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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>耗盡型JFET在模擬設(shè)計中的應(yīng)用分析

耗盡型JFET在模擬設(shè)計中的應(yīng)用分析

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2020-10-02 17:42:0028182

N溝道耗盡功率MOSFET的電路應(yīng)用

MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢,以幫助設(shè)計人員許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡功率MOSFET N溝道耗盡功率MOSFET的電路符號圖1給出。端子標(biāo)記為G(柵極),S(源極)和D(漏極)。IXYS耗盡功率MOSFET具有稱為垂直雙擴(kuò)散MOSFET或DMOSFET的結(jié)構(gòu),與市場上的其
2021-05-27 12:18:589886

模擬設(shè)噪聲分析的11個誤區(qū)資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供模擬設(shè)噪聲分析的11個誤區(qū)資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-09 08:46:1421

AN639:模擬設(shè)備能耗(ADE)產(chǎn)品:常見問題

AN639:模擬設(shè)備能耗(ADE)產(chǎn)品:常見問題
2021-04-24 14:32:212

耗盡MOSFET開關(guān)的用途和方案示例

  耗盡模擬開關(guān)具有多種用途,并特別適用于沒有電源的情況下傳導(dǎo)高保真信號。這使得它們常用作旁路開關(guān),可在需要時用作電源下隔離的低功率默認(rèn)路徑,或者作為講究省電應(yīng)用降低損耗的設(shè)計靈活的方案。
2022-05-09 15:31:435745

增強(qiáng)耗盡MOSFET的區(qū)別

功率 MOSFET 最常用于開關(guān)模式應(yīng)用,它們用作開關(guān)。然而, SMPS 的啟動電路、浪涌和高壓保護(hù)、反極性保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用,功率 MOSFET 柵極到源極電壓 VGS 為零。當(dāng) VGS=0V 時作為正?!皩?dǎo)通”開關(guān)工作的功率 MOSFET 被稱為耗盡 MOSFET。
2022-09-11 09:11:0011272

金譽(yù)半導(dǎo)體:MOS管耗盡和增強(qiáng)是什么意思?

首先,MOS管分為結(jié)、絕緣柵兩大類。結(jié)場效應(yīng)管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名,絕緣柵場效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。但按導(dǎo)電方式來劃分,場效應(yīng)管又可分成耗盡與增強(qiáng),見下圖:
2022-10-21 11:35:024080

模擬設(shè)噪聲分析的誤區(qū)及注意事項

模擬設(shè)的噪聲主要是由于電路的電子元件,如晶體管、三極管、電容器等,工作過程中產(chǎn)生的電磁波干擾而產(chǎn)生的。此外,電路的電源噪聲也會影響電路的性能,因此,模擬設(shè),應(yīng)該重視電源噪聲的影響,并采取有效的措施來抑制噪聲。
2023-02-14 15:20:55837

耗盡模式和增強(qiáng)模式MOS管是什么?有什么區(qū)別?

耗盡 MOSFET 類似于開路開關(guān)。在此模式下,施加?xùn)艠O到源極電壓 (VGS) 以關(guān)閉器件。當(dāng)柵極電壓為負(fù)時,正電荷會在通道累積。這會導(dǎo)致溝道耗盡區(qū)并阻止電流流動。因此,由于電流的流動受耗盡區(qū)形成的影響,所以稱為耗盡 MOSFET。
2023-02-19 17:44:0111269

增強(qiáng)場效應(yīng)管和耗盡場效應(yīng)管有什么區(qū)別?

