下變差,這是因?yàn)閹p耗的傳輸線反射同頻率相關(guān),這種情況下,盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。
非對(duì)稱晶閘管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)Ⅰ
該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率(dv/dt)高、開通陽(yáng)極電流上升率(di...
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