蜂窩發(fā)射模塊對(duì)手機(jī)內(nèi)的任何元件來說都將產(chǎn)生最大的輻射功率，從而可能誘發(fā)EMI和RFI。類似這樣的問題可以采用RF屏蔽技術(shù)來降低與EMI及射頻干擾(RFI)相關(guān)的輻射，并可將對(duì)外部磁場(chǎng)的敏感度降至最低。那么，什么樣的屏蔽設(shè)計(jì)方法具有最佳效率呢？這個(gè)由三部分組成的系列文章圍繞當(dāng)今蜂窩發(fā)射模塊來討論有效的RF屏蔽方法。

近年來，手機(jī)在形態(tài)、功能、性能和成本方面都發(fā)生了巨大變化。不斷演進(jìn)的新技術(shù)催生出更小、更高能效和高度集成的半導(dǎo)體器件，從而不斷孕育出集成度更高的便攜(移動(dòng))手機(jī)產(chǎn)品。運(yùn)營商在提供額外的諸如短信服務(wù)(SMS)、多媒體(MMS)和GPS等服務(wù)，而制造商為移動(dòng)蜂窩手機(jī)增加了諸如FM射頻等輔助無線功能、以及MP3播放機(jī)和數(shù)碼照相機(jī)等其它功能。實(shí)現(xiàn)全部這些特性所要求的外形和體積對(duì)手機(jī)設(shè)計(jì)師和硬件工程師提出了相當(dāng)挑戰(zhàn)。

因此，工作在印刷線路板(PCB)級(jí)的手機(jī)設(shè)計(jì)師遭遇到諸如集成器件間的耦合、線耦合和交叉干擾等不期望發(fā)生的核心問題。而所有這些問題又導(dǎo)致了更多的設(shè)計(jì)返工、手機(jī)外形間缺少通用性以及被延長的設(shè)計(jì)周期，而上述這些又都增加了手機(jī)開發(fā)成本。在當(dāng)今競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)壓力條件下，這些因素對(duì)移動(dòng)手機(jī)制造商和研制它們的設(shè)計(jì)師的成功來說，發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

?

?

在手機(jī)設(shè)計(jì)早期就確認(rèn)可有助于解決這些核心問題的一個(gè)領(lǐng)域是廣為采用的屏蔽。屏蔽減小了電磁干擾(EMI)和射頻干擾(RFI)、極大削弱了不希望的輻射、緩解了它引發(fā)的災(zāi)難。目前，屏蔽與RF頻率如影隨形，因全部RF通信標(biāo)準(zhǔn)都有某種要求把不期望輻射最小化的規(guī)定。

屏蔽的效能由它在一個(gè)寬的頻譜范圍內(nèi)，能多大程度上衰減輻射信號(hào)來表征。例如，一個(gè)帶活動(dòng)蓋的金屬“容器”可構(gòu)成一個(gè)屏蔽，或容器本身可直接固焊在PCB上。采用蓋結(jié)構(gòu)對(duì)調(diào)節(jié)很有用，所以常被用在電視調(diào)諧器等應(yīng)用，但該屏蔽的效能高度依賴蓋和容器間的電氣連接。它以RF屏蔽所根據(jù)的基本概念為基礎(chǔ)：時(shí)變電磁場(chǎng)(EM)會(huì)在導(dǎo)體內(nèi)環(huán)繞場(chǎng)線感應(yīng)出電流。所以，完美導(dǎo)體內(nèi)的感應(yīng)電流會(huì)產(chǎn)生一個(gè)與誘發(fā)場(chǎng)相反的EM場(chǎng)，從而使導(dǎo)體內(nèi)的場(chǎng)線抵消。因此，屏蔽上過多的孔洞、槽溝和開口會(huì)降低屏蔽效能，這是因感應(yīng)電流只能在導(dǎo)體上存在自由電子的部位流動(dòng)。導(dǎo)體(容器)上的開口意味著該處沒有自由電子，它會(huì)導(dǎo)致電流尋找沿著開口處的其它途徑流動(dòng)，從而使感應(yīng)場(chǎng)無法完全抵消誘發(fā)場(chǎng)。表皮深度是另一個(gè)重要因素，它由EM波穿透?jìng)鲗?dǎo)膜的能力決定。特別是當(dāng)?shù)皖l具有特別重要性時(shí)，為有效屏蔽輻射的RF信號(hào)，會(huì)需要一個(gè)更厚的膜。

本討論中，與屏蔽相關(guān)的重點(diǎn)將圍繞當(dāng)今手機(jī)設(shè)計(jì)中一個(gè)通用的RF半導(dǎo)體元件——蜂窩發(fā)射模塊(TxM)展開。簡言之，TxM是由在一種類似PCB的基板上固放上裸片和無源器件構(gòu)成的。然后將該組件進(jìn)行包注模(overmolded)處理，之后它就可被固焊在手機(jī)PCB上。因它對(duì)手機(jī)內(nèi)的任何元件來說都產(chǎn)生最大的輻射功率，進(jìn)而極有可能誘發(fā)EMI和RFI，所以該例子特別有用。另外，整體上，TxM與矩形波導(dǎo)的尺度類似，根據(jù)Pozar[1]，矩形波導(dǎo)的截至頻率為：

......1

其中，“m”和“n”代表模式，“μ”和“e”分別代表滲透率和介電常數(shù)，等式1表示：若尺寸“a”大于“b”，則主導(dǎo)模式是TE10。因此，等式1重寫為：

......2

其中：“c”是光速；“E1”代表相對(duì)介電常數(shù)；“μr”是相對(duì)滲透率；“a”是開口。

等式2指出，如我們預(yù)期的，截至頻率隨開口“a”尺寸的縮小而增加。當(dāng)屏蔽上有若干開口時(shí)，方程式會(huì)變得更復(fù)雜，從而進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)了完全沒有開口的重要性。

金屬屏蔽容器繼續(xù)被用來從外部對(duì)TxM和手機(jī)的RF部分實(shí)施屏蔽；但最近有一種在TxM內(nèi)部進(jìn)行嵌入式屏蔽的趨勢(shì)。僅就TxM屏蔽來說，已開發(fā)出若干對(duì)TxM進(jìn)行屏蔽的方法。方法之一是采用一個(gè)簡單金屬容器構(gòu)成的嵌入式屏蔽，但該方法要求在容器上開多個(gè)孔以允許注模填料(mold compound)容易地流灌整個(gè)模塊，這是模塊化組裝所必需的。但根據(jù)本文前述的波導(dǎo)理論，屏蔽效能不僅與屏蔽上開口尺寸也與開口數(shù)有關(guān)，開孔越大、數(shù)越多則效能降低得越厲害。

RFMD開發(fā)出一種已申請(qǐng)了專利的MicroShield集成RF屏蔽替代技術(shù)。該集成屏蔽把在一個(gè)封裝好的半導(dǎo)體注模填料的外部再包裹上一層薄金屬作為整個(gè)組裝工藝的最后步驟。采用這種技術(shù)實(shí)現(xiàn)的屏蔽對(duì)模組高度的影響微乎其微且在降低EMI和RFI輻射的生產(chǎn)中可重復(fù)進(jìn)行。

為確證MicroShield技術(shù)的超卓能效，在一個(gè)測(cè)試載體上，采用RF3178 TxM對(duì)輻射進(jìn)行了測(cè)試(圖1)。

?

?

圖1、實(shí)用的高性能RFID接收器架構(gòu)