今的信號(hào)處理系統(tǒng)普遍需要使用混合信號(hào)器件，例如模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器（ADC）、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器（DAC）以及快速信號(hào)處理器（DSP）。為了處理寬動(dòng)態(tài)范圍的模擬信號(hào)，高速高性能的ADC和DAC信號(hào)顯得更加重要。為了在惡劣的數(shù)字環(huán)境中保持模擬信號(hào)寬動(dòng)態(tài)范圍和低噪聲，就要使用良好的高速電路設(shè)計(jì)技術(shù)，包括適當(dāng)?shù)男盘?hào)走線、去耦和接地。

在過(guò)去，“高精度，低速”電路一般被視為與所謂的“高速”電路不同。對(duì)于ADC和DAC，采樣速率（對(duì)于ADC來(lái)說(shuō)）和更新速率（對(duì)于DAC來(lái)說(shuō)）作為劃分所謂“高速”和“低速”的標(biāo)準(zhǔn)。但是，以下兩個(gè)例子表明，當(dāng)今大多數(shù)信號(hào)處理芯片都是真正的“高速”芯片，而且必須作為高速器件對(duì)待才能保持其高性能。例如DSP和AD/DA芯片。

所有信號(hào)處理應(yīng)用的采樣ADC（具有內(nèi)部采樣保持電路的ADC）都以相對(duì)高速的時(shí)鐘進(jìn)行操作。該時(shí)鐘具有快速的上升和下降時(shí)間（一般為幾納秒），所以必須被視為高速器件，即使轉(zhuǎn)換速率可能低。例如，一個(gè)中速12位逐次逼近（SAR）ADC卻在10MHz的內(nèi)部時(shí)鐘上工作，而采樣速率僅為500 KSPS。 Σ-Δ ADC也需要高速時(shí)鐘，因?yàn)樗鼈兙哂泻芨叩倪^(guò)采樣率。即使是高分辨率、所謂的“低頻”的工業(yè)測(cè)量Σ-Δ ADC（吞吐量為10 Hz至7.5 kHz）也在5MHz或更高的時(shí)鐘頻率下工作，來(lái)提供24位分辨率（例如，ADI公司的AD77xx -系列）。 更復(fù)雜的是，混合信號(hào)IC具有模擬和數(shù)字兩種端口，因此如何使用適當(dāng)?shù)慕拥丶夹g(shù)就更加茫然。此外，混合信號(hào)IC有的具有相對(duì)較低的數(shù)字電流，而另一些具有高數(shù)字電流。許多情況下，兩種類型必須區(qū)分對(duì)待，才能實(shí)現(xiàn)最佳接地。

數(shù)字和模擬設(shè)計(jì)工程師傾向于從不同角度對(duì)待混合信號(hào)設(shè)備，本教程的目的是總結(jié)一種通用的接地原理，可以用于大多數(shù)混合信號(hào)設(shè)備，而無(wú)需知道其內(nèi)部電路的具體細(xì)節(jié)。

接地層和電源層

低阻抗、大面積接地層對(duì)于模擬電路和數(shù)字電路都是至關(guān)重要的。接地層不僅為了給高頻電流（高速數(shù)字邏輯產(chǎn)生的）一個(gè)低阻抗返回路徑，而且最大限度地減少EMI / RFI輻射。由于接地層的屏蔽作用，電路對(duì)外部EMI / RFI的敏感性也降低了。

接地層還允許使用需要可控阻抗的傳輸線技術(shù)（微帶或帶狀線）來(lái)傳輸高速數(shù)字信號(hào)或模擬信號(hào)。

由于“母線(buss wire)”在大多數(shù)邏輯轉(zhuǎn)換等效頻率下具有阻抗，將其用作“地”完全不能接受。例如，#22標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)線具有約20 nH/英寸的電感。由邏輯信號(hào)產(chǎn)生的壓擺率為10mA/ns的瞬態(tài)電流，在此頻率下流經(jīng)1英寸該導(dǎo)線將形成200 mV的無(wú)用壓降：

