基于單片微波集成電路的極低噪聲可編程分頻器HMC862LP3

　　基于單片微波集成電路的極低噪聲可編程分頻器HMC862LP3E 和HMC905LP3E，非常適用于100MHz~15GHz 的測試儀器，實驗室系統(tǒng)及各種軍事應(yīng)用的信號生成模塊。

　　HMC862LP3E 和HMC905LP3E 是SiGe 的BiCMOS 工藝SMT 封裝的低噪聲可編程分頻器。HMC862LP3E 輸入頻率在100MHz~15GHz 時可通過編程進行

　　N=1,2,4,8 分頻;HMC905LP3E 輸入頻率在400MHz~ 6GHz 時可通過編程進行

　　N=1,2,3,4 分頻。

　　在寬頻率范圍內(nèi)，HMC862LP3E偏移頻率大于100kHz處的相位噪聲低于-153 dBc/Hz，其靈活的分頻比適用于高性能寬帶通信系統(tǒng)。

　　單端HMC905LP3E 輸出功率可達6dBm，偏移頻率大于100kHz 時單邊帶相噪聲低至-158 dBc/Hz，50%占空比，適用于低噪時鐘生成，本振生成，本振驅(qū)動的應(yīng)用場合。HMC905LP3E的偏壓可配置，輸出功率可控制并且有省電模式。

　　HMC862LP3E 和HMC905LP3E啟動迅速，輸入輸出端隔離良好，兩者均可工作在-40℃~+85℃，采用3×3mm QFN 形式的SMT 封裝，符合RoHS。

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HMC(13995) HMC(13995)

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ADF4151小數(shù)N/整數(shù)N分頻PLL頻率合成器技術(shù)手冊

兼容、軟件兼容。該器件由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。它內(nèi)置一個Σ-Δ型小數(shù)插值器，能夠?qū)崿F(xiàn)可編程小數(shù)N分頻。INT、FRAC和MOD寄存器可構(gòu)成一個總N分頻器[N

2025-04-25 15:15:29

925

ADF4159直接調(diào)制/快速波形產(chǎn)生13GHz小數(shù)N分頻頻率合成器技術(shù)手冊

)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。該器件內(nèi)置一個Σ-Δ型小數(shù)插值器，能夠?qū)崿F(xiàn)可編程小數(shù)N分頻。 INT和FRAC寄存器可構(gòu)成一個總N分頻器(N = INT + (FRAC/2 ^25^ ))。

2025-04-25 15:04:32

1011

ADF4153A小數(shù)N分頻頻率合成器技術(shù)手冊

ADF4153A是一款小數(shù)N分頻頻率合成器，用來在無線接收機和發(fā)射機的上變頻和下變頻部分實現(xiàn)本振。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。該器件內(nèi)置一個Σ-Δ型小數(shù)插值

2025-04-25 14:58:27

852

LTC6948具集成型VCO的超低噪聲0.37GHz至6.39GHz分數(shù)N合成器技術(shù)手冊

LTC6948 是一款具全集成型 VCO 的高性能、低噪聲、6.39GHz 鎖相環(huán) (PLL)，其包括一個基準分頻器、相位-頻率檢測器 (PFD)、超低噪聲充電泵、分數(shù)反饋分頻器和 VCO 輸出分頻器。

2025-04-25 14:08:33

723

ADF4169直接調(diào)制/快速波形產(chǎn)生13.5 GHz小數(shù)N分頻頻率合成器技術(shù)手冊

)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。該器件內(nèi)置一個Σ-Δ型小數(shù)插值器，能夠?qū)崿F(xiàn)可編程小數(shù)N分頻。 INT和FRAC寄存器可構(gòu)成一個總N分頻器 N = INT + (FRAC/2 ^25^ ).

