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電子發(fā)燒友網(wǎng)>RF/無(wú)線>老品牌企業(yè)復(fù)興 硅基GaN技術(shù)的應(yīng)用

老品牌企業(yè)復(fù)興 硅基GaN技術(shù)的應(yīng)用

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2022-11-07 06:26:02

GaN HEMT可靠性測(cè)試:為什么業(yè)界無(wú)法就一種測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成共識(shí)

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GaNLED等ESD敏感器件的靜電防護(hù)技術(shù)(一)

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GaNLED等ESD敏感器件的靜電防護(hù)技術(shù)(三)

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2019-06-25 07:41:00

GaNMOSFET提供的主要優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

,幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而,近年來(lái),這些已取得的進(jìn)步開(kāi)始逐漸弱化,為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵(GaN)引人注目
2022-11-14 07:01:09

GaN功率集成電路技術(shù)指南

GaN功率集成電路技術(shù):過(guò)去,現(xiàn)在和未來(lái)
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GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備

的應(yīng)用做好準(zhǔn)備。要使數(shù)字電源控制為GaN的應(yīng)用做好準(zhǔn)備,它需要針對(duì)更高開(kāi)關(guān)頻率、更窄占空比和精密死區(qū)時(shí)間控制的時(shí)分辨率、采樣分辨率和計(jì)算能力。圖1和圖2顯示的是一個(gè) (Si) MOSFET和一個(gè)GaN
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GaN是如何轉(zhuǎn)換射頻能量及其在烹飪中的應(yīng)用【1】

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2017-04-05 10:50:35

GaN是如何轉(zhuǎn)換射頻能量及其在烹飪中的應(yīng)用【6】

方向、提升了效率,以及具有更小的外形尺寸等優(yōu)點(diǎn)。除開(kāi)在烹飪的應(yīng)用,讓我們一起看看GaN技術(shù)的其他應(yīng)用以及MACOMGaN 技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)吧!其他應(yīng)用除了烹飪行業(yè)之外,固態(tài)射頻能量器件也將在工業(yè)干燥
2017-05-01 15:47:21

GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破

為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),相比LDMOS技術(shù)而言,GaN這一材料技術(shù),大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值,表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值, 技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1, GaN最高,為324。而GaAs,約翰遜優(yōu)值為1.44??隙ǖ卣f(shuō),GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破?! ?/div>
2019-06-26 06:14:34

復(fù)興高壓試驗(yàn)設(shè)備行業(yè)的三大法寶淺析

負(fù)責(zé)人認(rèn)為:深化企業(yè)改革,推進(jìn)機(jī)制創(chuàng)新,通過(guò)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整和加強(qiáng)技術(shù)投入,推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新,才是復(fù)興高壓試驗(yàn)設(shè)備行業(yè)的法寶。 優(yōu)勝劣汰是市場(chǎng)發(fā)展的大趨勢(shì),為了適應(yīng)市場(chǎng)發(fā)展,除舊革新是必要的,具有實(shí)力、經(jīng)營(yíng)
2013-08-13 15:02:14

GaN產(chǎn)品引領(lǐng)行業(yè)趨勢(shì)

都能方便地溝通、交易、旅行、獲取信息和參與娛樂(lè)活動(dòng)。其技術(shù)提高了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無(wú)法想象的巨大通信量。與很多公司的氮化鎵采用碳化硅(SiC)做襯底
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光電子集成芯片

光電子集成芯片,摩爾定律:摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來(lái)的。其內(nèi)容為:當(dāng)價(jià)格不變時(shí),集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18-24個(gè)月
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氮化鎵與LDMOS相比有什么優(yōu)勢(shì)?

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2019-09-02 07:16:34

氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

?是提高性能和降低價(jià)值。襯底倒裝波LED芯片,效率會(huì)更高、工藝會(huì)更好。6英寸襯底上氮化鎵大功率LED研發(fā),有望降低成本50%以上。 目前已開(kāi)發(fā)出6寸襯底氮化鎵LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù),光效
2014-01-24 16:08:55

熱敏電阻與MCU結(jié)合有什么優(yōu)勢(shì)?

