等離子體圖形化刻蝕過程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。
2023-02-08 09:41:26
2313 單晶硅刻蝕用來形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。
2023-02-13 11:13:235353 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58754 
在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個(gè)“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點(diǎn)，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10420 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03789 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58221 
13um應(yīng)變補(bǔ)償多量子阱SLD臺(tái)面制作工藝的研究臺(tái)面制作工藝對(duì)１?３μｍ應(yīng)變補(bǔ)償多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影響。根據(jù)外延結(jié)構(gòu)，分析比較了兩種臺(tái)面制作的方法，即選擇性濕法腐蝕法和ＩＣＰ 刻蝕
2009-10-06 09:52:24
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對(duì)外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項(xiàng)工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
今天逛論壇的時(shí)候看到一篇講4*4矩陣鍵盤的，提出一種矩陣鍵盤的新型接法，特節(jié)省I/O口，貼子沒有寫程序，只提供了硬件連接，把自己寫的程序貼出來供大家交流，有不當(dāng)之處煩勞各位提出。硬件連接如下圖所示
2012-08-25 20:03:42
在2011年12月的時(shí)候就已經(jīng)推出。在2年的任職時(shí)間內(nèi)，他的團(tuán)隊(duì)還提出了42項(xiàng)跟iPhone和iPod相關(guān)的專利申請，在他們的創(chuàng)新成果中，有70%已經(jīng)運(yùn)用在產(chǎn)品上。蘋果產(chǎn)品如工藝品般精致，不乏創(chuàng)意又
2012-04-13 09:00:25
AOE刻蝕氧化硅可以，同時(shí)這個(gè)設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點(diǎn)一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
HIDAdvRemote能不能與蘋果電腦連接的上？我目前正在用CC2541開發(fā)藍(lán)牙鼠標(biāo)與鍵盤， 請問一下HIDAdvRemote這個(gè)工程，能不能與蘋果電腦連接的上，能不能控制蘋果電腦？還有我目前采用的HIDAdvRemote這個(gè)工程開發(fā)的鼠標(biāo)能不直接與蘋果IPAD或蘋果電腦連接得上？
2016-03-10 15:57:16
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
`Light1是一款在功能和外觀上面追求極致的無線藍(lán)牙鍵盤，利用了6個(gè)結(jié)構(gòu)專利，4個(gè)背光專利和3個(gè)藍(lán)牙通訊專利，使得超薄的Light 1鍵盤可通過USB或藍(lán)牙共享給多臺(tái)計(jì)算設(shè)備，并且實(shí)時(shí)便捷的進(jìn)行
2013-02-22 14:16:45
新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管！此職位為內(nèi)部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機(jī)臺(tái)poly刻蝕經(jīng)驗(yàn)。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機(jī)臺(tái)。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會(huì)轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25
導(dǎo)致工藝無法控制。有時(shí)醋酸和其他成分被混合進(jìn)來控制加熱反應(yīng)。一些器件要求在晶圓上刻蝕出槽或溝。刻蝕配方要進(jìn)行調(diào)整以使刻蝕速率依靠晶圓的取向。取向的晶圓以45°角刻蝕，取向的晶圓以“平”底刻蝕。其他取向
2018-12-21 13:49:20
一種新型的矩陣鍵盤掃描方式
2016-10-09 21:37:27
介紹一款新型的硬件虛擬鍵盤
2022-02-23 07:27:01
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
的加工工藝流程，加工過程中需要運(yùn)用刻蝕機(jī)在晶圓上把復(fù)雜的3D圖形一層一層“堆疊”起來，實(shí)現(xiàn)單片機(jī)IC芯片的更小化。芯片，本質(zhì)上是一片載有集成電路（IC：Integrated circuit）的半導(dǎo)體元件
2018-08-23 17:34:34
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
擊穿電壓。同時(shí)，還簡要描述了這種器件的制造工藝。關(guān)鍵詞：靜電感應(yīng)晶閘管；埋柵結(jié)構(gòu)；臺(tái)面刻蝕；柵陰擊穿；表面缺
2009-10-06 09:30:24
廠商具備研發(fā)和生產(chǎn)CPU的能力。CPU的發(fā)展史也可以看作是制作工藝的發(fā)展史。幾乎每一次制作工藝的改進(jìn)都能為CPU發(fā)展帶來最強(qiáng)大的源動(dòng)力。CPU的制造過程可以大致分為以下步驟：硅提純切割晶圓影印刻蝕重復(fù)
