性能卓越的低噪聲寬帶放大器,為工程師們提供了出色的解決方案。今天,我們就來(lái)深入了解一下這款放大器。 文件下載: HMC8411.pdf 一、產(chǎn)品概述 HMC8411LP2FE是一款采用砷化鎵(GaAs)技術(shù)的單片微波集成電路(MMIC),基于贗配高電子遷移率晶體管(pHEMT)設(shè)計(jì),工作頻率范圍
2026-01-05 17:00:06
43 深入探討一款由Analog Devices推出的HMC1040CHIPS,它是一款工作在20 GHz至44 GHz頻段的砷化鎵(GaAs)、贗配高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單片微波集成電路
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23 直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。今天,我要和大家分享一款高性能的LNA——HMC903LP3E,這是一款采用砷化鎵(GaAs)、偽omorphic高電子遷移率晶體管(pHEMT)技術(shù)的單片微波集成電路
2026-01-04 17:00:06
198 E是一款采用砷化鎵(GaAs)、贗配高電子遷移率晶體管(pHEMT)技術(shù)的單片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器。它采用3mm×3mm、16引腳
2026-01-04 16:55:02
202 的單片微波集成電路(MMIC)低噪聲寬帶放大器。它采用了無(wú)鉛的 4mm×4mm 引線框架芯片級(jí)封裝(LFCSP),這種封裝形式不僅體
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57 深入解析HMC566LP4E:28 - 36 GHz低噪聲放大器的卓越之選 在當(dāng)今的高頻通信和測(cè)試領(lǐng)域,低噪聲放大器(LNA)的性能對(duì)系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討一款在
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56 探索HMC566LP4E:28 - 36 GHz低噪聲放大器的卓越性能與應(yīng)用 在射頻和微波領(lǐng)域,低噪聲放大器(LNA)是至關(guān)重要的組件,它能夠在放大信號(hào)的同時(shí)盡可能減少噪聲的引入。今天,我們將
2026-01-04 13:40:05
54 、HMC564LC4簡(jiǎn)介 HMC564LC4是一款采用GaAs pHEMT(砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管)技術(shù)的單片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器
2026-01-04 11:20:15
186 深入解析HMC490LP5(E)低噪聲放大器:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子工程的微波通信領(lǐng)域,低噪聲放大器(LNA)是至關(guān)重要的組件,它直接影響著接收系統(tǒng)的靈敏度和性能。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討一款
2026-01-04 10:30:05
78 探索HMC463LP5 / 463LP5E:高性能低噪聲AGC放大器 在電子工程領(lǐng)域,放大器是不可或缺的重要組件,尤其是在高頻、低噪聲的應(yīng)用場(chǎng)景中。今天,我們將深入探討一款備受關(guān)注的放大器
2026-01-04 10:05:05
79 景 HMC462LP5/HMC462LP5E寬帶低噪聲放大器適用于多種領(lǐng)域,包括電信基礎(chǔ)設(shè)施、微波無(wú)線電和甚小口徑終端(VSAT)、軍事電子戰(zhàn)(EW)、電子對(duì)抗(
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70 探索 HMC382LP3 / HMC382LP3E:1.7 - 2.2 GHz GaAs PHEMT MMIC 低噪聲放大器的卓越性能 在電子工程師的日常工作中,為特定應(yīng)用選擇合適的低噪聲
2025-12-31 16:25:03
71 探索HMC375LP3/LP3E低噪聲放大器:基站接收的理想之選 在當(dāng)今的無(wú)線通信領(lǐng)域,基站接收器的性能對(duì)于整個(gè)通信網(wǎng)絡(luò)的質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用。而低噪聲放大器(LNA)作為基站前端的關(guān)鍵組件,其
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77 階段,以極低的噪聲干擾放大信號(hào),為后續(xù)的信號(hào)處理奠定良好基礎(chǔ)。今天我們要深入探討的就是 Analog Devices 推出的一款優(yōu)秀低噪聲放大器——HMC376LP3/HMC376LP3E,它工作在 700
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75 探索 HMC373LP3/LP3E:700 - 1000 MHz 低噪聲放大器解決方案 在當(dāng)今通信技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代,低噪聲放大器(LNA)在基站接收機(jī)等設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們就來(lái)
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62 深入解析HMC372LP3/LP3E:700 - 1000 MHz低噪聲放大器的卓越之選 在無(wú)線通信領(lǐng)域,基站接收機(jī)對(duì)低噪聲放大器(LNA)的性能要求極為嚴(yán)苛。今天,我們就來(lái)詳細(xì)探討Analog
