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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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新品 | CIPOS? Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列
新品CIPOSMaxi1200V碳化硅SiCIPMIM12SxxEA2系列高性能CIPOSMaxi轉(zhuǎn)模封裝SiCIPMIM12SxxEA2系列基于120...
三菱電機(jī)創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來
作為全球創(chuàng)新與技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,三菱電機(jī)在2025PCIM Asia展會上亮相,展示了多款前沿功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括面向中功率空調(diào)的Compact DIPIP...
傾佳電子先進(jìn)拓?fù)渑cSiC碳化硅技術(shù)的融合:為人工智能驅(qū)動的數(shù)據(jù)中心構(gòu)建下一代高頻模塊化UPS
傾佳電子先進(jìn)拓?fù)渑cSiC碳化硅技術(shù)的融合:為人工智能驅(qū)動的數(shù)據(jù)中心構(gòu)建下一代高頻模塊化UPS 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體...
2025-10-11 標(biāo)簽:UPS數(shù)據(jù)中心SiC 122 0
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體亮相PCIM Asia 2025
2025年9月24日至26日,為期三天的PCIM Asia展會已于今日圓滿落幕。
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對基本半導(dǎo)體(BASIC Semic...
傾佳電子代理的BASiC基本半導(dǎo)體SiC功率器件產(chǎn)品線選型指南
傾佳電子代理的BASiC基本半導(dǎo)體SiC功率器件產(chǎn)品線選型指南 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主...
2025-10-08 標(biāo)簽:功率器件SiC基本半導(dǎo)體 148 0
傾佳電子行業(yè)洞察:中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢與企業(yè)采購策略深度解析
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2025-10-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體 565 0
輕型商用與家用中央空調(diào)PFC架構(gòu)及SiC碳化硅集成的戰(zhàn)略分析報告
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傾佳電子SiC碳化硅功率器件戰(zhàn)略市場精通指南:從業(yè)者進(jìn)階之路
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傾佳電子大功率工業(yè)傳動市場:駕SiC馭碳化硅功率模塊帶來的技術(shù)顛覆
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傾佳電子B3M010C075Z碳化硅MOSFET深度分析:性能基準(zhǔn)與戰(zhàn)略應(yīng)用
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傾佳電子SiC碳化硅賦能儲能產(chǎn)業(yè)大時代:市場分層與基本半導(dǎo)體的戰(zhàn)略價值
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62mm封裝SiC模塊驅(qū)動板BSRD-2503-ES01深度解析:產(chǎn)品力、競爭定位與戰(zhàn)略應(yīng)用
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傾佳電子1400V碳化硅(SiC)MOSFET賦能新一代電力電子系統(tǒng)
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2025-10-11 標(biāo)簽:SiC電力電子系統(tǒng)碳化硅 508 0
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制技術(shù):機(jī)理深度解析與基本半導(dǎo)體系級解決方案
傾佳電子SiC碳化硅MOSFET串?dāng)_抑制技術(shù):機(jī)理深度解析與基本半導(dǎo)體系級解決方案 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)...
傾佳電子:BMF540R12KA3碳化硅SiC模塊全面取代英飛凌FF800R12KE7 IGBT模塊的深度分析報告
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傾佳電子戶用儲能系統(tǒng)架構(gòu)、拓?fù)浼癝iC碳化硅功率器件應(yīng)用深度解析
隨著全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化轉(zhuǎn)型,以光伏為代表的分布式可再生能源滲透率持續(xù)提升,戶用儲能系統(tǒng)作為提升電能質(zhì)量、實現(xiàn)能源自給和優(yōu)化用電成本的關(guān)鍵技術(shù),正迎來快...
傾佳電子62mm碳化硅SiC功率模塊在構(gòu)網(wǎng)型儲能變流器中的變革性價值研究報告
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9月24日至26日,揚杰科技以多款重磅功率器件與系統(tǒng)解決方案,全面呈現(xiàn)我們在SiC、IGBT及先進(jìn)模塊領(lǐng)域的最新突破!我們不僅展示“耐高溫、高可靠性”的...
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