2017-10-09 19:41:52
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
本文以金屬刻蝕去膠腔為背景，簡述干刻清洗工藝開發(fā)和評(píng)價(jià)過程。針對(duì)實(shí)際應(yīng)用中的問題，展開討論。通過實(shí)際案例分析,展示了干刻清洗工藝的應(yīng)用價(jià)值。關(guān)鍵字：干刻清
2009-12-14 11:06:10
16 刻蝕•光刻就是在光刻膠上形成圖形•下一步就是將光刻膠上的圖形通過刻蝕轉(zhuǎn)移到光刻膠下面的層上•刻蝕工藝分為濕法和干法刻蝕的品質(zhì)•刻
2010-06-21 17:29:4072 新型LED背光源技術(shù)及應(yīng)用
2010-12-21 16:29:0562 新型鍵盤的簡介
確定基本設(shè)計(jì)類型后，接下來要考慮鍵盤的其他特性。如果您經(jīng)常用電腦聽音樂，那么具有內(nèi)置多媒體控制功能的鍵盤對(duì)您來說可能會(huì)很方便。這種功
2009-07-24 11:00:02993 釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32858 文章介紹了幾種新的封裝工藝，如新型圓片級(jí)封裝工藝OSmium 圓片級(jí)封裝工藝，它能夠把裸片面積減少一半；新型SiP封裝工藝Smafti封裝工藝，它改進(jìn)了傳統(tǒng)SiP封裝工藝，把傳輸速度提高了
2011-12-29 15:34:4582 本文在淺溝槽隔離刻蝕過程中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)刻蝕腔室上石英窗口的溫度超過85℃時(shí)，刻蝕終止出現(xiàn)在300mm晶圓的中心。我們認(rèn)為刻蝕終止的原因是由于某些低揮發(fā)SiOxCly刻蝕產(chǎn)物再淀積。石英
2012-05-04 17:09:372642 
本設(shè)計(jì)采用P87LPC769單片機(jī)，開發(fā)了一種新型的鍵盤與顯示電路，系統(tǒng)穩(wěn)定性高、準(zhǔn)確性好，使用方便靈活。
2016-03-30 17:02:146 本文介紹了一種新型智能鍵盤顯示控制器WH8280和基于該芯片的單 片機(jī)鍵盤顯示控制接口電路。詳細(xì)描述了該控制器的功能特點(diǎn)，以及與傳統(tǒng)鍵盤顯示控制器相比所具有的 優(yōu)點(diǎn)等，給出了切實(shí)可用的硬件接口電路和具體的軟件設(shè)計(jì)。
2016-03-30 17:02:1413 晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線刻蝕工序培訓(xùn) 1、刻蝕的作用及方法；2、刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學(xué)品；3、主要檢測項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)；4、常見問題及解決方法；5、未來工藝的發(fā)展方向；
2017-09-29 10:29:0924 光刻蝕 這是目前的CPU 制造過程當(dāng)中工藝非常復(fù)雜的一個(gè)步驟，為什么這么說呢？ 光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應(yīng)的刻痕，由此改變該處材料的化學(xué)特性。這項(xiàng)技術(shù)對(duì)于所用光的波長要求極為
2017-10-24 14:52:5816 天天用著鍵盤，想給鍵盤搞點(diǎn)新花樣。高難度的東西做不了，初級(jí)DIY的加個(gè)背光，做過背光鍵盤還是可行的。
2018-09-16 11:00:006391 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子?？偟膩碚f，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768300 蘋果公司一直在研究該如何提高鍵盤的打字體驗(yàn)，蘋果也試了不少方法，包括調(diào)整鍵盤設(shè)計(jì)和利用增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)覆蓋物理鍵盤符號(hào)，以及可以自定義鍵盤的系統(tǒng)。
2019-04-06 16:56:002088 強(qiáng)鍵防水防塵的游戲機(jī)械鍵盤。近日，在專業(yè)防水防塵的機(jī)械鍵盤市場上再創(chuàng)兩款巔峰之作——雷柏V530L及V720L防水背光游戲機(jī)械鍵盤。這兩款鍵盤都采用了最新的紅外機(jī)械開關(guān)及風(fēng)格硬朗的鋁合金金屬上蓋，同時(shí)保持懸浮式按鍵及單純紅色背光設(shè)計(jì)，最主要還有加入納米防水涂層，帶來更強(qiáng)的防水抗塵功能！
2019-05-09 09:48:282416 據(jù)外媒報(bào)道，本周蘋果通過了一項(xiàng)新專利，該專利顯示蘋果正在研發(fā)一種支持Force Touch觸控技術(shù)的Mac鍵盤。
2019-06-20 16:02:231470 
10月4日，據(jù)外媒報(bào)道，美國專利商標(biāo)辦公室發(fā)布了一項(xiàng)來自蘋果公司的專利申請，專利是關(guān)于一種新型觸覺鍵盤系統(tǒng)。
2019-10-08 09:56:482690 據(jù)PatentlyApple報(bào)道，美國專利商標(biāo)局近日公布了一項(xiàng)蘋果的專利申請，涉及一款新設(shè)計(jì)鍵盤以及可防止鍵盤受碎屑和液體影響的鍵盤配件。
2020-03-30 16:09:291841 未來的蘋果鍵盤可能會(huì)采用玻璃面板和彩色背光混合的鍵帽，以獲得更持久的按鍵，而這些按鍵有可能被用作迷你顯示器。
2020-07-03 10:56:081693 據(jù)外媒報(bào)道，美國專利商標(biāo)辦公室發(fā)布了一項(xiàng)來自蘋果公司的專利申請，專利是關(guān)于一種新型觸覺鍵盤系統(tǒng)。 ? ? 它使用了一種稱為“靜態(tài)模式靜電觸覺電極”的技術(shù)，為了使觸摸屏上的虛擬鍵盤有類似于傳統(tǒng)機(jī)械鍵盤
