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標(biāo)簽 > tdd
TDD是測(cè)試驅(qū)動(dòng)開發(fā)(Test-Driven Development)的英文簡(jiǎn)稱,是敏捷開發(fā)中的一項(xiàng)核心實(shí)踐和技術(shù),也是一種設(shè)計(jì)方法論。TDD的原理是在開發(fā)功能代碼之前,先編寫單元測(cè)試用例代碼,測(cè)試代碼確定需要編寫什么產(chǎn)品代碼。
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01 TDD Noise產(chǎn)生的原因 在GSM TDD(Time-division Duplex)模式下,射頻模塊會(huì)以217Hz的頻率間隔發(fā)射信號(hào),信號(hào)波...
SRS(Sounding Reference Signal,探測(cè)參考信號(hào))信號(hào)是一個(gè)上行信道的探測(cè)信號(hào),我們用它來探測(cè)上行的信道,在實(shí)際中遇到了兩個(gè)需要...
來簡(jiǎn)單談?wù)剷r(shí)下熱門的MIMO技術(shù)
隨著最近一系列科技產(chǎn)品的推出,MIMO這個(gè)詞被人們所逐漸討論起來,因?yàn)榻诘男缕钒l(fā)布廠家都會(huì)在自己的產(chǎn)品中寫上是否支持MIMO天線,是什么類型的MIMO天線等等
應(yīng)用5G TDD網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵傳感器方案
在測(cè)試裝置中具有同步能力的傳感器為VNA提供了一個(gè)經(jīng)濟(jì)的替代方案,同時(shí)還提供了一種監(jiān)測(cè)眾多TDD信號(hào)的定時(shí)、完整性和累積延遲的方法。通過使用在多個(gè)同步或...
貌似已經(jīng)學(xué)完了的傳輸信號(hào)質(zhì)量,又發(fā)現(xiàn)了遺漏之處。那就是在UL MIMO中增加的Time alignment error,時(shí)間對(duì)準(zhǔn)誤差。
一種針對(duì)TDMA/TDD自適應(yīng)調(diào)制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
隨著Internet技術(shù)及移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展,人們對(duì)寬帶移動(dòng)通信系統(tǒng)的需求越來越大,而寬帶移動(dòng)通信系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)之一是自適應(yīng)調(diào)制技術(shù)[1,2],即通過研...
2020-01-31 標(biāo)簽:移動(dòng)通信TDD 2344 0
第五代移動(dòng)通信技術(shù)(5th Generation Mobile Communication Technology,5G)已在我國(guó)大規(guī)模商用,這種大容量、...
技術(shù)宅眼中的4G:別談TDD和FDD的不同,頻率是命根子
一位自稱技術(shù)宅的工程師在看到網(wǎng)上一些不客觀的、帶有很多想象成分的有關(guān)4G兩大制式FDD和TDD的爭(zhēng)論后,于心不忍,所以才決定不得不給一些唯技術(shù)論的同學(xué)們上一課。
在我們常規(guī)的認(rèn)識(shí)里面,射頻無源器件都是線性器件,耦合器的耦合度,濾波器的損耗和衰減,天線的增益等等,我們僅需在功率的dBm格式中加或者減去這些器件的相應(yīng)...
迅遠(yuǎn)P6300超高頻RFID三防平板電腦產(chǎn)品描述
迅遠(yuǎn)P6300超高頻RFID三防平板電腦,采用防水、防塵、防跌落設(shè)計(jì),并搭載了先進(jìn)的超高頻RFID射頻模塊,讀寫距離可達(dá)0~7米。
在我們常規(guī)的認(rèn)識(shí)里面,射頻無源器件都是線性器件,耦合器的耦合度,濾波器的損耗和衰減,天線的增益等等,我們僅需在功率的dBm格式中加或者減去這些器件的相應(yīng)...
在我們常規(guī)的認(rèn)識(shí)里面,射頻無源器件都是線性器件,耦合器的耦合度,濾波器的損耗和衰減,天線的增益等等,我們僅需在功率的dBm格式中加或者減去這些器件的相應(yīng)...
“簡(jiǎn)約而不簡(jiǎn)單”的射頻開關(guān)設(shè)計(jì)
在你拿著手機(jī)打電話或者上網(wǎng)時(shí),你可能不會(huì)想到,在手機(jī)里有種小小的射頻器件,在以每秒鐘近千次的速度快速切換,幫助你享受到高速、低延遲、高清晰度的通信服務(wù)。...
5G時(shí)域時(shí)隙結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析
討論時(shí)隙主要是確定y的值。根據(jù)混合時(shí)隙的概念,時(shí)隙可以以DL 控制開頭以UL 控制結(jié)尾。
高k柵介質(zhì)NMOSFET遠(yuǎn)程聲子散射對(duì)溝道遷移率的影響
器件溝道長(zhǎng)度為1μm,HFO2柵介質(zhì)厚度為4.88nm;SiO2柵介質(zhì)厚度為2nm;P襯底摻雜濃度4E15cm^-3;柵電極為鋁金屬。
基于 Spring Boot + MyBatis Plus + Vue & Element 實(shí)現(xiàn)的后臺(tái)管理系統(tǒng) + 用戶小程序,支持 RBAC ...
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