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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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光伏電池片領(lǐng)域降本增效是推動光伏產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展的內(nèi)在牽引力，其中以提升光電轉(zhuǎn)換效率為目標(biāo)的光伏電池片技術(shù)變革是推動降本增效的關(guān)鍵舉措之一。
三極管的放大倍數(shù)是衡量其放大能力的重要參數(shù)，通常用β表示。計算三極管的放大倍數(shù)需要考慮多個因素，包括材料、結(jié)構(gòu)、工藝等。下面將詳細介紹三極管放大倍數(shù)的計...
MOS結(jié)構(gòu)和MOSFET反型層電荷的來源
我們知道，MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線是跟頻率相關(guān)的，高頻和低頻曲線長這樣，但是用MOS管是測不出來高頻曲線的，只能測出低頻曲線，為什么呢，下面來簡單盤一盤。
對半導(dǎo)體的深入理解無疑會對我們的生活產(chǎn)生深遠的影響，尤其是面對任何涉及計算機或無線電波的電子設(shè)備。這其中的核心往往是硅，因此眾多科技巨頭會聚集在以硅為名...
2023-12-10 標(biāo)簽：PN結(jié) 4887 0
EE工程師都會面臨MOSFET的選型問題，無論是功率級別應(yīng)用的Power MOS還是信號級別的Signal MOSFET，他們的Datasheet中，一...
LED（發(fā)光二極管）燈珠發(fā)光的原理基于半導(dǎo)體的電學(xué)特性，具體來說，是基于PN結(jié)的電致發(fā)光效應(yīng)。
下面是貼片二極管封裝圖，一般帶白線的是陰極，如果不清楚，就用萬用表調(diào)制二極管檔，當(dāng)出現(xiàn)零點幾伏壓降的時候，紅表筆就代表二極管陽極，黑表筆代表陰極。
本推文第一部分是隧穿管TFET的仿真，第二部分是回答讀者在選擇用于仿真的電腦時，該如何選擇給出自己淺薄的意見。
本推文針對讀者提出的兩個問題進行系統(tǒng)解答，一是關(guān)于二極管正向?qū)ㄆ陂g的歐姆損耗，二是如何把測試的數(shù)據(jù)導(dǎo)入仿真軟件，便于不斷調(diào)整條件后，實現(xiàn)仿真與實測的便捷對比。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異（2）
下面我們再分析一下球面結(jié)的雪崩電壓。首先對（7-17）從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分，結(jié)果如下，
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異（1）
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖，在三維結(jié)構(gòu)中，PN結(jié)的擴散窗口會同時向x方向和z方向擴散，那么在角落位置就會形成如圖所示的1/8球面結(jié)。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（2）
下面對電場積分，我們看看隨著增長，即耗盡區(qū)深度的增長，柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（1）
IGBT是要耐受高電壓的，在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中，我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓，主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)功率半導(dǎo)體 3897 0
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系（1）
我們曾在文中反復(fù)提及，電壓是電場的積分，而電場是電荷的積分，所以要得到電壓的關(guān)斷瞬態(tài)，就必須弄清楚電荷的分布以及積分的邊界。
前面我們基本完成了穩(wěn)態(tài)狀況下，電流（包含電子電流和空穴電流）與電荷分布之間的關(guān)系，下面我們來看看穩(wěn)態(tài)下電壓與電荷分布之間的關(guān)系。
IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正
如前所述，修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來建立圖片與圖片的關(guān)系。
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（3）
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖）， 因為PIN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（3）
這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu)，因為陽極和陰極的多子濃度遠大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；
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