2025-12-31 15:45:06
76 探索HMC356LP3/LP3E:350 - 550 MHz GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器 在無(wú)線通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,低噪聲放大器(LNA)是至關(guān)重要的組件,它直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的靈敏度
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93 探索HMC1040LP3CE:24 - 43.5 GHz低噪聲放大器的卓越性能 在當(dāng)今的高頻通信和測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域,低噪聲放大器(LNA)扮演著至關(guān)重要的角色。它能夠在放大微弱信號(hào)的同時(shí),盡可能減少自身
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62 探索 HMC1049LP5E:高性能 GaAs MMIC 低噪聲放大器的卓越之選 在當(dāng)今的射頻和微波領(lǐng)域,高性能的低噪聲放大器(LNA)是實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)信號(hào)處理和傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。HMC1049LP
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89 HMC263LP4E:24 - 36 GHz GaAs MMIC低噪聲放大器的卓越之選 在毫米波通信和雷達(dá)系統(tǒng)等高頻應(yīng)用中,低噪聲放大器(LNA)的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的靈敏度和信號(hào)質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用
2025-12-31 14:00:13
84 微波利器:HMC - ALH311低噪聲驅(qū)動(dòng)放大器深度解析 在微波射頻領(lǐng)域,低噪聲放大器是至關(guān)重要的組件,它的性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的靈敏度和信號(hào)質(zhì)量。今天我們就來(lái)詳細(xì)探討一款出色的低噪聲驅(qū)動(dòng)放大器
2025-12-31 10:00:03
61 V/2.5 V/3.3 V 邏輯電平,地址可編程。3. 核心特性無(wú)基準(zhǔn)設(shè)計(jì)l 集成BAW諧振器,無(wú)需外部晶體或時(shí)鐘基準(zhǔn),減少元件數(shù)量和PCB空間占用。l 總輸出頻率穩(wěn)定性達(dá)±25ppm,滿足高精度
2025-11-04 09:33:12
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()832-862 MHz 高線性度、有源偏置、低噪聲、可變?cè)鲆娣糯笃飨嚓P(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有832-862 MHz 高線性度、有源偏置、低噪聲、可變?cè)鲆娣糯笃鞯囊_圖
2025-09-19 18:34:51

該器件的高頻能力和極低抖動(dòng),是時(shí)鐘精度、高頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的絕佳方法,而不會(huì)降低信噪比。四個(gè)高頻時(shí)鐘輸出中的每一個(gè),以及具有更大分頻器范圍的附加 LOGICLK 輸出,都與一個(gè) SYSREF 輸出時(shí)鐘
2025-09-11 11:03:06
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該LMX1214具有高輸出頻率、超低本底噪聲和極低偏斜時(shí)鐘分布。該器件具有四個(gè)高頻輸出時(shí)鐘和一個(gè)低頻輔助時(shí)鐘輸出。該器件支持高頻時(shí)鐘的緩沖和分頻模式。該器件可以將多通道、低偏斜、超低噪聲的本地振蕩器信號(hào)分配到多個(gè)混頻器。
2025-09-11 09:43:01
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Texas Instruments LMX1214射頻緩沖器和分頻器具有高輸出頻率、超低噪聲基底和極低偏斜時(shí)鐘分布。該設(shè)備有四個(gè)高頻輸出時(shí)鐘和一個(gè)低頻輔助時(shí)鐘輸出。Texas Instruments LMX1214支持高頻時(shí)鐘的緩沖和分頻模式。此設(shè)備可將多通道、低偏斜、超低噪聲本地振蕩器信號(hào)分配給多個(gè)混頻器。
2025-09-06 09:37:14
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LP5522 是一款簡(jiǎn)單的單線可編程 LED 控制器,采用六焊球 DSBGA 封裝。 它通過(guò)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器提供恒定電流。輸出電流可設(shè)置為 1 mA 至 20 mA,使用ISET引腳上的外部電阻。如果不使
2025-09-05 09:20:21
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LP5560 是一款可編程 LED 驅(qū)動(dòng)器,可生成各種閃爍序列,每個(gè)序列最多三個(gè)不同長(zhǎng)度的脈沖。閃爍序列可以通過(guò)單線接口進(jìn)行編程。可編程參數(shù)包括開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)間以及上升和下降時(shí)間。默認(rèn)序列被編程到 LP5560 中,以便在沒(méi)有編程功能的簡(jiǎn)單系統(tǒng)中使用設(shè)備。