2021-01-22 16:54:011296 
深反應(yīng)離子刻蝕工藝，是實(shí)現(xiàn)高深寬比特性的重要方式，已成為微加工技術(shù)的基石。這項(xiàng)刻蝕技術(shù)在眾多領(lǐng)域均得到了應(yīng)用：1)MEMS電容式慣性傳感器；2) 宏觀設(shè)備的微型化；3) 三維集成電路堆疊技術(shù)的硅通孔工藝。
2020-10-09 14:17:3512466 
不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對(duì)中國本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議
2022-12-13 11:42:001524 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對(duì)中國本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議等。
2020-12-08 23:36:0025 功率、下電極基底溫度、腔室壓力等參數(shù)對(duì)SiC背面通孔的刻蝕速率、選擇比、傾斜角及側(cè)壁光滑度的影響。通過裝片夾具改進(jìn)及工藝條件優(yōu)化，開發(fā)出刻蝕速率為1μm/min、SiC與Ni的選擇比大于60∶1、傾斜角小于85°、側(cè)壁光滑的SiC通孔工藝條件，可用
2020-12-29 14:32:102077 功率、下電極基底溫度、腔室壓力等參數(shù)對(duì)SiC背面通孔的刻蝕速率、選擇比、傾斜角及側(cè)壁光滑度的影響。通過裝片夾具改進(jìn)及工藝條件優(yōu)化，開發(fā)出刻蝕速率為1μm/min、SiC與Ni的選擇比大于60∶1、傾斜角小于85°、側(cè)壁光滑的SiC通孔工藝條件，可用
2020-12-29 14:34:101135 摘要：在半導(dǎo)體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個(gè)相對(duì)復(fù)雜又難以控制的工藝。在這個(gè)工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個(gè)非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水
2020-12-29 14:36:072445 
摘要：對(duì)比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等幾種ＧａＮ７干法刻蝕方法的特點(diǎn)?；仡櫫耍牵幔危狈?b class="flag-6" style="color: red">刻蝕領(lǐng)域的研究進(jìn)展。以ＩＣＰ刻蝕ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料為例，通過工藝參數(shù)的優(yōu)化，得到了高刻蝕速率和理想的選擇比及
2020-12-29 14:39:292794 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點(diǎn)是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進(jìn)行
2020-12-29 14:42:588292 
兼容性好．采用電感耦合等離子體源(inductivelycoupledpla蛐，I凹)技術(shù)對(duì)金屬鈦進(jìn)行三雛深刻蝕，采用不同刻蝕掩模、氯基刻蝕氣體，研究了線圈功率、平板功率和娼流量對(duì)刻蝕速率和選擇比等工藝參數(shù)的影響，并對(duì)砸深刻蝕參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，得到0．
2020-12-29 14:47:002194 2019年5月21日，蘋果上線了針對(duì)13英寸MacBook Pro的顯示屏背光服務(wù)計(jì)劃。當(dāng)時(shí)蘋果發(fā)現(xiàn)部分2016年10月到2018年2月售出的MacBook Pro存在背光完全停止工作或者沿整個(gè)屏幕底部持續(xù)或間歇性顯示垂直明亮區(qū)域的問題。
2021-01-18 09:40:002075 刻蝕速率是指在刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示， 刻蝕窗口的深度稱為臺(tái)階高度。 為了高的產(chǎn)量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設(shè)備中， 這是一個(gè)很重要的參數(shù)。 刻蝕速率由工藝和設(shè)備變量決定， 如被刻蝕材料類型、 蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設(shè)置。
2022-03-15 13:41:592793 
刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個(gè)顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對(duì)形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應(yīng)離子刻蝕 （Reactive lon Etching， RIE）、深反應(yīng)離子刻蝕（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蝕刻。
2022-10-10 10:12:153076 干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴(kuò)散到圓片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:192964 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:186792 每一臺(tái)刻蝕設(shè)備都需做好在最佳條件下運(yùn)行的準(zhǔn)備。我們的刻蝕工藝工程師運(yùn)用精湛的制造技術(shù)，完成這一細(xì)節(jié)工藝的處理。