對(duì)于具有2 V峰峰值范圍的信號(hào)，此壓降會(huì)轉(zhuǎn)化為約10%的誤差（大約3.5位精度）。即使在全數(shù)字電路中，這個(gè)誤差會(huì)導(dǎo)致邏輯電路噪聲裕量的顯著下降。

圖 1 ：流入模擬返回路徑的數(shù)字電流產(chǎn)生誤差電壓

圖1顯示了數(shù)字返回電流干擾模擬返回電流（頂部圖）的典型示例。接地路徑的導(dǎo)線電感和電阻由模擬和數(shù)字電路共享，這會(huì)造成相互影響，最終產(chǎn)生誤差。一個(gè)可能的解決方案是讓數(shù)字電路電流返回路徑直接流向GND REF，如底圖所示。這是“星型接地”或者叫單點(diǎn)接地的基本原理。在包含多個(gè)高頻返回路徑的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)真正的單點(diǎn)接地是很困難的，因?yàn)閱为?dú)的電流返回路徑導(dǎo)線的物理長(zhǎng)度會(huì)引入寄生電阻和電感，這不符合高頻電流的低阻抗接地原則。實(shí)際操作中，電流回路必須由大面積接地層組成，以便實(shí)現(xiàn)高頻電流下的低阻抗接地。如果無(wú)低阻抗接地層，則幾乎不可能避免上述共享阻抗，特別是在高頻下。

所有集成電路接地引腳應(yīng)直接連接到低阻抗接地層，從而將串聯(lián)電感和電阻降至最低（意思是不要用什么IC座之類的東東）。對(duì)于高速器件，不推薦使用傳統(tǒng)IC插槽。即使是“小尺寸”插槽，額外電感和電容也可能引入無(wú)用的共享路徑，從而破壞器件性能。如果插槽必須配合DIP封裝使用，例如在制作原型時(shí)，個(gè)別“引腳插槽”或“籠式插座”是可以接受的。以上引腳插槽提供封蓋和無(wú)封蓋兩種版本（AMP產(chǎn)品型號(hào)5-330808-3和5-330808-6）。由于使用彈簧金屬觸點(diǎn)，確保了IC引腳具有良好的電氣和機(jī)械連接。不過(guò)，反復(fù)插拔可能降低其性能。 ?

低頻和高頻的去耦

每個(gè)電源在進(jìn)入PC板時(shí)，應(yīng)通過(guò)大容量電解電容去耦至低阻抗接地層，并且電解電容緊靠電源端子。這樣可以將電源線路上的低頻噪聲降至最低。在每個(gè)獨(dú)立的模擬級(jí)，各IC封裝電源引腳需要局部?jī)H針對(duì)高頻的濾波（意思就是我們常用的104電容旁路芯片，注意不是所有情況都用100nF的。20MHz以下用100nF，頻率越高電容要越?。?。

圖 2 ：局部高頻電源濾波器通過(guò)較短的低電感路徑（接地層）提供最佳濾波和去耦

圖2顯示了此方法，圖示左側(cè)為正確實(shí)施方案，右側(cè)為錯(cuò)誤實(shí)施方案。左側(cè)示例中，典型的0.1 μF貼片陶瓷電容借助過(guò)孔直接連接到PCB背面的接地層，并通過(guò)第二個(gè)過(guò)孔連接到IC的GND引腳上。相比之下，右側(cè)的設(shè)置不太理想，給去耦電容的接地路徑增加了額外的PCB走線電感，使有效性降低。（有條件把貼片電容放在芯片背面正下方效果更好。）

所有的高速芯片（頻率大于10MHz）需要類似于圖2連接的旁路電容來(lái)實(shí)現(xiàn)好的性能。此處磁珠并非100%必要，但會(huì)增強(qiáng)高頻噪聲的隔離和去耦，通常較為有利。這里可能需要驗(yàn)證磁珠會(huì)不會(huì)在IC處理高電流時(shí)飽和。

請(qǐng)注意，對(duì)于一些磁珠，即使在飽和發(fā)生之前，一些磁珠可能已經(jīng)非線性了，所以如果需要功率級(jí)以低失真輸出進(jìn)行工作，這也應(yīng)該被檢查驗(yàn)證。 ?

