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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件
PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是...
上揚(yáng)軟件助力SiC外延頭部企業(yè)部署CIM系統(tǒng)解決方案
近日,上揚(yáng)軟件正式啟動(dòng)國內(nèi)SiC外延頭部企業(yè)的 CIM系統(tǒng)部署。此次部署的系統(tǒng)基于客戶在生產(chǎn)、工藝、質(zhì)量、設(shè)備等方面的管理需求,定制化部署MES、EAP...
工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)加速跨入碳化硅(SiC)模塊時(shí)代
工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)加速跨入碳化硅(SiC)模塊時(shí)代的核心原因,可歸結(jié)為技術(shù)性能突破、經(jīng)濟(jì)性提升、政策驅(qū)動(dòng)及市場需求增長等多重因素的共同推動(dòng)。以下...
2025-03-26 標(biāo)簽:SiCPCS儲(chǔ)能變流器 729 0
新品 | CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V,TO-247-2封裝
新品CoolSiC肖特基二極管G510-80A2000V,TO-247-2封裝CoolSiC肖特基二極管10-80A2000VG5系列現(xiàn)在也采用TO-2...
在3月17日的超級(jí)e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上,比亞迪發(fā)布了劃時(shí)代超級(jí)e平臺(tái),推出閃充電池、3萬轉(zhuǎn)電機(jī)和全新一代車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片,核心三電全維升級(jí),搭配全球首...
派恩杰半導(dǎo)體1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊 內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性
派恩杰半導(dǎo)體上新 ;1200V 400A系列半橋62mm封裝模塊,內(nèi)置二極管提升高頻應(yīng)用可靠性!
基于碳化硅(SiC)功率模塊的儲(chǔ)能變流器(PCS)成為海外工商儲(chǔ)市場的破局利器
基于基本股份(BASiC)的碳化硅(SiC)功率模塊的儲(chǔ)能變流器(PCS)在海外工商儲(chǔ)市場成為出海破局利器,主要得益于以下多維度優(yōu)勢(shì): --- ### ...
燒結(jié)銀技術(shù)賦能新能源汽車超級(jí)快充與高效驅(qū)動(dòng)
AS9385燒結(jié)銀
2025-03-27 標(biāo)簽:新能源汽車封裝驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 622 0
效率飆升3倍!碳化硅如何改寫儲(chǔ)能市場游戲規(guī)則?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)隨著儲(chǔ)能高速發(fā)展,對(duì)于性能的要求也越來越高。而SiC器件憑借高開關(guān)頻率、低損耗、耐高溫等特性,在儲(chǔ)能功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(PCS)...
比亞迪、華為進(jìn)入前五!SiC逆變器市場,中國供應(yīng)鏈重塑版圖
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 近日,調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢報(bào)告顯示,2024年第四季度全球電動(dòng)汽車逆變器總裝機(jī)量達(dá)到867萬臺(tái),季度增長26%,中...
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
中國電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊
國產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊取代進(jìn)口IGBT模塊,是當(dāng)前電力電子系統(tǒng)創(chuàng)新升級(jí)的核心路徑。這一趨勢(shì)不僅是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,更是政策引導(dǎo)、供應(yīng)鏈安全需求與產(chǎn)業(yè)...
新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板
新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng),導(dǎo)致電網(wǎng)失真,威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此,電...
瑞能半導(dǎo)體邀您相約2025國際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)
致力于打造成中國具影響力的系統(tǒng)設(shè)計(jì)盛會(huì),2025國際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(International IC & Component Exhib...
2025-03-20 標(biāo)簽:集成電路SiC瑞能半導(dǎo)體 833 0
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)
近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的...
利用騰訊ima收藏公眾號(hào)推文構(gòu)建個(gè)人知識(shí)庫,拒絕AI幻覺
專業(yè)領(lǐng)域,使用AI的局限在哪里?2023年ChatGPT橫空出世之際,趙工曾就SiCMOSFET的短路問題和ChatGPT掰頭過,圍觀人達(dá)6000多,當(dāng)...
瑞能半導(dǎo)體榮獲思格新能源“聯(lián)合創(chuàng)新獎(jiǎng)”
日前,全球領(lǐng)先的國際化功率器件品牌瑞能半導(dǎo)體,在思格2025全球供應(yīng)商大會(huì)上榮獲聯(lián)合創(chuàng)新獎(jiǎng)。瑞能半導(dǎo)體總裁沈鑫受邀出席活動(dòng),并登臺(tái)領(lǐng)獎(jiǎng)。
2025-03-20 標(biāo)簽:功率器件SiC瑞能半導(dǎo)體 725 0
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視,碳化硅(SiC)器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能,使其...
當(dāng)新能源汽車的續(xù)航焦慮撞上材料科學(xué)的顛覆性突破,一場由碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體主導(dǎo)的“ 效能革命 ”正悄然改寫行業(yè)規(guī)則,同時(shí)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新已...
2025-03-19 標(biāo)簽:SiC 695 0
比亞迪全新1500V車規(guī)級(jí)SiC功率芯片解讀
2025年3月17日,比亞迪集團(tuán)執(zhí)行副總裁廉玉波正式宣布,比亞迪發(fā)布了其自主研發(fā)的全新一代1500V車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)功率芯片 。這項(xiàng)技術(shù)突破被強(qiáng)調(diào)...
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