2023-01-07 14:08:362875 刻蝕是移除晶圓表面材料，達(dá)到IC設(shè)計(jì)要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除，如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351643 刻蝕速率是測量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個(gè)重要參數(shù)。
2023-02-06 15:06:263590 濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:183761 刻蝕有三種:純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應(yīng)式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072405 從下圖中可以看出結(jié)合使用XeF2氣流和氯離子轟擊的刻蝕速率最高，明顯高于這兩種工藝單獨(dú)使用時(shí)的刻蝕速率總和。
2023-02-23 17:17:202512 等離子體最初用來刻蝕含碳物質(zhì)，例如用氧等離子體剝除光刻膠，這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產(chǎn)生的氧原子自由基會(huì)很快與含碳物質(zhì)中的碳和氫反應(yīng)，形成易揮發(fā)的co,co2和h2o并且將含碳物質(zhì)有效地從表面移除。這個(gè)過程是在帶有刻蝕隧道的桶狀系統(tǒng)中進(jìn)行的（見下圖）。
2023-03-06 13:50:48947 嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量，所以如果沒有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng)，晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕，晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層，如果晶圓溫度超過150攝氏度,屏蔽層就會(huì)被燒焦，而且化學(xué)刻蝕速率
2023-03-06 13:52:33747 對(duì)于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點(diǎn)都取決于時(shí)間，而時(shí)間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動(dòng)監(jiān)測終點(diǎn)的方法，所以通常由操作員目測終點(diǎn)。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對(duì)不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨(dú)用時(shí)間決定刻蝕終點(diǎn)很困難，一般釆用操作員目測的方式。
2023-03-06 13:56:031677 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182258 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:161968 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542092 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431726 圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:27976 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:352839 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571058 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步，用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10739 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:462880 
PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392366 光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，通過光罩的設(shè)計(jì)和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:421914 在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:002843 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:251597 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種新型的鍵盤與顯示電路設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-20 11:34:370 半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26173 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:53779 該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16250 
在紅外探測器的制造技術(shù)中，臺(tái)面刻蝕是完成器件電學(xué)隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01128 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:4262 
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