則是由一個絕緣柵和源漏極組成。 MOSFET又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種類型 。與晶體管相比， 場效應(yīng)管具有輸入電阻高、噪聲小、體積小等優(yōu)點(diǎn) ，因此在電子電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
2023-11-17 16:29:52
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時的漏源電流。 2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。 3、UT — 開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。 4、gM — 跨導(dǎo)
2021-05-13 06:13:46
二次擊穿現(xiàn)象，安全工作區(qū)域?qū)挼忍攸c(diǎn)，主要分為兩種：結(jié)型場效應(yīng)管（JFET)和絕緣棧型場效應(yīng)管（MOSFET)。對N溝道結(jié)型場效應(yīng)管2N3370的輸出特性進(jìn)行分析。對N溝道增強(qiáng)型MOSFET2N7000的輸出特性進(jìn)行仿真
2012-08-03 21:44:34
型與增強(qiáng)型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型
2019-05-08 09:26:37
場效應(yīng)管不導(dǎo)通，LED能亮嗎？
2023-10-17 07:09:53
為增強(qiáng)型和耗盡型兩種形式。正確理解場效應(yīng)管工作原理的關(guān)鍵在于掌握電壓vGS及vDS對導(dǎo)電溝道和電流iD的不同作用，并掌握預(yù)夾斷與夾斷這兩個狀態(tài)的區(qū)別和條件。轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線描述了vGS、vDS
2011-07-12 20:09:38
載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
第一點(diǎn)是場效應(yīng)管與晶閘管的控制方式不同1、場效應(yīng)管隨著電子技術(shù)不斷進(jìn)步，場效應(yīng)管的種類有好幾種，我們最常見的有結(jié)型場效應(yīng)管（FET管）和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET管）這兩類。這兩類
2021-03-16 13:48:28
場效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)？場效應(yīng)管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
使用的場合要求不同做出來的種類繁多，特性也都不盡相同;我們在mpn中常用的一般是作為電源供電的電控之開關(guān)使用，所以需要通過電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來了增強(qiáng)型 的場效應(yīng)管(MOS
2018-10-10 15:11:23
和VMOS功率場效應(yīng)管，以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。 按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管
2013-03-27 16:19:17
場效應(yīng)管SVD4N65F可以用SVF4N65FTO-220F 的場效應(yīng)管代替嗎
2017-04-10 13:05:24
依次對準(zhǔn)位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。（5）用測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小對VMOS N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時，可用紅表筆接源極S
2012-07-28 14:13:50
。目前廣泛應(yīng)用的是SiO2為絕緣層的絕緣柵場效應(yīng)管，稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOSFET。以功能類型劃分，MOSFET分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，其中耗盡型與增強(qiáng)型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層
2019-07-29 06:01:16
場效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動-MOS管H橋原理所謂的H 橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。下圖就是一種簡單的H 橋電路，它由2 個P型場效應(yīng)管Q1、Q2 與2 個N 型場效應(yīng)管Q3、Q3 組成，所以它叫P-NMOS
2021-06-29 07:52:44
場效應(yīng)管的作用 1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作
2019-05-29 06:18:14
場效應(yīng)管的作用1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
2009-04-25 15:43:23
作阻抗變換。 3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。 4、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。 5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。 場效應(yīng)管的測試 1、結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識別： 場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管