場效應(yīng)管,隨著Ugs的增加,靠近二氧化硅絕緣體的P襯底表面缺少多子,形成了耗盡層。
2023-02-21 16:51:134917

8.1.5 增強(qiáng)耗盡工作模式∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.1.5增強(qiáng)耗盡工作模式8.1結(jié)場效應(yīng)晶體管(JFET)第8章單極功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.1.4比通態(tài)電阻∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長
2022-02-20 14:15:56950

8.1.6 功率JFET器件的實現(xiàn)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.1.6功率JFET器件的實現(xiàn)8.1結(jié)場效應(yīng)晶體管(JFET)第8章單極功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.1.5增強(qiáng)耗盡工作模式∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-21 09:29:281484

模擬設(shè)噪聲分析的誤區(qū)

噪聲是模擬電路設(shè)計的一個核心問題,它會直接影響能從測量中提取的信息量,以及獲得所需信息的經(jīng)濟(jì)成本。遺憾的是,關(guān)于噪聲有許多混淆和誤導(dǎo)信息,可能導(dǎo)致性能不佳、高成本的過度設(shè)計或資源使用效率低下。今天我們就聊聊關(guān)于模擬設(shè)噪聲分析的11個由來已久的誤區(qū)。
2023-08-30 10:33:111089

模擬設(shè)噪聲分析的11個誤區(qū),你知道嗎?

模擬設(shè)噪聲分析的11個誤區(qū),你知道嗎? 噪聲是電路設(shè)計不可避免的一個因素,因此,進(jìn)行模擬電路設(shè)計時,噪聲分析是非常重要的。噪聲分析的目的是確定電路的各種噪聲源,并計算這些噪聲源對電路性能
2023-10-20 14:37:581027

什么是JFET?什么是MOSFET?JFET和MOSFET的比較

JFET的全稱為結(jié)場效應(yīng)晶體管,MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。耗盡MOSFET與JFET均屬于電壓控制場效應(yīng)晶體管(FET),場效應(yīng)晶體管通過電場來控制導(dǎo)電溝道的電導(dǎo)率
2023-11-07 14:36:3411111

耗盡MOSFET非隔離式電源電路的應(yīng)用

  在上述電路,無需使用其它DC-DC元件,僅使用一顆耗盡MOSFET,即可將較高的電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的低電壓給LDO輸入端供電。LDO的輸入電壓Vin與輸出電壓VOUT的關(guān)系滿足:Vin=VOUT+|Vth| (Vth即DMD4523E一定電流下的閾值電壓)。
2023-11-08 11:28:261386

模擬設(shè)噪聲分析的11個誤區(qū)

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2023-11-28 10:25:190

耗盡mos管工作原理是什么

電流通過器件,從而實現(xiàn)放大、開關(guān)和調(diào)節(jié)功能。耗盡MOS管實際應(yīng)用廣泛,了解它的工作原理對于電子工程師和科學(xué)家來說是非常重要的。 耗盡MOS管的工作原理可以總結(jié)為以下五個階段:禁閉、負(fù)阻、開啟、飽和和截止。 第一階段是禁閉狀態(tài)
2023-12-19 09:44:595203

增強(qiáng)耗盡MOS管的區(qū)別

特性和控制方式,可以將其分為增強(qiáng)耗盡兩大類。這兩種類型的MOS管結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點以及應(yīng)用場景等方面都存在顯著的差異。本文將對增強(qiáng)耗盡MOS管進(jìn)行詳細(xì)的比較和分析,以便更好地理解和應(yīng)用這兩種器件。
2024-05-12 17:13:007797

耗盡MOSFET的基本概念、特點及工作原理

現(xiàn)代電子技術(shù),MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種關(guān)鍵且廣泛使用的電子器件。耗盡
2024-05-12 17:19:004437

mos管增強(qiáng)耗盡的區(qū)別是什么

MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低驅(qū)動功率和良好的線性特性等優(yōu)點。根據(jù)導(dǎo)電溝道的形成方式,MOSFET可以分為增強(qiáng)耗盡
2024-07-14 11:32:228066

理解機(jī)智云虛擬設(shè)備與實際設(shè)備的關(guān)系

并不存在于物理世界。虛擬設(shè)備主要用于以下幾個目的:1、測試應(yīng)用通訊:實際設(shè)備尚未到位的情況下,虛擬設(shè)備可以模擬真實設(shè)備的功能,幫助開發(fā)者測試應(yīng)用的通訊能力。2
2024-09-22 08:02:28842

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