2025-04-25 11:18:48

839

HMC1044LP3E可編程諧波低通濾波器，1-3GHz 3dB帶寬技術(shù)手冊

HMC1044LP3E是一款針對所有采用正交調(diào)制器和/或解調(diào)器應(yīng)用的可編程帶寬LPF（低通濾波器）。 HMC1044LP3E可濾除LO諧波，從而確保LO對調(diào)制器邊帶抑制或解調(diào)器鏡像抑制性能的貢獻非常小或為零。

2025-04-23 10:48:44

836

ADH8411S 0.01 GHz 至 10 GHz 低噪聲放大器技術(shù)手冊

ADH8411S-CSH 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器，工作范圍為 0.01 至 10 GHz。

2025-04-22 14:03:06

722

ADH8412S 0.4 GHz至11GHz，低噪聲放大器技術(shù)手冊

ADH8412S-CSL是一種砷化鎵（GaAs）、單片微波集成電路（MMIC）、偽晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）、低噪聲寬帶放大器，工作頻率為0.4 GHz至11 GHz。

2025-04-22 10:07:33

749

HMC1023LP5E 72MHz雙通道可編程低通濾波器技術(shù)手冊

HMC1023是一款6階、可編程帶寬、完全校準、雙通道低通濾波器。它具有可編程的0至10 dB增益并支持5 MHz至72 MHz范圍的任意帶寬。校準時，帶寬精確至+/-2.5%。內(nèi)置濾波器旁路選項提供更寬的帶寬，同時保持可編程增益和共?？刂圃O(shè)置。

2025-04-19 14:00:00

740

HMC905LP3E 6GHz低噪聲可編程分頻器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC905LP3E是一款SiGe BiCMOS低噪聲可編程分頻器，采用3x3 mm無引腳表貼封裝。在400 MHz至6 GHz 輸入頻率范圍內(nèi)，該電路可編程并采用N = 1至N = 4分頻。該

2025-04-18 14:43:20

791

HMC705LP4/HMC705LP4E 6.5GHz可編程分頻器SMT技術(shù)手冊

HMC705LP4(E)是一款低噪聲GaAs HBT可編程分頻器，采用4x4 mm無引腳表貼封裝。該分頻器可以通過編程設(shè)置為以N = 1到N = 17之間的任意數(shù)字進行分頻（最高6.5 GHz

2025-04-18 14:14:51

916

HMC494LP3/494LP3E使用InGaP HBT技術(shù)，8分頻，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC494LP3(E)是一款低噪聲8分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用無引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至18 GHz的輸入頻率下工

2025-04-18 10:18:56

734

HMC493LP3/493LP3E使用InGaP HBT技術(shù)，4分頻，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC493LP3(E)是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用無引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至18 GHz的輸入頻率下工

2025-04-18 09:59:26

838

HMC492LP3/492LP3E InGaP HBT 2分頻 SMT，DC-18GHz技術(shù)手冊

HMC492LP3（E）是一款低噪聲 2 分頻靜態(tài)分頻器，采用 InGaP GaAs HBT 技術(shù)，采用無引腳 3x3 mm QFN 表面貼裝塑料封裝。該器件采用單個 +5V DC 電源，在 DC

2025-04-18 09:48:50

789

HMC447LC3使用InGaP HBT技術(shù)，4分頻，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC447LC3是一款低噪聲4分頻再生分頻器，采用InGaP GaAs HBT技術(shù)。這款寬帶分頻器的工作輸入頻率為10到26 GHz，可接受極寬范圍的輸入功率水平。 HMC447LC3具有

2025-04-18 09:25:42

813

HMC437MS8G/437MS8GE使用InGaP HBT技術(shù)，3分頻，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC437MS8G(E)是一款低噪聲3分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用低成本8引腳表貼塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至7 GHz的輸入頻率下工作，使用+5V

2025-04-17 15:23:39

793

HMC434使用InGaP HBT技術(shù)，8分頻，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC434是一款低噪聲、靜態(tài)、8分頻預(yù)分頻器單芯片微波集成電路(MMIC)，利用磷化銦鎵/砷化鎵(InGaP/GaAs)異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)技術(shù)，采用超小型6引腳SOT-23表貼封裝。

2025-04-17 14:23:27

1099

HMC394LP4/394LP4E可編程5位計數(shù)器SMT，DC-2.2GHz技術(shù)手冊

HMC394LP4(E)是一款低噪聲GaAs HBT可編程5位計數(shù)器，采用4x4 mm無鉛表面貼裝封裝。在輸入頻率高達2.2 GHz時，該器件可在N為2至32范圍進行連續(xù)分頻。輸出電壓擺幅為