2021-05-13 06:55:31
場效應(yīng)管si2301（p溝道）柵極D1接單片機(jī)引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個DCDC然后接負(fù)載。問題是，單片機(jī)引腳低電平時，輸出端(d)確實(shí)為高電壓，但是單片機(jī)引腳高電平時。輸出端為0.69v，并沒有完全關(guān)斷。這是場效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計問題？怎么讓場效應(yīng)管完全關(guān)斷呢？
2017-12-09 18:46:35
材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)
2009-04-25 15:38:10
變大。
如果在柵源之間加負(fù)向電壓，溝道電阻會越來越小失去控制的作用。漏極和源極可以互換。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型
2024-01-30 11:51:42
。M0S管按其工作狀態(tài)可分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，每種類型按其導(dǎo)電溝道不同又分為N溝道和P溝道兩種。結(jié)型場效應(yīng)管按其導(dǎo)電溝道不同也分為N溝道和P溝道兩種。下圖所示結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的實(shí)物
2020-12-01 17:36:25
。2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT — 開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓
2009-04-25 15:43:12
場效應(yīng)管的測試1、結(jié)型場效應(yīng)管的管腳識別： 場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某
2009-04-25 15:43:42
場效應(yīng)管的特性是什么場效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場效應(yīng)管怎么選用？場效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)？
2021-04-20 06:49:52
接觸到的器件，本期內(nèi)容將會從基礎(chǔ)開始，探討場效應(yīng)管的一些基礎(chǔ)知識，包括選型、關(guān)鍵參數(shù)的介紹、系統(tǒng)和散熱的考慮等為大家做一些介紹?！ ?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)管的基礎(chǔ)選型 場效應(yīng)管有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中
2020-07-10 14:51:42
`請問場效應(yīng)管的驅(qū)動電壓多少？`
2019-08-22 15:55:28
N溝道場效應(yīng)管（電子為載流子），P溝道場效應(yīng)管（空穴為載流子）。絕緣柵場效應(yīng)管有四種類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET、N溝道耗盡型MOSFET、P溝道增強(qiáng)型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET。N溝道
2019-06-25 04:20:03
在分析的時候，比如此時輸入端為高電平，如何確定場效應(yīng)管源極（S極）的電平，從而無法確定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
與場效應(yīng)管有什么區(qū)別？ PS1060L參數(shù)描述型號：PS1060L封裝：TO-277特性：超低壓降、低功耗電性參數(shù)：10A，60V芯片材質(zhì)：金屬硅芯片正向電流(Io)：10A正向電壓(VF)：0.33V
2021-11-25 16:41:05
工作電壓（Vds）為200V，最大漏極電流為30A，飽和內(nèi)阻RDS=85mΩ，VGS電壓驅(qū)動范圍為±20V，VGS≥6V管子才飽和，工作溫度范圍-55℃~150℃。 IGBT和場效應(yīng)管有什么區(qū)別
2021-03-15 15:33:54
型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在
2018-10-27 11:36:33
。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。本文使用的是增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖4。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。由圖可看出，對于N溝道型的場效應(yīng)管其源極
2011-06-08 10:43:25
的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來劃分，場效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型；P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類。見下圖。
2018-10-29 22:20:31
第一部分 晶體管的工作原理 N型場效應(yīng)管（N-Channel Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種電極介質(zhì)驅(qū)動的晶體管，通常用來將微弱的輸入信號增強(qiáng)到數(shù)千或數(shù)萬次。其
2023-03-08 14:21:22
