飛思卡爾半導(dǎo)體公司 （NYSE:FSL）日前宣布推出在一個(gè)器件中滿足兩個(gè)增益級(jí)要求的新型兩級(jí)低噪聲放大器（LNA），提供跨多個(gè)頻段覆蓋范圍，以簡(jiǎn)化無(wú)線基站設(shè)計(jì)。

　　隨著支持LTE的器件數(shù)量不斷增加，以及日前網(wǎng)絡(luò)頻段配置的細(xì)化，需要采用支持多種品牌和協(xié)議的解決方案來(lái)支持器件解決消費(fèi)組網(wǎng)需求問(wèn)題。飛思卡爾通過(guò)其新型兩級(jí)LNA滿足了這些需求，在消除對(duì)額外增益級(jí)需求的同時(shí)，保持低噪音和高增益的最佳組合。

　　飛思卡爾的MML09212H和MML20242H兩級(jí)LNA提供了0.52和0.57 dB的噪聲系數(shù)，分別為低頻段頻率展現(xiàn)37.5 dB 增益，為高頻段頻率展現(xiàn)34 dB增益。LNA在多個(gè)頻段和協(xié)議之間提供覆蓋范圍（包括LTE和WCDMA），使無(wú)線基站OEM能夠?qū)崿F(xiàn)通常由兩個(gè)不同的器件實(shí)現(xiàn)的增益功能，并且跨越無(wú)線網(wǎng)絡(luò)頻譜和頻段配置。

　　飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理Ritu Favre表示：“對(duì)于無(wú)線基站提供商來(lái)說(shuō)，集成可以在多個(gè)接口上使用的多個(gè)解決方案是一個(gè)充滿挑戰(zhàn)的過(guò)程。我們的新型LNA提供了單一的緊湊型解決方案，避免了對(duì)于補(bǔ)充放大器的需求，支持LTE和WCDMA等常用接口，并幫助設(shè)計(jì)者縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間，并更加高效地準(zhǔn)備下一代網(wǎng)絡(luò)，為大量涌入的LTE用戶提供支持?！?/p>

　　這一新型兩級(jí)LNA提供高整體三階輸出截取點(diǎn)（OIP3），在溫度變化時(shí)可實(shí)現(xiàn)低失真并提高穩(wěn)定性。這一緊湊型解決方案采用小型3 mm封裝，幫助設(shè)計(jì)者減少其總體芯片數(shù)量并節(jié)省板卡空間。這些器件的設(shè)計(jì)旨在支持無(wú)線基站的接收器要求，包括從femto到macro基站的處理能力，并支持廣泛的無(wú)線接口，包括LTE和WCDMA/CDMA。

　　定價(jià)和供貨

　　兩種器件目前都已大量供貨。評(píng)估套件和其他支持工具也已上市。如需了解樣件和定價(jià)信息，請(qǐng)聯(lián)系當(dāng)?shù)仫w思卡爾銷售辦事處或飛思卡爾授權(quán)經(jīng)銷商。如需了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn) www.freescale.com/RFMMIC

　　飛思卡爾半導(dǎo)體公司： 基站應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)者

　　飛思卡爾提供端至端的芯片解決方案，適用范圍從femtocell到macrocell（宏蜂窩）基站應(yīng)用，包括Airfast射頻功率解決方案、QorIQ Qonverge SoC和射頻 GaA MMIC。飛思卡爾是在無(wú)線基站中使用的硅射頻LDMOS功率晶體管的世界領(lǐng)先提供商，并于近期宣布推出了Airfast 28 V AFT26HW050GS LDMOS晶體管，專門面向?qū)捤矔r(shí)帶寬microcell/metrocell LTE應(yīng)用而設(shè)計(jì)。飛思卡爾還擁有多項(xiàng)與GaAs有關(guān)的專利，是首家基于GaAs技術(shù)開(kāi)發(fā)器件的公司。