摘要：任何通用的RF器件,不論是混頻器、放大器、隔離器或其它器件，其鄰道泄漏比(ACLR)都受器件三階互調(diào)失真(IM3)的影響。可推導(dǎo)出器件的IM3與三階輸出交調(diào)截點(diǎn)(OIP3)之間的關(guān)系。本文介紹了估算ACLR的公式推導(dǎo)，ACLR是IM3的函數(shù)。

ACLR/IMD模型

為了了解RF器件的ACLR來源可以對(duì)寬帶載波頻譜進(jìn)行模擬，相當(dāng)于獨(dú)立的CW副載波集合。每個(gè)副載波都會(huì)攜帶一部分總的載波功率。下圖所示就是這樣一個(gè)模型，連續(xù)RF載波由四個(gè)單獨(dú)的CW副載波模擬，每個(gè)副載波的功率為總載波功率的四分之一。副載波以相同的間隔均勻地分布于整個(gè)載波帶寬內(nèi)。


圖1. 寬帶載波信號(hào)的副載波模型

圖1中的綠線從左到右分別是副載波1、2、3和4。如果我們只考察左邊的兩個(gè)副載波(1和2)，可以考慮RF器件中的任意IMD3失真引起的三階IMD分量。三階失真表現(xiàn)為這兩個(gè)副載波兩側(cè)的低電平副載波，兩個(gè)“綠色”副載波左邊的第一個(gè)“紅色”失真分量是這兩個(gè)副載波的IMD3失真結(jié)果。

來自副載波1和3的IMD3分量在與載波1間距相同的頻率處具有IMD3失真分量。這在載波頻譜的左邊產(chǎn)生第二個(gè)“紅色” IM分量。同樣，來自副載波1和4的IMD3生成的失真分量距離載波邊緣更遠(yuǎn)。

注意這里還存在其它的IMD分量。副載波2和4產(chǎn)生的IM3分量直接疊加在副載波1和2產(chǎn)生的IMD分量上。這一累加效應(yīng)會(huì)使距離RF載波邊緣較近的IMD分量的幅值比距離RF載波邊緣較遠(yuǎn)的IMD分量高，產(chǎn)生ACLR失真頻譜中的“肩”特性。Leffel1發(fā)表的一篇論文詳細(xì)描述了來自多個(gè)副載波的IMD分量的這種累加。

這種方法可以定量地預(yù)測(cè)單獨(dú)的IMD3失真分量的實(shí)際電平。通過增加模型中所使用的單獨(dú)的副載波的數(shù)量可以增加模型的精度2。多個(gè)寬帶載波的ACLR性能與該模型中的ACLR非常像，模型中每個(gè)單獨(dú)的寬帶載波占據(jù)總的寬帶載波帶寬的一部分。在寬帶載波的相鄰部分，鄰近最后一個(gè)載波的單載波的ACLR處于IMD3引起的失真響應(yīng)的高肩位置。這導(dǎo)致多載波情形的ACLR比單載波系統(tǒng)的ACLR差得多。再次說明，這一結(jié)果可以量化后用以精確預(yù)測(cè)單寬帶載波或多寬帶載波的ACLR性能。這種基本方法只通過OIP3參數(shù)來預(yù)測(cè)RF器件的ACLR性能。

基本關(guān)系

器件的三階互調(diào)分量和三階交調(diào)截點(diǎn)之間的關(guān)系如下所示：

IMD3 = (3 x Pm) - (2 x OIP3)

其中，
Pm = 雙音測(cè)試?yán)又械拿總€(gè)單音功率
IMD3 = 三階IM3，以dBm為單位，表示絕對(duì)功率
OIP3 = 三階交調(diào)截點(diǎn)，表示絕對(duì)功率

為了方便，可將該公式重寫為相對(duì)IMD3，即與功率電平(P)有關(guān)的IM3性能。

IMD3 = 2 x (Pm - OIP3)

其中，

Pm = 雙音測(cè)試?yán)又械拿總€(gè)單音功率
IMD3 = 三階IM3，以dBc為單位，表示相對(duì)功率
OIP3 = 三階交調(diào)截點(diǎn)，表示絕對(duì)功率

例1

以總輸出功率(Ptot)為+30dBm，OIP3為+45dBm的功率放大器(PA)為例。這樣一個(gè)PA的相對(duì)IMD3可利用上述公式推導(dǎo)得出。但是，IM3雙音測(cè)試中每個(gè)單音的輸出功率比PA的總輸出功率低3dB，即每個(gè)單音+27dBm。所以利用這些值來計(jì)算該P(yáng)A的IMD3：

Ptot = +30dBm (PA的總輸出功率)
Pm = (+30dBm - 3dB) = +27dBm每個(gè)單音
OIP3 = +45dBm

IMD3 = 2 x (27 - 45) = -36dBc

ACLR與IMD3的關(guān)系

寬帶載波的ACLR通過一個(gè)校正因數(shù)與雙音IMD3性能相關(guān)。該校正的存在是由于IMD3性能造成了ACLR性能惡化。這種惡化來源于由擴(kuò)頻載波的頻譜密度組成的各種互調(diào)分量的影響。ACLR與IMD3的有效關(guān)系如下所示：

ACLRn = IMD3 + Cn

其中Cn如下表所示：

No. of Carriers	1	2	3	4	9
Correction Cn (dB)	+3	+9	+11	+12	+13

我們可以將IMD3和ACLRn的上述關(guān)系式合并為一個(gè)統(tǒng)一的表達(dá)式，由RF器件的基本性能參數(shù)來推導(dǎo)多個(gè)擴(kuò)頻載波的ACLR。

ACLRn = (2 x [(P - 3) - (OIP3)]) + (Cn)

其中，

Ptot = 所有載波的總輸出功率，以dBm為單位
OIP3 = 器件的OIP3，以dBm為單位
ACLRn = "n"載波的ACLR，以dBc為單位
Cn = 上述表中的值

例2

重復(fù)上述例子，現(xiàn)假設(shè)功率放大器必須產(chǎn)生四個(gè)載波，功率均為250mW，總輸出功率為1W。

P/載波 = +24dBm
Ptot = +30dBm，總功率
OIP3 = +45dBm

ACLRn = 2 x ((30 - 3) - (45)) + 12
ACLRn = -36dBc + 12dB
ACLRn = -24dBc

重新整理該公式可推導(dǎo)出要得到期望的ACLR所需的OIP3。重新改寫后的公式如下：

OIP3 = 0.5 x ([2 x (P - 3)] - [ACLRn] + [Cn])

其中，

P = 所有載波的總輸出功率，以dBm為單位
OIP3 = 器件的OIP3，以dBm為單位
ACLRn = "n"載波的ACLR，以dBc為單位
Cn = 上述表中的值

例3

重復(fù)上述例子，現(xiàn)假設(shè)該功率放大器的四載波ACLR期望值是-50dBc。

P/載波 = +24dBm
Ptot = +30dBm，總功率
ACLRn = -50dBc

OIP3 = 0.5 x ([2 x (30 - 3)] - [-45] + [12])
OIP3 = +55.5dBm

結(jié)論

通用RF器件的載波功率電平、OIP3指標(biāo)和單載波/多載波ACLR性能之間的關(guān)系已推導(dǎo)得出。該關(guān)系適用于性能受三階失真分量影響的RF器件。包括許多通用的RF器件，但是驅(qū)動(dòng)不能太接近飽和電平。通過觀察，該模型對(duì)ACLR的預(yù)測(cè)精度接近±2dB。