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tem

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tem技術(shù)

TEM樣品制備中載網(wǎng)的選擇技巧

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透射電子顯微鏡(TEM)作為電子顯微學(xué)中的重要設(shè)備,與掃描電子顯微鏡(SEM)并列,構(gòu)成了現(xiàn)代電子顯微學(xué)的兩大支柱。TEM通過電子束穿透樣品來獲取圖像,...

2024-11-04 標(biāo)簽:顯微鏡TEM 564 0

透射電子顯微鏡(TEM)在鋰電池材料分析中的應(yīng)用技術(shù)

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TEM在鋰電池材料研究中的重要性 透射電子顯微鏡(TEM)作為材料科學(xué)領(lǐng)域的一種強(qiáng)大分析工具,具有原子級(jí)別的空間分辨率,使研究人員能夠深入探討材料的微觀...

2024-10-31 標(biāo)簽:鋰電池TEM透射電子顯微鏡 1.0萬 0

如何使用ChannelExpert在頻域仿真時(shí)模擬溫升及加工損耗的影響?

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對(duì)于高速PCB而言,降低信號(hào)的傳輸損耗對(duì)于保證高速PCB的電氣性能至關(guān)重要。在PCB投板之前,一般通過仿真軟件評(píng)估傳輸線的損耗情況。

2024-03-25 標(biāo)簽:PCB板連接器傳輸線 1142 0

火焰輔助超快速合成功能化碳納米片用于高性能鈉儲(chǔ)存

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硬碳(HC)獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)使其成為鈉離子電池(SIB)極具前景的負(fù)極候選材料。傳統(tǒng)的HC材料面臨著速率和循環(huán)能力差的挑戰(zhàn)。

2024-03-06 標(biāo)簽:DFTTEM傅里葉變換 894 0

詳細(xì)介紹碲鋅鎘襯底的表面處理研究

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碲鋅鎘(CZT)單晶材料作為碲鎘汞(MCT)紅外焦平面探測(cè)器的首選襯底材料,其表面質(zhì)量的優(yōu)劣將直接影響碲鎘汞薄膜材料的晶體質(zhì)量以及成品率,故生產(chǎn)出外延級(jí)...

2024-01-02 標(biāo)簽:TEM拋光機(jī) 1527 0

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC概述(生長(zhǎng)、特性、應(yīng)用)、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡,TEM,SEM/散射光等...

2023-12-28 標(biāo)簽:SEMSiCTEM 4036 0

TEM分析—如何理解孿晶衍射花樣呢?

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孿晶由不同位向的兩部分晶體組成;

2023-12-22 標(biāo)簽:點(diǎn)陣TEM 4467 0

詳解半導(dǎo)體行業(yè)的TEM技術(shù)

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透射電子顯微鏡(TEM)具有卓越的空間分辨率和高靈敏度的元素分析能力,可用于先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)中亞納米尺寸器件特征的計(jì)量和材料表征,比如評(píng)估界面細(xì)節(jié)、器件結(jié)...

2023-12-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體TEM電子顯微鏡 6675 0

一文了解各種常用的微波傳輸線【綜合版】

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定向傳輸微波信號(hào)和微波能量的傳輸線可稱之為微波傳輸線,常用的TEM模傳輸線有同軸線,微帶線,帶狀線和共面波導(dǎo),TE模和TM模傳輸線有矩形波導(dǎo),圓波導(dǎo),橢...

2023-12-07 標(biāo)簽:微波傳輸線TEM 3877 0

無分散劑膠體與硅-納米碳界面工程制備高性能鋰離子電池負(fù)極材料

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高導(dǎo)電性納米材料因其在鋰離子電池中作為穩(wěn)定電極的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。然而,對(duì)它們的分散和與活性物質(zhì)的有效雜交的關(guān)注仍然存在。

2023-12-06 標(biāo)簽:鋰離子電池電解質(zhì)XPS 1195 0

高比能無負(fù)極軟包電池,未來多遠(yuǎn)?