圖（1）的NPN型場效應(yīng)管作為源極跟隨器，此時門極電壓值為VG?，F(xiàn)在想轉(zhuǎn)換為圖（2)的狀態(tài)，即讓D極接地，想讓此NPN場效應(yīng)管電流反向流（即從S極流向D極），請問這個時候門極電壓應(yīng)該怎樣配置？是給0V還是可以維持VG呢？給0V和維持VG電流i會不同嗎？
2021-04-21 09:48:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時，因?yàn)槁┰粗g被兩個背靠背的PN
2012-07-06 16:30:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時，因?yàn)槁┰粗g被兩個背靠背的PN
2012-07-06 16:34:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時，因?yàn)槁┰粗g被兩個背靠背的PN
2012-07-05 11:27:29
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當(dāng)V(GS)=0V時，因?yàn)槁┰粗g被兩個背靠背的PN
2012-07-04 17:48:54
耗盡型的MOS場效應(yīng)管制造過程中預(yù)先在二氧化硅的絕緣層中摻入了大量的正離子，因此，即使柵極不加電壓（UGS=0），由于靜電感應(yīng)，這些正離子產(chǎn)生的電場也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠多的負(fù)電荷，形成
2015-06-15 18:03:40
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱Vmos管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
Q1為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管 該電路實(shí)際動作：當(dāng)接通220V交流電，開關(guān)S為斷開時，Q1導(dǎo)通，燈亮；當(dāng)開關(guān)S閉合時，Q1截止，燈滅。問題：即然Q1為N溝道增強(qiáng)型
2010-11-16 12:28:04
兄弟姐妹們，做proteus仿真，發(fā)現(xiàn)里面找不著雙柵極場效應(yīng)管3sk系列的怎么辦??？？？
2012-12-05 22:55:00
場效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過了三極管了么，三極管會不會被淘汰？為什么總是討論三極管問題？我是初學(xué)者，剛學(xué)了場效應(yīng)管，嘿嘿，
2015-11-04 12:54:44
場效應(yīng)管電路有問題嗎？用的是P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管BSS84,電路如下，經(jīng)常GS間損壞，損壞后兩腳間有5K左右的電阻造成微導(dǎo)通D端有電壓輸出。電路有問題嗎？是什么原因。
2019-10-18 22:00:33
`請問場效應(yīng)管是不是電壓控制器件？`
2019-08-22 15:57:24
場效應(yīng)管的作用：放大、調(diào)制、諧振和作開關(guān)用，場效應(yīng)管是電壓控制型器件。場效應(yīng)管的好壞判斷：把數(shù)字萬用表打到二極管檔，用萬用表任意觸碰場效應(yīng)管的三只引腳，好的場效應(yīng)管最終結(jié)果只有一次有讀數(shù)，并且在
2012-05-04 09:51:12
時也有一定的ID(稱為IDSS)，這種場效應(yīng)管(MOSFET)稱為耗盡型。它的結(jié)構(gòu) 如圖5所示，它的轉(zhuǎn)移特性如圖6所示。VP為夾斷電壓(ID＝0)。耗盡型與增強(qiáng)型主要區(qū)別是在制造SiO2絕緣層中有大量
2011-12-19 16:52:35
功率場效應(yīng)管（VMOS）是單極型電壓控制器件。具有驅(qū)動功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等顯著特點(diǎn)，還具有電流負(fù)溫度系數(shù)、良好的電流自動調(diào)節(jié)能力、良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力等優(yōu)點(diǎn)。其
2018-01-29 11:04:58
場效應(yīng)管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動大電流時無需推動級，電路較簡單。
2019-09-30 09:01:58
很多應(yīng)用中，甚至可以直接貼換三極管。1概述場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有...
2021-07-14 06:38:07
如何快速定性判斷場效應(yīng)管、三極管的好壞？怎么判斷結(jié)型場效應(yīng)管的電極？有什么注意事項(xiàng)？如何判別晶體三極管管腳？
2021-05-10 06:36:25
`從型號區(qū)分 場效應(yīng)管型號如IRF......... 三極管型號如國產(chǎn):3DD,國外:2S......... 場效應(yīng)管有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管，第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)管，O
2012-07-11 11:41:15
mpn中常用的一般是作為電源供電的電控之開關(guān)使用，所以需要通過電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來了增強(qiáng)型的場效應(yīng)管(MOS型)，它的電路圖符號：仔細(xì)看看你會發(fā)現(xiàn)，這兩個圖似乎有差別
2021-05-25 06:00:00
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 12:50 編輯
有些場效應(yīng)管的datasheet的類型沒有說明，請問怎么區(qū)分他們的是JFET, 增強(qiáng)Mosfet，還是耗盡型的mosfet？
