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標(biāo)簽 > ttl
TTL是 Time To Live的縮寫,該字段指定IP包被路由器丟棄之前允許通過的最大網(wǎng)段數(shù)量。TTL是IPv4包頭的一個(gè)8 bit字段。
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ttl與非門有哪些主要性能參數(shù) TTL與非門的工作原理
TTL與非門(TTL NOT Gate)是一種常用的邏輯門電路,在數(shù)字電子電路中發(fā)揮著很重要的作用。本文將詳細(xì)介紹TTL與非門的主要性能參數(shù)以及工作原理...
本文就CMOS或非門電路和TTL或非門電路的邏輯功能進(jìn)行了詳細(xì)講解。首先介紹了CMOS和TTL兩種電路的基本原理和實(shí)現(xiàn)方式。然后分別從輸入特性、輸出特性...
為什么在MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)中使用三極管容易燒壞?如何解決?
MOS管作為一種常用的開關(guān)元件,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和低功耗等優(yōu)點(diǎn),因此在許多電子設(shè)備中廣泛應(yīng)用。
2024-02-21 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路濾波電容 2397 0
這兩種實(shí)現(xiàn)方式都能夠?qū)崿F(xiàn)異或門的功能,具體的選擇取決于設(shè)計(jì)需求和邏輯門的可用性。實(shí)際構(gòu)建異或門時(shí),可以使用離散電子元件(如晶體管、二極管等)或整合電路芯...
對(duì)于CMOS電路而言,多余的輸入端是不會(huì)影響電路的運(yùn)行的,因?yàn)镃MOS電路使用的是恒定電流源和MOSFET器件,不存在浮置輸入問題。
TTL和CMOS集成電路各有其優(yōu)點(diǎn)和適用場景,因此選擇哪種更好取決于實(shí)際需求和應(yīng)用場景。
AND電路,也被稱為“邏輯與”電路,其邏輯表達(dá)式為“?”。這個(gè)電路的特點(diǎn)是,只有當(dāng)兩個(gè)輸入同時(shí)為1時(shí),才會(huì)輸出1。當(dāng)一個(gè)輸入為0,或者兩個(gè)輸入都為0時(shí),...
TTL串口和RS232串口在電氣特性、信號(hào)電平和應(yīng)用領(lǐng)域上有明顯的區(qū)別,選擇合適的串口標(biāo)準(zhǔn)取決于具體的應(yīng)用場景和設(shè)備之間的通信需求。
2024-01-15 標(biāo)簽:TTL數(shù)字信號(hào)RS232 3984 0
什么是TTL門電路?TTL是一種集成電路,通過使用雙極性晶體管組合來做到具有驅(qū)動(dòng)能力的邏輯輸出。TTL最重要的特性是門的輸入在未連接時(shí)將為邏輯高電平。在...
2023-12-15 標(biāo)簽:集成電路TTL驅(qū)動(dòng) 4330 0
DNS網(wǎng)絡(luò)調(diào)度和緩存規(guī)則解析
域名系統(tǒng)(Domain Name System,DNS)的主要任務(wù)是進(jìn)行主機(jī)名到P地址轉(zhuǎn)換的目錄服務(wù)。
2.1 TTL背景 所謂 TTL, 其實(shí)是 Tera Term Language 的縮寫, 也就是 Tera Term 的專用腳本語言. 那么 Tera...
2023-11-24 標(biāo)簽:自動(dòng)化測試TTL終端 1906 0
客戶面臨著對(duì)待測信號(hào)進(jìn)行復(fù)雜處理以及軍工板卡的TTL信號(hào)間隔測試兩大挑戰(zhàn)。對(duì)待測信號(hào)而言,需要在正向脈沖和負(fù)向脈沖中疊加特定電平的方波干擾,并輸出經(jīng)過處...
教科書上面在講述TTL工作原理時(shí)候,運(yùn)用到了BJT雙極性三極管的基礎(chǔ)知識(shí),比如:倒置,鉗位,深飽和,飽和壓降。這些基礎(chǔ)知識(shí)在教材上并沒有特別明晰的說明。...
雙通道低邊門極驅(qū)動(dòng)芯片BTL2752系列簡介
BTL2752系列是一款雙通道、高速、低邊門極驅(qū)動(dòng)芯片,輸出側(cè)采用軌到軌方式,芯片的兩個(gè)通道可并聯(lián)使用,以增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電流能力;支持兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng):雙路反...
摘要:我在2022年時(shí)設(shè)計(jì)了“邏輯電平測試筆“,針對(duì)常用的3.3V和5V的TTL電平進(jìn)行快速測量,在當(dāng)時(shí)我就決定了做一款”升級(jí)版“。時(shí)間轉(zhuǎn)眼來到了202...
催化劑利用率提高237倍!首次電化學(xué)生長超低負(fù)載鉑納米片超薄電極
為實(shí)現(xiàn)低成本的質(zhì)子交換膜電解槽(PEMECs)綠氫生產(chǎn),迫切需要具有極低催化劑負(fù)載量、高催化劑利用率和易于制造的納米結(jié)構(gòu)催化劑集成電極。
前段時(shí)間寫了幾行代碼,其中有一部分是關(guān)于串口接收的,仿真調(diào)試是沒有問題的,但是下載之后就出問題了,不過問題并沒有出現(xiàn)在代碼上,而是在上位機(jī)發(fā)送的數(shù)據(jù)上,...
亞穩(wěn)態(tài)理論知識(shí) 如何減少亞穩(wěn)態(tài)
亞穩(wěn)態(tài)(Metastability)是由于輸入信號(hào)違反了觸發(fā)器的建立時(shí)間(Setup time)或保持時(shí)間(Hold time)而產(chǎn)生的。建立時(shí)間是指在...
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