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無負(fù)極鋰金屬電池(AFLMB)具有能量密度高、成本低、裝配工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),是當(dāng)前儲(chǔ)能領(lǐng)域的研究熱點(diǎn),也極具應(yīng)用的潛力。

2023-11-30 標(biāo)簽:電解質(zhì)TEM軟包電池 2069 0

Lewis酸堿和庫侖相互作用的協(xié)同效應(yīng)用于高性能鋅-碘電池

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近年來,中性至微酸性電解質(zhì)的可充水系金屬離子電池因其高安全性、長(zhǎng)循環(huán)壽命、低制造成本、無污染運(yùn)行以及良好的電化學(xué)特性,展現(xiàn)出在大規(guī)模能量存儲(chǔ)領(lǐng)域具有巨大潛力

2023-11-29 標(biāo)簽:離子電池電解質(zhì)TEM 2357 0

失效分析的原因、機(jī)理及其過程介紹

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以IGBT、MOSFET為主的電力電子器件通常具有十分廣泛的應(yīng)用,但廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景也意味著可能會(huì)出現(xiàn)各種各樣令人頭疼的失效情況,進(jìn)而導(dǎo)致機(jī)械設(shè)備發(fā)生故障!

2023-11-24 標(biāo)簽:紅外光譜儀SAM失效分析 5090 0

磁致伸縮材料衍射斑的特點(diǎn)有哪些呢?

當(dāng)材料在外磁場(chǎng)作用下內(nèi)部磁疇的磁化方向與外磁場(chǎng)方向保持一致,使得材料沿外磁場(chǎng)方向伸長(zhǎng)或縮短的現(xiàn)象。

2023-11-21 標(biāo)簽:FFT模擬電子TEM 817 0

如何在透射電鏡下判斷位錯(cuò)類型

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最近收到老師同學(xué)們的許多問題,其中大家最想要了解的問題是“如何在透射電鏡下判斷位錯(cuò)類型(螺位錯(cuò)、刃位錯(cuò)、混合位錯(cuò))”。在此,為了能快速理解并分析,我整理...

2023-11-13 標(biāo)簽:晶體電子束TEM 2610 0

看看STEM模式成像的襯度

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透射電子顯微鏡圖像的襯度來源于樣品對(duì)入射電子束的散射。電子波在穿過樣品時(shí)振幅和相位會(huì)發(fā)生變化,這兩種變化都會(huì)引起圖像襯度。因此,在TEM觀察中對(duì)振幅襯度...

2023-10-10 標(biāo)簽:探測(cè)器計(jì)算機(jī)TEM 1905 0

透射電鏡TEM測(cè)試原理及過程

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透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope, 簡(jiǎn)稱TEM),是一種把經(jīng)加速和聚集的電子束透射到非常薄的樣品上,電子...

2023-08-29 標(biāo)簽:測(cè)試TEM透射電鏡 3300 0

芯片集成的低溫生長(zhǎng)2D PdTe2狄拉克半金屬實(shí)現(xiàn)非制冷中紅外傳感

芯片集成的低溫生長(zhǎng)2D PdTe2狄拉克半金屬實(shí)現(xiàn)非制冷中紅外傳感

非制冷中紅外(MIR)光探測(cè)和成像由于其在天文學(xué)、量子信息、光學(xué)雷達(dá)、醫(yī)學(xué)診斷和工業(yè)檢測(cè)等廣泛應(yīng)用而引起了人們的極大興趣。

2023-08-29 標(biāo)簽:紅外傳感器TEM光電探測(cè)器 920 0

聊一聊射頻設(shè)計(jì)里50歐姆的來龍去脈

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50歐姆對(duì)射頻人來說,是一個(gè)最最最常見的阻抗。司空見慣,以至于見怪不怪。為什么是50 歐姆?30歐姆行不行?100歐姆呢?誰定了這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)?

2023-08-25 標(biāo)簽:濾波器射頻信號(hào)射頻電路 2185 0

什么是模式?波導(dǎo)中的電磁波傳輸模式你了解嗎?

什么是模式?波導(dǎo)中的電磁波傳輸模式你了解嗎?

首先什么是模式,模式就是沒有激勵(lì)源條件下的Maxwell方程的解。

2023-08-23 標(biāo)簽:激光器電磁波電磁場(chǎng) 6718 0

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  • 海思
    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    光立方
    +關(guān)注
    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
  • 光模塊
    光模塊
    +關(guān)注
    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
  • K60
    K60
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  • STM32單片機(jī)
    STM32單片機(jī)
    +關(guān)注
    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    SDK
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  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
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    ESP8266
    +關(guān)注
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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