2013-10-08 17:29:25
場效應(yīng)管的G極和S極是絕緣的，其阻抗達(dá)數(shù)十兆歐姆，理論上驅(qū)動場效應(yīng)管只需要電壓不需要電流，也就是零功率驅(qū)動，但許多電路尤其是要驅(qū)動功率較大的場效應(yīng)管時，在G極前面卻有一個用PNP型和NPN型三極管
2019-05-22 08:29:46
1.三極管是電流控制器件，而場效應(yīng)管是電壓控制器件，因此場效應(yīng)管的輸入電阻可以很高，是它的一個優(yōu)點(diǎn)，請問，這為什么是它的優(yōu)點(diǎn)？2.n溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，在柵極和源極加上負(fù)電壓后，達(dá)到一定值后，就會出現(xiàn)耗盡，請問這種耗盡是可逆轉(zhuǎn)的么？在撤掉負(fù)電壓后，還可以再用的吧？
2014-09-21 17:52:43
胡斌的《電子工程師必備 元器件應(yīng)用寶典》上講到：對結(jié)型場效應(yīng)管而言,柵極與源極之間應(yīng)加反向偏置電壓。對于絕緣柵場效應(yīng)管而言,增強(qiáng)型和耗盡型而有所不同:對增加型管而言,柵極與源極間應(yīng)采用正向偏置
2012-08-22 01:31:44
和工作原理電力場效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道，同時又有耗盡型和增強(qiáng)型之分。在電力電子裝置中，主要應(yīng)用N溝道增強(qiáng)型。電力場效應(yīng)晶體管導(dǎo)電機(jī)理與小功率絕緣柵MOS管相同，但結(jié)構(gòu)有
2020-03-20 17:09:10
純直流場效應(yīng)管功放電路原理圖
2019-11-01 09:10:41
`結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)的結(jié)構(gòu)及工作原理一、結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示，在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個高雜質(zhì)濃度的P+區(qū),就形成兩個不對稱的P+N結(jié)，即耗盡層。把兩個P+區(qū)并聯(lián)
2011-12-19 16:41:25
結(jié)型場效應(yīng)管marking code是X42，SOT-23封裝，有誰知道是什么型號的？
2016-04-16 12:24:36
電壓時導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài)，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型層和導(dǎo)電溝道，溝道電阻
2024-01-30 11:38:27
請告之結(jié)型場效應(yīng)管的型號，多謝#
2016-01-28 15:17:27
結(jié)型場效應(yīng)管資料下載內(nèi)容主要介紹了：結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)與分類結(jié)型場效應(yīng)管工作原理結(jié)型場效應(yīng)管特性曲線
2021-04-01 07:50:16
絕緣柵場效應(yīng)管的導(dǎo)電機(jī)理是，利用UGS 控制"感應(yīng)電荷"的多少來改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流ID。若UGS＝0時，源、漏之間不存在導(dǎo)電溝道的為增強(qiáng)型MOS管，UGS＝0 時，漏、源之間存在導(dǎo)電溝道的為耗盡型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
絕緣柵型場效應(yīng)管有哪些類型：增強(qiáng)型MOS管耗盡型MOS管
2021-04-01 08:05:28
擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。本節(jié)我們講解一下N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管，其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示：如上圖所示，在一塊P型硅片（半導(dǎo)體）襯底（Substrate，也有稱為Bulk或Body）上，形成兩個高
2023-02-10 15:58:00
1.是N溝道，耗盡型的場效應(yīng)管，是耗盡型。像圖上這樣的話，帶？的那端應(yīng)該是什么極？是源極還是漏極？
2.電路不接管子之前電流還可以，接上場效應(yīng)管，上電就短路，焊下來后測量柵極和源極之間不導(dǎo)通，源漏
2023-05-16 14:24:38
請問有沒有隔離型的場效應(yīng)管驅(qū)動芯片？
2015-08-17 10:41:08
物美。而逆變器后級電路可應(yīng)用的場效應(yīng)管除了TK8A50D，還有飛虹電子生產(chǎn)的這個FHP840 高壓MOS管。飛虹電子的這個FHP840 高壓MOS管為N溝道增強(qiáng)型高壓功率場效應(yīng)管，F(xiàn)HP840場效應(yīng)管
2019-08-15 15:08:53
場效應(yīng)管的分類: 場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類 按溝道材料:結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型
2009-11-09 14:27:451385 用機(jī)械萬用表測量場效應(yīng)管
1、結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別 (1)從包裝上區(qū)分
2009-11-09 14:51:191238 絕緣柵型場效應(yīng)管之圖解2
3. 特性曲線（以N溝道增強(qiáng)型為例）
2009-11-09 15:55:582197 場效應(yīng)管的型號命名方法