2025-08-29 11:07:41
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Analog Devices Inc. HMC8413低噪聲放大器是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、低噪聲寬帶放大器,工作頻率范圍為 0.01GHz至9GHz。
2025-06-24 13:48:29
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分頻器、預(yù)分頻器和計(jì)數(shù)器是電子學(xué)和數(shù)字電路中常見(jiàn)的組件,它們?cè)谛盘?hào)處理、時(shí)鐘生成和數(shù)字計(jì)數(shù)等方面有著廣泛的應(yīng)用。下面是對(duì)這些組件的簡(jiǎn)要介紹:### 分頻器(Frequency Divider)分頻器
2025-06-17 15:08:03
CMD229P4低噪聲放大器Custom MMIC原裝庫(kù)存CMD229P4是一款由Custom MMIC生產(chǎn)的寬帶砷化鎵(GaAs)單片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA),專為射頻(RF
2025-06-06 09:15:18
HMC533LP4(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC533LP4(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可提供16分頻輸出。 由于振蕩器的單
2025-04-30 11:08:54
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HMC514LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC514LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
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HMC513LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC513LP5(E)集成了諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。 由于
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HMC511LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 該器件集成諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管,具有半頻輸出。 由于振蕩器的單芯片結(jié)構(gòu),VCO的相位噪聲
2025-04-30 09:32:40
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HMC1162是一款集成諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管的單芯片微波集成電路(MMIC)壓控振蕩器(VCO),具有分頻輸出。
由于振蕩器采用單芯片結(jié)構(gòu),因而在溫度范圍內(nèi)具有出色的輸出功率和相位噪聲性能。
2025-04-29 11:53:38
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HMC1163是一款集成諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管的單芯片微波集成電路(MMIC)壓控振蕩器(VCO),具有分頻輸出。
由于振蕩器采用單芯片結(jié)構(gòu),因而在溫度范圍內(nèi)具有出色的輸出功率和相位噪聲性能。
2025-04-29 10:43:09
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HMC699LP5(E)是一款頻率合成器,集成寬帶極性可反轉(zhuǎn)數(shù)字PFD和鎖定檢測(cè)輸出。 該分頻器工作范圍為160 - 7000 MHz,連續(xù)整數(shù)分頻比N為56至519,非連續(xù)分頻比N為16至54
2025-04-27 17:41:15
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HMC698LP5(E)是一款頻率合成器,集成寬帶極性可反轉(zhuǎn)數(shù)字PFD和鎖定檢測(cè)輸出。 該分頻器的無(wú)條件工作范圍為80 - 7000 MHz,連續(xù)整數(shù)分頻比為12至259。由于高工作頻率以及超低
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ADF4007是一款高頻分頻器/PLL頻率合成器,可用于各種通信應(yīng)用。RF端工作頻率可達(dá)7.5 GHz,PFD端工作頻率可達(dá)120 MHz。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和分頻器
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ADF4116/ADF4117/ADF4118均為頻率合成器,可以用來(lái)在無(wú)線接收機(jī)和發(fā)射機(jī)的上變頻和下變頻部分實(shí)現(xiàn)本振。上述器件由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程參考分頻器、可編程
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鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程參考分頻器、可編程A和B計(jì)數(shù)器以及雙模預(yù)分頻器(P/P+1)組成。