熱敏電阻與MCU結(jié)合的優(yōu)勢(shì)NTC和PTC熱敏電阻的優(yōu)缺點(diǎn)
2021-03-09 06:56:43

的量子器件和納米器件

,特別是近年來(lái)碳納米管的發(fā)展令人注目,在速度、集成度、特別是功耗方面都將有重大突破,但離開(kāi)實(shí)際應(yīng)用可能比量子器件要更遠(yuǎn)一些。原文見(jiàn)王陽(yáng)元院士在“納米CMOS器件”書(shū)中寫(xiě)的序(2004年1月科學(xué)出版社出版)。 :
2018-08-24 16:30:27

光子技術(shù)

光子集成電路(PIC)是一項(xiàng)新興技術(shù),它基于晶態(tài)半導(dǎo)體晶圓集成有源和無(wú)源光子電路與單個(gè)微芯片上的電子元件。光子是實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展性、低成本優(yōu)勢(shì)和功能集成性的首選平臺(tái)。采用該技術(shù),輔以必要的專業(yè)知識(shí),可
2017-11-02 10:25:07

光芯片的優(yōu)勢(shì)/市場(chǎng)定位及行業(yè)痛點(diǎn)

近幾年,光芯片被廣為提及,從概念到產(chǎn)品,它的發(fā)展速度讓人驚嘆。光芯片作為光子技術(shù)中的一種,有著非??捎^的前景,尤其是在5G商用來(lái)臨之際,企業(yè)紛紛加大投入,搶占市場(chǎng)先機(jī)。光芯片的前景真的像人們
2020-11-04 07:49:15

代原創(chuàng):代看企業(yè)管理的“木桶理論”

使企業(yè)效益獲得提升。 所謂“金無(wú)足赤,人無(wú)完人”,沒(méi)有任何一個(gè)木桶是嚴(yán)絲合縫的,在企業(yè)中也是一樣,管理弊病難免存在。那么是否需要時(shí)刻關(guān)注并排除這些漏洞呢?代認(rèn)為,并不盡然。 在進(jìn)水量等于或小于出水量
2016-03-15 14:30:38

CGHV96100F2氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管

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2020-12-03 11:49:15

GaAs和GaN寬帶功率放大器電路設(shè)計(jì)考慮因素

,因此在寬帶應(yīng)用中的使用并不廣泛。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28 V至50 V,擁有低損耗、高熱傳導(dǎo)基板(如碳化硅,SiC),開(kāi)啟了一系列全新的可能應(yīng)用。如今,GaN技術(shù)局限于6 GHz以下
2018-10-17 10:35:37

MACOM射頻功率產(chǎn)品概覽

MACOM六十多年的技術(shù)傳承,運(yùn)用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù),提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32

MACOM:GaN在無(wú)線基站中的應(yīng)用

。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過(guò)高,但是MACOM公司的最新的第四代氮化鎵技術(shù)(MACOM GaN)使得二者成本結(jié)構(gòu)趨于相當(dāng)?;诘壍腗AGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37

MACOM:GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)

左右,目前已經(jīng)是第四代產(chǎn)品。MACOM總裁兼CEO John Croteau在財(cái)報(bào)會(huì)中透露,2016年第四季度已經(jīng)完成了Gen4 GaN的資質(zhì)認(rèn)證,接到兩個(gè)主流LTE頻段的基站 OEM廠商的訂單。
2017-05-23 18:40:45

MACOM:氮化鎵器件成本優(yōu)勢(shì)

,尤其是2010年以后,MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng),如今的MACOM擁有包括氮化鎵(GaN)、鍺(SiGe)、磷化銦(InP)、CMOS、砷化鎵等技術(shù),共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41

MACOM:適用于5G的半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN

GaN)那么,問(wèn)題來(lái)了,怎么解決高昂的價(jià)格?首先,先了解下什么是氮化鎵,與器件相比,由于氮化鎵的晶體具備更強(qiáng)的化學(xué)鍵,因此它可以承受比器件高出很多倍的電場(chǎng)而不會(huì)崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20

PMP21440提供GaN與SI使用情況的對(duì)比研究

描述該參考設(shè)計(jì)為客戶提供有關(guān)電源設(shè)計(jì)中 GaN 與 SI 使用情況的對(duì)比研究。該特定的設(shè)計(jì)使用 TPS40400 控制器來(lái)驅(qū)動(dòng) CSD87381(對(duì)于電源)和采用 EPC2111
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TI全集成式原型機(jī)助力GaN技術(shù)推廣應(yīng)用

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TI助力GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用

作者: Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中,一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢(shì)以及如何應(yīng)對(duì)未來(lái)挑戰(zhàn)等問(wèn)題。相較于以往使用的晶體管,氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》在上生長(zhǎng)的 InGaN 激光二極管的腔鏡的晶圓制造

`書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:在上生長(zhǎng)的 InGaN 激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號(hào):JFSJ-21-034作者:炬豐科技 摘要:在 (Si) 上生長(zhǎng)的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵發(fā)展技術(shù)