現(xiàn)行場效應(yīng)管有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極管相同，第三位字母J代表結(jié)型場效應(yīng)
2009-11-26 08:40:227746 場效應(yīng)管（FET）,場效應(yīng)管（FET）是什么意思
場效應(yīng)管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管。按照結(jié)構(gòu)、原理可以
2010-03-01 11:06:0546872 VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)
2010-03-04 09:51:031344 VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
2010-03-05 15:44:533238 場效應(yīng)管英文縮寫為FET.可分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕彖柵型場效應(yīng)管（MOSFET），我{ ］平常簡稱為MOS管。而MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型而我們］平常主板中常見使用的也就是增強(qiáng)型的MOS管。下圖為MOS管的標(biāo)識。
2017-10-25 14:45:1417823 
下面是對場效應(yīng)管的測量方法場效應(yīng)管英文縮寫為FET?？煞譃榻Y(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)，我們平常簡稱為MOS管。而MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型而我們平常主板中常見使用的也就是增強(qiáng)型的MOS管。下圖為MOS管的標(biāo)識
2017-12-21 11:17:5111958 
通過輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線來區(qū)分場效應(yīng)管前，首先需要了解一個概念，場效應(yīng)管是壓控型器件，它區(qū)別于雙極型晶體管（流控型器件），場效應(yīng)管工作時柵極一般只需要一個電壓就可以，電流很小或者為零。所以，要實(shí)現(xiàn)這點(diǎn)，結(jié)型場效應(yīng)管和MOS型采用不同的辦法實(shí)現(xiàn)了這個效果，導(dǎo)致了其特性曲線不同。
2018-09-04 08:00:00
76 場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管的簡稱，應(yīng)為縮寫為FET。場效應(yīng)管通常分為兩類：1）JFET和MOSFET。這兩類場效應(yīng)管都是壓控型的器件。場效應(yīng)管有三個電極，分別為：柵極G、漏極D和源極S。目前MOSFET應(yīng)用廣泛，JFET相對較少。
2019-06-19 17:16:3610557 本文首先介紹了場效應(yīng)管是什么，然后解釋了場效應(yīng)管的工作原理。
2019-08-14 10:31:278645 場效應(yīng)管是電壓控制器件，它是繼三極管之后的新一代放大元件，場效應(yīng)晶體管可分為耗盡型效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管，同時又有N溝道和P溝耗盡型之分。
2020-05-01 16:54:003218 
場效應(yīng)管是利用電場效應(yīng)來控制晶體管的電流，是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。 ? 場效應(yīng)管工作原理 為保證N溝道結(jié)型場效應(yīng)管能正常工作，要在柵源之間加負(fù)向電壓，以保證反向電壓要被耗盡層承受
2021-08-25 11:41:5510651 場效應(yīng)管和可控硅有什么區(qū)別？? 場效應(yīng)管和可控硅都是常見的半導(dǎo)體元件，它們在電路應(yīng)用中廣泛用到，但是它們有不同的工作原理和應(yīng)用場合。在本篇文章中，我們將詳細(xì)討論場效應(yīng)管和可控硅的區(qū)別。 1.
2023-08-25 15:41:381549 的原理 場效應(yīng)管的原理是基于半導(dǎo)體材料的獨(dú)特性質(zhì)。半導(dǎo)體材料具有兩類載流子，即電子和空穴。當(dāng)半導(dǎo)體材料與另一個材料接觸時，它的表面形成一個能帶，這個能帶被稱為“勢壘”。勢壘的高低可以用來控制載流子的運(yùn)動。 場效應(yīng)管有三個
2023-09-02 11:31:132862 場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152546 ，因此需要進(jìn)行嚴(yán)格的測試和檢測，以確保其可靠性和穩(wěn)定性。 一、場效應(yīng)管的類型 場效應(yīng)管有兩種類型：N溝道場效應(yīng)管（N-channel FET）和P溝道場效應(yīng)管（P-channel FET）。這兩種類型的場效應(yīng)管具有相似的結(jié)構(gòu)和工作原理，但具有不同的尺寸和性能特征，
2023-09-02 11:31:243314 結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別是什么？? 場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，利用半導(dǎo)體中電荷分布的特性控制電流的流動。常見的場效應(yīng)管有結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管，它們雖然在功能上有相似之處，但在
2023-09-18 18:20:512227 MOS管和場效應(yīng)管有什么關(guān)系？對于初學(xué)者來說，這兩個名字常常讓人混淆，MOS管到底是不是場效應(yīng)管？
2023-11-13 17:23:05759 
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