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ADF4110系列頻率合成器在無(wú)線接收機(jī)和發(fā)射機(jī)的上變頻和下變頻部分中,可用來(lái)實(shí)現(xiàn)本振。上述器件由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程基準(zhǔn)分頻器、可編程A和B計(jì)數(shù)器以及雙模預(yù)分頻器(P
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ADF4001頻率合成器可用來(lái)實(shí)現(xiàn)要求極低噪聲、穩(wěn)定基準(zhǔn)信號(hào)的PLL的時(shí)鐘源。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程參考分頻器和可編程13位N分頻器組成。此外,14位參考分頻器(R
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ADF4206/ADF4208均為雙通道頻率合成器,可以用來(lái)在無(wú)線接收機(jī)和發(fā)射機(jī)的上變頻和下變頻部分實(shí)現(xiàn)本振。上述器件由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程參考分頻器、可編程A和B
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ADF4002頻率合成器用來(lái)在無(wú)線接收機(jī)和發(fā)射機(jī)的上變頻和下變頻部分實(shí)現(xiàn)本機(jī)振蕩器。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程參考分頻器和可編程N分頻器組成。14位參考分頻器(R分頻器)允許PFD輸入端的REF~IN~頻率為可選值。
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ADF4156是一款6.2 GHz小數(shù)N分頻頻率合成器,用來(lái)在無(wú)線接收機(jī)和發(fā)射機(jī)的上變頻和下變頻部分實(shí)現(xiàn)本振。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。它內(nèi)置一個(gè)Σ-Δ型
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ADF4154是一款小數(shù)N分頻頻率合成器,用來(lái)在無(wú)線接收機(jī)和發(fā)射機(jī)的上變頻和下變頻部分實(shí)現(xiàn)本振。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和可編程基準(zhǔn)分頻器組成。該器件內(nèi)置一個(gè)Σ-Δ型小數(shù)插值器
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ADF4157是一款6 GHz、小數(shù)N分頻合成器,具有25 bit固定模數(shù),在6 GHz實(shí)現(xiàn)亞赫茲頻率分辨率。ADF4157包括低噪聲數(shù)字鑒相器、精密電荷泵、可編程參考除法器。其基于∑-Δ的分?jǐn)?shù)內(nèi)插
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ADF4158是一款具有調(diào)制和波形產(chǎn)生能力的6.1 GHz小數(shù)N分頻頻率合成器,包含25位固定模數(shù),可在6.1 GHz下提供次赫茲頻率分辨率。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和可編程
2025-04-25 15:52:01
957 兼容、軟件兼容。該器件由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。它內(nèi)置一個(gè)Σ-Δ型小數(shù)插值器,能夠?qū)崿F(xiàn)可編程小數(shù)N分頻。INT、FRAC和MOD寄存器可構(gòu)成一個(gè)總N分頻器[N
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)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。 該器件內(nèi)置一個(gè)Σ-Δ型小數(shù)插值器,能夠?qū)崿F(xiàn)可編程小數(shù)N分頻。 INT和FRAC寄存器可構(gòu)成一個(gè)總N分頻器(N = INT + (FRAC/2 ^25^ ))。
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ADF4153A是一款小數(shù)N分頻頻率合成器,用來(lái)在無(wú)線接收機(jī)和發(fā)射機(jī)的上變頻和下變頻部分實(shí)現(xiàn)本振。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。該器件內(nèi)置一個(gè)Σ-Δ型小數(shù)插值
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LTC6948 是一款具全集成型 VCO 的高性能、低噪聲、6.39GHz 鎖相環(huán) (PLL),其包括一個(gè)基準(zhǔn)分頻器、相位-頻率檢測(cè)器 (PFD)、超低噪聲充電泵、分?jǐn)?shù)反饋分頻器和 VCO 輸出分頻器。
2025-04-25 14:08:33
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)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。 該器件內(nèi)置一個(gè)Σ-Δ型小數(shù)插值器,能夠?qū)崿F(xiàn)可編程小數(shù)N分頻。 INT和FRAC寄存器可構(gòu)成一個(gè)總N分頻器 N = INT + (FRAC/2 ^25^ ).