,GaN-on-Si 將實(shí)現(xiàn)成本結(jié)構(gòu)和使用現(xiàn)有大直徑晶圓廠的能力,這將是一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)。由于是一種導(dǎo)電基板,因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來(lái)了額外的挑戰(zhàn)。第一個(gè)具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20

【高新技術(shù)企業(yè) 】招聘【品牌經(jīng)理(marketing communication)】

高新技術(shù)企業(yè)(多點(diǎn)電容觸控ic及解決方案企業(yè))招聘品牌經(jīng)理(marketing communication),地點(diǎn)深圳福田,本科以上學(xué)歷,三年以上品牌推廣經(jīng)驗(yàn),半導(dǎo)體/電子行業(yè)優(yōu)先,年薪面議,歡迎
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不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別?

認(rèn)為,畢竟,GaN比一般材料有高10倍的功率密度,而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗),更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出,這就是GaN,無(wú)論是在、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了!至少現(xiàn)在看是這樣,讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN之間有什么區(qū)別?
2019-07-31 07:54:41

為什么GaN會(huì)在射頻應(yīng)用中脫穎而出?

方形,通過(guò)兩個(gè)晶格常數(shù)(圖中標(biāo)記為a 和c)來(lái)表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域,GaN 通常是高溫下(約為1,100°C)在異質(zhì)基板(射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC],電源電子應(yīng)用中為[Si])上通過(guò)
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為什么使用氮化鎵?

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為什么氮化鎵(GaN)很重要?

氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

為什么要用GaN技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)5G通信看了就知道

為何要用GaN技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)5G通信?
2020-12-29 07:30:12

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2020-11-27 16:30:52

傳統(tǒng)的組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

應(yīng)用領(lǐng)域,SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)
2021-09-23 15:02:11

利用GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)5G移動(dòng)通信:為成功奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)

基礎(chǔ)設(shè)施和移動(dòng)電話則需要更小巧、更低成本的超模壓塑料封裝,才可與采用塑料封裝的現(xiàn)有LDMOS 或GaAs 器件競(jìng)爭(zhēng)。同樣,移動(dòng)電話注重低成本模塊,包括與其他技術(shù)組合的GaN,其與目前的產(chǎn)品并無(wú)二致,但也
2017-07-28 19:38:38

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核心技術(shù)主要體現(xiàn)在三個(gè)方面:1、電壓水平海公司電壓設(shè)計(jì)制造水平為400-6500V,在行業(yè)內(nèi)排前5位,研發(fā)能力很強(qiáng)。具備進(jìn)一步研發(fā)8500V的能力。2、電流水平海公司電流設(shè)計(jì)制造水平為
2014-02-28 09:29:39

可控及組件-廠家介紹

可控及組件-廠家介紹 (企業(yè)簡(jiǎn)介)一、企業(yè)簡(jiǎn)介襄陽(yáng)海電力電子有限責(zé)任公司位于國(guó)家級(jí)高新區(qū)—襄陽(yáng)高新區(qū)。襄陽(yáng)歷史悠久,人杰地靈,是電力半導(dǎo)體發(fā)展勝地。公司注冊(cè)資金2000萬(wàn),擁有50畝地現(xiàn)代化廠區(qū)
2013-09-22 09:51:41

圖形藍(lán)寶石襯底GaN發(fā)光二極管的研制

)藍(lán)寶石制作圖形藍(lán)寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進(jìn)行MOCVD制作GaN發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進(jìn)行芯片制造和測(cè)試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16

GaN解決方案門(mén)戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合

的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級(jí),設(shè)計(jì)師可以在單級(jí)中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加,同時(shí)提高了可靠性。與
2019-07-29 04:45:02

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計(jì)和損耗分析

目前傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限, 即使采用最新的器件和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)?,效率在開(kāi)關(guān)頻率超過(guò) 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT(gallium
2023-09-18 07:27:50

基于GaN的開(kāi)關(guān)器件

在過(guò)去的十多年里,行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè),基于氮化鎵(GaN)功率開(kāi)關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。與應(yīng)用廣泛的MOSFET功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30

基于Si襯底的功率型GaNLED制造技術(shù),看完你就懂了

請(qǐng)大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaNLED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23

基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設(shè)計(jì)

氮化鎵(GaN)- 寬帶隙(WBG)材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管,代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與晶體管相比,功率密度更高
2023-09-07 07:43:51