2025-04-17 11:35:47

835

HMC365 InGaP HBT 4分頻芯片，DC-13GHz技術(shù)手冊

HMC365是低噪聲的4分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，擁有1.30 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC（使用方波輸入）至13 GHz的輸入頻率下工作，使用+5V DC

2025-04-17 10:53:58

801

HMC363InGaP HBT 8分頻芯片，DC-12GHz技術(shù)手冊

HMC363是低噪聲的8分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，擁有1.45 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC（使用方波輸入）至12 GHz的輸入頻率下工作，使用+5V DC

2025-04-17 10:25:31

823

HMC362 InGaP HBT 4 分頻芯片，DC-11GHz技術(shù)手冊

HMC362 是一款低噪聲 4 分頻靜態(tài)分頻器，采用 InGaP GaAs HBT 技術(shù)，尺寸小，僅為 1.30 x 0.69 mm。該器件采用單個 +5V 直流電源，在 DC（帶方波輸入）至 11

2025-04-17 10:14:38

969

ADF5001 4GHz 至18GHz 4分頻預(yù)分頻器技術(shù)手冊

ADF5001預(yù)分頻器是一款低噪聲、低功耗、固定RF分頻器模塊，可用來將高達18GHz的頻率分頻至適合輸入到[ADF4156]或 [ADF4106]等PLL IC的較低頻率。ADF5001提供4

2025-04-16 15:50:29

858

ADF5002 4GHz至18GHz 8分頻預(yù)分頻器技術(shù)手冊

ADF5002預(yù)分頻器是一款低噪聲、低功耗、固定RF分頻器模塊，可用來將高達18GHz的頻率分頻至適合輸入到 [ADF4156]或[ADF4106]等PLL IC的較低頻率。ADF5002提供8分頻

2025-04-16 15:46:49

938

ADF5000 4GHz 至18GHz 2分頻預(yù)分頻器技術(shù)手冊

ADF5000預(yù)分頻器是一款低噪聲、低功耗、固定RF分頻器模塊，可用來將高達18 GHz的頻率分頻至適合輸入到[ADF4156]等PLL IC的較低頻率。ADF5000提供2分頻功能，采用3.3 V

2025-04-16 15:16:57

1024

HMC959LC3提供復(fù)位功能和可編程輸出電壓的26GHz 4分頻器件，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC959LC3是一款帶復(fù)位功能的4分頻器件，設(shè)計支持高達26 GHz的時鐘頻率。正常工作時，在復(fù)位引腳未置位的情況下，輸出在時鐘正沿上從之前的狀態(tài)開始切換。這樣便可實現(xiàn)4分頻時鐘輸入。置位

2025-04-16 14:16:57

740

HMC859提供復(fù)位功能和可編程輸出電壓的26 GHz 8分頻器件技術(shù)手冊

HMC859LC3是一款帶復(fù)位功能的8分頻器件，設(shè)計支持高達26 GHz的時鐘頻率。正常工作時，在復(fù)位引腳未置位的情況下，輸出在時鐘正沿上從之前的狀態(tài)開始切換。置位復(fù)位引腳可迫使Q輸出低電平

2025-04-16 11:36:37

864

HMC-C040 InGaP HBT 10分頻模塊技術(shù)手冊

HMC-C040是一款低噪聲10分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，封裝在微型密封模塊中，帶有可更換的SMA連接器。該器件在0.5至17 GHz的輸入頻率范圍內(nèi)工作，使用單個

2025-04-03 17:00:52

770

HMC7587 E頻段I/Q下變頻器，81GHz至86GHz技術(shù)手冊

HMC7587是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相和正交(I/Q)下變頻器芯片，工作頻率范圍為81 GHz至86 GHz。 HMC7587在整個頻段內(nèi)提供10

2025-03-28 09:33:22

897

HMC7586 71GHz至76GHz，E頻段I/Q下變頻器技術(shù)手冊

HMC7586是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)同相和正交(I/Q)下變頻器芯片，工作頻率范圍為71 GHz至76 GHz。 HMC7586在整個頻段內(nèi)提供12.5