2025-04-25 11:18:48
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HMC1044LP3E是一款針對(duì)所有采用正交調(diào)制
器和/或解調(diào)
器應(yīng)用的
可編程帶寬LPF(低通濾波
器)。
HMC1044LP3E可濾除LO諧波,從而確保LO對(duì)調(diào)制
器邊帶抑制或解調(diào)
器鏡像抑制性能的貢獻(xiàn)非常小或?yàn)榱恪?/div>
2025-04-23 10:48:44
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ADH8411S-CSH 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器,工作范圍為 0.01 至 10 GHz。
2025-04-22 14:03:06
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ADH8412S-CSL是一種砷化鎵(GaAs)、單片微波集成電路(MMIC)、偽晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器,工作頻率為0.4 GHz至11 GHz。
2025-04-22 10:07:33
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HMC1023是一款6階、可編程帶寬、完全校準(zhǔn)、雙通道低通濾波器。 它具有可編程的0至10 dB增益并支持5 MHz至72 MHz范圍的任意帶寬。 校準(zhǔn)時(shí),帶寬精確至+/-2.5%。 內(nèi)置濾波器旁路選項(xiàng)提供更寬的帶寬,同時(shí)保持可編程增益和共??刂圃O(shè)置。
2025-04-19 14:00:00
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HMC905LP3E是一款SiGe BiCMOS低噪聲可編程分頻器,采用3x3 mm無(wú)引腳表貼封裝。 在400 MHz至6 GHz 輸入頻率范圍內(nèi),該電路可編程并采用N = 1至N = 4分頻。 該
2025-04-18 14:43:20
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HMC705LP4(E)是一款低噪聲GaAs HBT可編程分頻器,采用4x4 mm無(wú)引腳表貼封裝。 該分頻器可以通過(guò)編程設(shè)置為以N = 1到N = 17之間的任意數(shù)字進(jìn)行分頻(最高6.5 GHz
2025-04-18 14:14:51
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HMC494LP3(E)是一款低噪聲8分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用無(wú)引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。 此器件在DC(使用方波輸入)至18 GHz的輸入頻率下工
2025-04-18 10:18:56
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HMC493LP3(E)是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用無(wú)引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。 此器件在DC(使用方波輸入)至18 GHz的輸入頻率下工
2025-04-18 09:59:26
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HMC492LP3(E) 是一款低噪聲 2 分頻靜態(tài)分頻器,采用 InGaP GaAs HBT 技術(shù),采用無(wú)引腳 3x3 mm QFN 表面貼裝塑料封裝。該器件采用單個(gè) +5V DC 電源,在 DC
2025-04-18 09:48:50
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HMC447LC3是一款低噪聲4分頻再生分頻器,采用InGaP GaAs HBT技術(shù)。 這款寬帶分頻器的工作輸入頻率為10到26 GHz,可接受極寬范圍的輸入功率水平。 HMC447LC3具有
2025-04-18 09:25:42
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HMC437MS8G(E)是一款低噪聲3分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用低成本8引腳表貼塑料封裝。 此器件在DC(使用方波輸入)至7 GHz的輸入頻率下工作,使用+5V
2025-04-17 15:23:39
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HMC434是一款低噪聲、靜態(tài)、8分頻預(yù)分頻器單芯片微波集成電路(MMIC),利用磷化銦鎵/砷化鎵(InGaP/GaAs)異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)技術(shù),采用超小型6引腳SOT-23表貼封裝。
2025-04-17 14:23:27
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HMC394LP4(E)是一款低噪聲GaAs HBT可編程5位計(jì)數(shù)器,采用4x4 mm無(wú)鉛表面貼裝封裝。 在輸入頻率高達(dá)2.2 GHz時(shí),該器件可在N為2至32范圍進(jìn)行連續(xù)分頻。 輸出電壓擺幅為
2025-04-17 11:35:47
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HMC365是低噪聲的4分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),擁有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波輸入)至13 GHz的輸入頻率下工作,使用+5V DC
2025-04-17 10:53:58