基于德州儀器GaN產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高功率密度

,但經(jīng)過(guò)多年的研究、實(shí)際驗(yàn)證和 可靠性測(cè)試,GaN定會(huì)成為解決功率密度問(wèn)題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于材料的工作溫度和電壓下,對(duì)GaN裝置進(jìn)行了2000萬(wàn)小時(shí)的加速可靠性測(cè)試。在此測(cè)試時(shí)間內(nèi),遠(yuǎn)程
2019-03-01 09:52:45

增強(qiáng)型GaN功率晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程風(fēng)險(xiǎn)的解決辦法

氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的技術(shù)強(qiáng)固,因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用,集成正確的門(mén)極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問(wèn)題,給出一個(gè)驅(qū)動(dòng)器方案,解決設(shè)計(jì)過(guò)程的風(fēng)險(xiǎn)。
2020-10-28 06:59:27

如何利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性

與碳化硅 (SiC)FET 和FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益,可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50

如何去提高鋰離子電池負(fù)極循環(huán)性能?

如何去提高鋰離子電池負(fù)極循環(huán)性能?
2021-05-13 06:02:45

如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設(shè)計(jì)?

作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù),氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對(duì)于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來(lái)說(shuō),在知曉了非線性GaN模型的基本概念(非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26

實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視的必要性討論

頻率和更高功率密度的開(kāi)發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù),由于其相對(duì)于材料所具有的優(yōu)勢(shì),這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中,我們將比
2019-07-12 12:56:17

實(shí)現(xiàn)快速充電系統(tǒng)的GaN技術(shù)介紹

GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速充電系統(tǒng)
2023-06-19 06:20:57

對(duì)于手機(jī)來(lái)說(shuō)射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題?

氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng),因?yàn)轭l率越高,氮化鎵的優(yōu)勢(shì)越明顯。那對(duì)于手機(jī)來(lái)說(shuō)射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢?
2019-07-31 06:53:15

射頻GaN技術(shù)正在走向主流應(yīng)用

`網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施與反導(dǎo)雷達(dá)等領(lǐng)域都要求使用高性能高功率密度的射頻器件,這使得市場(chǎng)對(duì)于射頻氮化鎵(GaN)器件的需求不斷升溫。舉個(gè)例子,現(xiàn)在的無(wú)線基站里面,已經(jīng)開(kāi)始用氮化鎵器件取代射頻器件,在
2016-08-30 16:39:28

應(yīng)用GaN技術(shù)克服無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施容量挑戰(zhàn)

來(lái)看,基站功率放大器主要采用基于的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)。然而,越來(lái)越苛刻的要求逐漸暴露出LDMOS的局限性,并導(dǎo)致眾多供應(yīng)商在高功率基站功率放大器技術(shù)方面轉(zhuǎn)向了氮化鎵(GaN
2018-12-05 15:18:26

我國(guó)半導(dǎo)體照明技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程及未來(lái)展望

自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的功率型LED芯片產(chǎn)業(yè)化光效超過(guò)140流明/瓦,GaN同質(zhì)襯底白光LED技術(shù)進(jìn)展顯著,采用GaN/Al2O3復(fù)合襯底同質(zhì)外延技術(shù)制備的高亮度LED光效超過(guò)130 lm/W;深紫外LED發(fā)光
2016-03-03 16:44:05

報(bào)名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)

`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55

探討一下天嵌入式MPP圖像處理技術(shù)

嵌入式MPP圖像處理技術(shù)有哪些功能?天嵌入式MPP圖像處理技術(shù)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-02 06:14:12

氣流和壓力傳感器使用在哪些醫(yī)療應(yīng)用?

正如每種醫(yī)療過(guò)程的背后都有著一門(mén)真正的科學(xué),在確定用于輔助疾病的診斷和治療的復(fù)雜醫(yī)療設(shè)備中的氣流和壓力傳感器的背后也存在著一門(mén)科學(xué)。三種使用氣流和壓力傳感器的醫(yī)療應(yīng)用是:麻醉機(jī)、睡眠呼吸機(jī)和醫(yī)院診斷設(shè)備。
2019-11-06 08:00:23

氮化鎵GaN技術(shù)助力電源管理革新

能源并占用更小空間,所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年,電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源,而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25

氮化鎵GaN接替支持高能效高頻電源設(shè)計(jì)方案

在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開(kāi)關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來(lái)提供方案。
2020-10-28 06:01:23

氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代芯片嗎?