2025-03-28 09:26:15

999

HMC260ALC3B GaAs MMIC基波混頻器技術(shù)手冊

HMC260ALC3B是一款通用型雙平衡、單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器，采用符合RoHS標準的無引腳無鉛LCC封裝。在10 GHz至26 GHz頻率范圍內(nèi)可用作上變頻器或下變頻器。HMC260ALC3B混頻器無需外部元件或匹配電路。

2025-03-27 16:51:58

756

HMC8108 9GHz至10GHz，X頻段、GaAs、MMIC、低噪聲轉(zhuǎn)換器技術(shù)手冊

HMC8108是一款緊湊型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)同相正交(I/Q)低噪聲轉(zhuǎn)換器，采用符合RoHS標準的陶瓷無鉛芯片載體封裝。HMC8108將范圍為9 GHz至10

2025-03-27 15:48:43

784

HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術(shù)手冊

HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA)，提供可選偏置控制來降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm

2025-03-21 15:14:51

1104

HMC902LP3E低噪聲放大器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA)，通過可選偏置控制實現(xiàn)自偏置，以降低IDQ

2025-03-21 15:00:43

836

HMC566LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，28-36GHz技術(shù)手冊

HMC566LP4E是一款高動態(tài)范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為28至36 GHz。 HMC566LP4E提供21 dB小信號增益、2.8 dB噪聲

2025-03-20 15:55:24

834

HMC376 0.7-1.0GHz低噪聲放大器SMT技術(shù)手冊

HMC376LP3和HMC376LP3E為GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，非常適合GSM和CDMA蜂窩基站前端接收機，工作頻率范圍為700至1000 MHz。該放大器經(jīng)過優(yōu)化，在+5V

2025-03-20 10:44:16

797

HMC263LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，24-36GHz技術(shù)手冊

HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為24至36 GHz，采用無引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成，采用3 V

2025-03-19 15:41:44

776

HMC1040LP3CE GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器SMT技術(shù)手冊

的噪聲系數(shù)，+22 dBm的輸出IP3，同時所需電源范圍僅為70 mA至+2.5 V。 +12 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多Hittite平衡、I/Q和鏡像抑制混頻器的LO驅(qū)動器。 HMC1040LP 3CE包括隔直且內(nèi)部匹配至50 Ohms的I/O，非常適合高容量微波無線電和VSAT應(yīng)用。

2025-03-19 14:18:45

784

HMC8410 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器，0.01GHz至10GHz技術(shù)手冊

HMC8410是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為0.01 GHz至10 GHz。HMC8410提供19.5

2025-03-12 10:01:07

978

HMC8402-DIE 2GHz至30GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術(shù)手冊

HMC8402是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、低噪聲放大器，工作頻率范圍為2 GHz至30 GHz。該放大器提供13.5 dB增益、2

2025-03-12 09:56:11

861

HMC8401-DIE DC至28GHz，GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器技術(shù)手冊

HMC8401是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)。HMC8401是一款寬帶低噪聲放大器，工作頻率范圍為DC至28 GHz.該放大器提供

2025-03-12 09:50:53

940

HMC8410-DIE 0.01GHz至10GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術(shù)手冊

HMC8410CHIPS是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為0.01 GHz至10 GHz

2025-03-12 09:21:23

941

HMC8325 71 GHz至86GHz，E頻段低噪聲放大器技術(shù)手冊

HMC8325是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、低噪聲放大器(LNA)芯片，工作頻率范圍為71 GHz至86 GHz。HMC8325提供22 dB增益、13

2025-03-11 16:29:47

871

HMC8411 0.01GHz至10GHz低噪聲放大器技術(shù)手冊

HMC8411LP2FE 是一款砷化鎵 (GaAs)、單片微波集成電路 (MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 低噪聲寬帶放大器，工作范圍為 0.01 GHz 至 10 GHz

2025-03-11 10:01:51

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基于單片微波集成電路的極低噪聲可編程分頻器HMC862LP3

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