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HMC363是低噪聲的8分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),擁有1.45 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波輸入)至12 GHz的輸入頻率下工作,使用+5V DC
2025-04-17 10:25:31
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HMC362 是一款低噪聲 4 分頻靜態(tài)分頻器,采用 InGaP GaAs HBT 技術(shù),尺寸小,僅為 1.30 x 0.69 mm。該器件采用單個(gè) +5V 直流電源,在 DC(帶方波輸入)至 11
2025-04-17 10:14:38
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ADF5001預(yù)分頻器是一款低噪聲、低功耗、固定RF分頻器模塊 ,可用來(lái)將高達(dá)18GHz的頻率分頻至適合輸入到[ADF4156]或 [ADF4106]等PLL IC的較低頻率。ADF5001提供4
2025-04-16 15:50:29
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ADF5002預(yù)分頻器是一款低噪聲、低功耗、固定RF分頻器模塊,可用來(lái)將高達(dá)18GHz的頻率分頻至適合輸入到 [ADF4156]或[ADF4106]等PLL IC的較低頻率。ADF5002提供8分頻
2025-04-16 15:46:49
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ADF5000預(yù)分頻器是一款低噪聲、低功耗、固定RF分頻器模塊,可用來(lái)將高達(dá)18 GHz的頻率分頻至適合輸入到[ADF4156]等PLL IC的較低頻率。ADF5000提供2分頻功能,采用3.3 V
2025-04-16 15:16:57
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HMC959LC3是一款帶復(fù)位功能的4分頻器件,設(shè)計(jì)支持高達(dá)26 GHz的時(shí)鐘頻率。 正常工作時(shí),在復(fù)位引腳未置位的情況下,輸出在時(shí)鐘正沿上從之前的狀態(tài)開(kāi)始切換。 這樣便可實(shí)現(xiàn)4分頻時(shí)鐘輸入。 置位
2025-04-16 14:16:57
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HMC859LC3是一款帶復(fù)位功能的8分頻器件,設(shè)計(jì)支持高達(dá)26 GHz的時(shí)鐘頻率。 正常工作時(shí),在復(fù)位引腳未置位的情況下,輸出在時(shí)鐘正沿上從之前的狀態(tài)開(kāi)始切換。 置位復(fù)位引腳可迫使Q輸出低電平
2025-04-16 11:36:37
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HMC-C040是一款低噪聲10分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),封裝在微型密封模塊中,帶有可更換的SMA連接器。 該器件在0.5至17 GHz的輸入頻率范圍內(nèi)工作,使用單個(gè)
2025-04-03 17:00:52
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HMC7587是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相和正交(I/Q)下變頻器芯片,工作頻率范圍為81 GHz至86 GHz。 HMC7587在整個(gè)頻段內(nèi)提供10
2025-03-28 09:33:22
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HMC7586是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)同相和正交(I/Q)下變頻器芯片,工作頻率范圍為71 GHz至76 GHz。 HMC7586在整個(gè)頻段內(nèi)提供12.5
2025-03-28 09:26:15
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HMC260ALC3B是一款通用型雙平衡、單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)引腳無(wú)鉛LCC封裝。在10 GHz至26 GHz頻率范圍內(nèi)可用作上變頻器或下變頻器。HMC260ALC3B混頻器無(wú)需外部元件或匹配電路。
2025-03-27 16:51:58
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HMC8108是一款緊湊型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)同相正交(I/Q)低噪聲轉(zhuǎn)換器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的陶瓷無(wú)鉛芯片載體封裝。HMC8108將范圍為9 GHz至10
2025-03-27 15:48:43
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HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA),提供可選偏置控制來(lái)降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm
2025-03-21 15:14:51
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HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA),通過(guò)可選偏置控制實(shí)現(xiàn)自偏置,以降低IDQ
2025-03-21 15:00:43
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HMC566LP4E是一款高動(dòng)態(tài)范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為28至36 GHz。 HMC566LP4E提供21 dB小信號(hào)增益、2.8 dB噪聲