的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)晶體管有兩種類型的損耗:傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。 功率晶體管是開(kāi)關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失,GaN 晶體管(取代舊的技術(shù))的開(kāi)發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注
2023-08-21 17:06:18

用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN 晶體管

和高頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。WBG 材料以其優(yōu)異的電學(xué)特性,如 GaN 和碳化硅(SiC) ,克服了高頻電子器件的局限性。更重要的是,WBG 半導(dǎo)體可用于可擴(kuò)展的汽車電氣系統(tǒng)和電動(dòng)汽車(電動(dòng)汽車
2022-06-15 11:43:25

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

%的產(chǎn)品輸出功率集中在10W~100W之間,最大功率達(dá)到1500W(工作頻率在1.0-1.1GHz,由Qorvo生產(chǎn)),采用的技術(shù)主要是GaN/SiC GaN路線。此外,部分企業(yè)提供GaN射頻模組產(chǎn)品,目前
2019-04-13 22:28:48

第三代半導(dǎo)體氮化鎵GaN技術(shù)給機(jī)器人等應(yīng)用帶來(lái)什么樣的革新

,這對(duì)于很多高壓應(yīng)用都是一項(xiàng)顯著的優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然,一項(xiàng)已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會(huì)一夜之間被取代,但經(jīng)過(guò)多年的研究、實(shí)際驗(yàn)證和 可靠性測(cè)試,GaN定會(huì)成為解決功率密度問(wèn)題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于材料
2020-10-27 10:11:29

維安WAYON從原理到實(shí)例GaN為何值得期待由一級(jí)代理分銷光與電子

[size=0.19]維安WAYON從原理到實(shí)例:GaN為何值得期待?(WAYON維安一級(jí)代理分銷KOYUELEC光與電子提供原廠技術(shù)支持)功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要指能夠
2021-12-01 13:33:21

芯片解密是IT發(fā)展必備技術(shù)手段

不盡然,即便是電子行業(yè)中的后起之秀不斷涌現(xiàn),只要順應(yīng)時(shí)代發(fā)展進(jìn)行自身內(nèi)部的改變,品牌還是可以屹立不倒。芯片解密助企業(yè)加快內(nèi)部的技術(shù)改變。 芯片解密是一種反向研究技術(shù),相對(duì)芯片加密而言,芯片開(kāi)發(fā)者
2017-06-17 14:09:31

請(qǐng)問(wèn)GaN器件和AMO技術(shù)能否實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬?

請(qǐng)問(wèn)一下GaN器件和AMO技術(shù)能實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎?
2021-04-19 09:22:09

適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)

  本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34

非線性模型如何幫助進(jìn)行GaN PA設(shè)計(jì)?

未轉(zhuǎn)換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散(除非晶體管的效率為100%)?!?因此,GaN 晶體管變得非常熱,熱管理成為重要的設(shè)計(jì)考慮因素。幸運(yùn)的是,碳化硅氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07

NPA1006A是一款針對(duì) 20 - 1000 MHz 運(yùn)行優(yōu)化的 GaN 放大器

NPA1006AGaN 放大器 28 V,12.5 W 20 - 1000 MHzNPA1006A 是一款針對(duì) 20 - 1000 MHz 運(yùn)行優(yōu)化的 GaN 放大器。該放大器專為飽和和線性運(yùn)行
2022-12-08 12:10:47

NPT2020 氮化鎵晶體管

NPT2020PT2020 是一款 48 V 氮化鎵晶體管,工作頻率為 DC 至 3.5 GHz,功率為 50 W,增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝,面向軍事和大批量商業(yè)市場(chǎng)。 
2023-04-14 15:39:35

MAPC-A1508 碳化?? GaN HEMT D 型放大器

  MAPC-A1508GaN 放大器 50 V,700 W 900 - 930 MHzMAPC-A1508 是一款碳化?? GaN HEMT D 型放大器,適用于 900
2023-04-23 13:18:27

MAPC-A2021 碳化?? GaN HEMT D 型放大器

  MAPC-A2021GaN 放大器 32 V,8 W 1.8 - 2.7 GHz - MACOM PURE CARBIDEMAPC-A2021 是一款碳化?? GaN
2023-04-23 14:59:32

國(guó)鐵復(fù)興聯(lián)合Rokid發(fā)布復(fù)興號(hào)AI音箱,可語(yǔ)音查詢高鐵信息

國(guó)鐵復(fù)興聯(lián)合Rokid發(fā)布復(fù)興號(hào)AI音箱,該款智能音箱搭載了 YodaOS,提供全棧語(yǔ)音技術(shù),可語(yǔ)音查詢高鐵信息。
2019-08-29 12:34:001771

GaN 技術(shù)的過(guò)去和現(xiàn)在

GaN 技術(shù)的過(guò)去和現(xiàn)在
2023-12-06 18:21:00432

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