LLC諧振轉換器中的故障模式

　　1）啟動

　　在啟動期間，由于反向恢復dv/dt，零電壓開關運行可能會丟失并且MOSFET可能發(fā)生故障。

　　在啟動之前諧振電容和輸出電容完全放電。這些空電容導致Q2體二極管進一步導通并且在Q1導通前不會完全恢復。反向恢復電流非常高并且在啟動期間足以造成直通問題，如圖4所示。

　　圖4： 啟動期間LLC 諧振轉換器中的波形

　　啟動期間，推薦用于故障模式的解決方案是：

　　采用快速恢復MOSFET

　　減少諧振電容器

　　控制高側和低側MOSFET的驅動信號，從而形成完整的體二極管恢復

　　2）輸出短路

　　在輸出短路期間MOSFET通過極高的電流。當發(fā)生輸出短路時，Lm在諧振中被分流。LLC 諧振轉換器可由 Cr 和 Lr簡化為串聯(lián)諧振回路，因為Cr僅與Lr共振。這種狀況通常會導致零電流開關運行（電容模式）。零電流開關運行最嚴重的缺陷是導通時的硬式整流，可能導致二極管反向恢復應力（dv/dt） 和巨大的電流和電壓應力，如圖5所示。另外，由于體二極管反向恢復期間的高 di/dt 和 dv/dt，該器件還可能被柵極過壓應力破壞。

　　圖5：輸出短路期間LLC 諧振轉換器中的波形

　　啟動期間，推薦用于故障模式的解決方案是：

　　采用快速恢復MOSFET

　　增大導通電阻以減小反向恢復di/dt和dv/dt、體二極管反向電流（Irm） 和峰值電壓Vgs，如圖6所示

　　增加最小開關頻率以防止電容模式

　　在發(fā)生輸出短路后盡快減少 Vgs關斷延遲

　　減小過流保護電流

　　圖6：反向恢復期間的導通柵極電阻效應

　　圖 7.：FRFET （FCH072N60F）和 一般 MOSFET （FCH072N60） 之間的反向恢復特性比較

　　將一般MOSFET替換為快速恢復MOSFET （FRFET？ MOSFET） 非常簡單有效，原因是不需要額外電路或器件。圖7顯示與一般 MOSFET相比， FRFET MOSFET 在反向恢復特性方面的改進。與一般MOSFET （FCH072N60） 相比，F(xiàn)RFET MOSFET （FCH072N60F）的反向恢復電荷減少了90% 。FRFET MOSFET體二極管的耐用性比一般MOSFET好得多。此外，在反向恢復期間若高側MOSFET從FRFET變?yōu)橐话?MOSFET，低側MOSFET的峰值柵源極電壓從54V降為26 V。由于改進了這么多特性 ，F(xiàn)RFET MOSFET在LLC諧振半橋轉換器中提供更高的可靠性 。