2025-03-20 15:55:24
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HMC376LP3和HMC376LP3E為GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器,非常適合GSM和CDMA蜂窩基站前端接收機(jī),工作頻率范圍為700至1000 MHz。 該放大器經(jīng)過(guò)優(yōu)化,在+5V
2025-03-20 10:44:16
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HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA),工作頻率范圍為24至36 GHz,采用無(wú)引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成,采用3 V
2025-03-19 15:41:44
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的噪聲系數(shù),+22 dBm的輸出IP3,同時(shí)所需電源范圍僅為70 mA至+2.5 V。 +12 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多Hittite平衡、I/Q和鏡像抑制混頻器的LO驅(qū)動(dòng)器。 HMC1040LP 3CE包括隔直且內(nèi)部匹配至50 Ohms的I/O,非常適合高容量微波無(wú)線電和VSAT應(yīng)用。
2025-03-19 14:18:45
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HMC8410是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器,工作頻率范圍為0.01 GHz至10 GHz。HMC8410提供19.5
2025-03-12 10:01:07
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HMC8402是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、低噪聲放大器,工作頻率范圍為2 GHz至30 GHz。該放大器提供13.5 dB增益、2
2025-03-12 09:56:11
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HMC8401是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)。HMC8401是一款寬帶低噪聲放大器,工作頻率范圍為DC至28 GHz.該放大器提供
2025-03-12 09:50:53
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HMC8410CHIPS是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器,工作頻率范圍為0.01 GHz至10 GHz
2025-03-12 09:21:23
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HMC8325是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、低噪聲放大器(LNA)芯片,工作頻率范圍為71 GHz至86 GHz。HMC8325提供22 dB增益、13
2025-03-11 16:29:47
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HMC8411LP2FE 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器,工作范圍為 0.01 GHz 至 10 GHz
2025-03-11 10:01:51
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ADF5901是一款24 GHz Tx單片微波集成電路(MMIC),片內(nèi)集成24 GHz VCO和PGA,并有兩個(gè)Tx通道,適用于雷達(dá)系統(tǒng)。片內(nèi)24 GHz VCO產(chǎn)生用于2個(gè)Tx通道和LO輸出
2025-02-19 15:07:58
HMC8411LP2FE 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器,工作范圍為 0.01 GHz 至 10 GHz
2025-02-13 14:21:08
HMC1044LP3E是一款針對(duì)所有采用正交調(diào)制器和/或解調(diào)器應(yīng)用的可編程帶寬LPF(低通濾波器)。 HMC1044LP3E可濾除LO諧波,從而確保LO對(duì)調(diào)制器邊帶抑制或解調(diào)器鏡像抑制性能的貢獻(xiàn)非常
2025-02-12 16:05:14
HMC1163是一款集成諧振器、負(fù)電阻器件和變?nèi)荻O管的單芯片微波集成電路(MMIC)壓控振蕩器(VCO),具有分頻輸出。由于振蕩器采用單芯片結(jié)構(gòu),因而在溫度范圍內(nèi)具有出色的輸出功率和相位噪聲性能
2025-02-12 11:51:44
HMC493LP3(E)是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用無(wú)引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。 此器件在DC(使用方波輸入)至18 GHz的輸入頻率下工
2025-02-12 11:45:13
HMC447LC3是一款低噪聲4分頻再生分頻器,采用InGaP GaAs HBT技術(shù)。 這款寬帶分頻器的工作輸入頻率為10到26 GHz,可接受極寬范圍的輸入功率水平。 HMC447LC3具有
2025-02-10 17:21:30
HMC959LC3是一款帶復(fù)位功能的4分頻器件,設(shè)計(jì)支持高達(dá)26 GHz的時(shí)鐘頻率。 正常工作時(shí),在復(fù)位引腳未置位的情況下,輸出在時(shí)鐘正沿上從之前的狀態(tài)開(kāi)始切換。 這樣便可實(shí)現(xiàn)4分頻時(shí)鐘輸入。 置位
2025-02-08 10:27:30
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