雙層和多層PCB

每個(gè)PCB至少應(yīng)有完整的一層專用于接地。理想情況下，雙面電路板的一面應(yīng)完全用于接地層，另一面用于互連。但在實(shí)際操作中，這不可能，因?yàn)楸仨毴コ糠纸拥貙佑糜谛盘?hào)和電源的跨越、過(guò)孔和通孔。盡管如此，還是應(yīng)盡可能節(jié)約面積，至少保留75%。完成初始布局后，請(qǐng)仔細(xì)檢查接地層，確保沒(méi)有隔離的接地“孤島”（類似死銅），因?yàn)槲挥诮拥亍肮聧u”內(nèi)的IC接地引腳沒(méi)有通向接地層的電流返回路徑。另外應(yīng)檢查接地層的相鄰大面積間有無(wú)薄弱連接，否則可能大幅降低接地層有效性。毫無(wú)疑問(wèn)，自動(dòng)布線技術(shù)一般不適合混合信號(hào)電路板的設(shè)計(jì)，因此強(qiáng)烈建議手動(dòng)布線

由表面貼裝IC高密度集成的系統(tǒng)中有大量互連，必須使用多層電路板。這樣，至少一整層可專用于接地。簡(jiǎn)單的4層電路板有內(nèi)部接地和電源層，外面兩層用于表面貼裝元件的互連。電源層和接地層彼此相鄰可以提供額外的層間電容（目前沒(méi)有任何分立元件可以實(shí)現(xiàn)層間電容的效果），有助于電源的高頻去耦。大多數(shù)系統(tǒng)中，4層也嫌不足，還需要其他層用于信號(hào)和電源的走線。 ?

多卡混合信號(hào)系統(tǒng)

在多卡系統(tǒng)中，降低接地阻抗的最佳方式是使用“母板”P(pán)CB作為卡間互連背板，從而為背板提供連續(xù)接地層。PCB連接器的引腳應(yīng)至少有30至40%專用于接地，這些引腳應(yīng)連接到背板母板上的接地層。

圖 3 ：多點(diǎn)接地概念

最后，實(shí)現(xiàn)整體系統(tǒng)接地方案有兩種可能途徑：

1、背板接地層可通過(guò)多個(gè)點(diǎn)連接到機(jī)殼接地，從而擴(kuò)散各種接地電流返回路徑。該方法通常稱為“多點(diǎn)”接地系統(tǒng)，如圖3所示。

2、接地層可連接到單個(gè)系統(tǒng)“星型接地”點(diǎn)（一般位于電源）。

第一種方法最常用于全數(shù)字系統(tǒng)，但可用于混合信號(hào)系統(tǒng)，前提是由數(shù)字電路產(chǎn)生的接地電流足夠低，并在大面積上擴(kuò)散。PC板、背板、機(jī)殼都保持著低阻路徑。但是，在地面連接到金屬板機(jī)箱的地方進(jìn)行良好的電氣接觸至關(guān)重要。這需要自攻螺釘（就是那種月擰越緊的常用尖頭螺絲）和咬合墊圈。機(jī)殼材料使用陽(yáng)極氧化鋁（就是機(jī)殼表面鍍了一層氧化鋁，不導(dǎo)電）時(shí)必須特別小心，此時(shí)機(jī)殼表就是絕緣體了（意思此方法不可行了）。

第二種方法（“星型接地”）通常用于具有獨(dú)立的模擬和數(shù)字地面系統(tǒng)的高速混合信號(hào)系統(tǒng)，并且需要進(jìn)一步討論。 ?

分離模擬和數(shù)字接地層?

在使用了大量數(shù)字電路的混合信號(hào)系統(tǒng)中，最好在物理上分離敏感的模擬元件與多噪聲的數(shù)字元件。另外針對(duì)模擬和數(shù)字電路使用分離的接地層也很有利。避免重疊可以將兩者間的容性耦合降至最低。分離的模擬和數(shù)字接地層通過(guò)母板接地層或“接地網(wǎng)”（由連接器接地引腳間的一連串有線互連構(gòu)成），在背板上繼續(xù)延伸。如圖4所示，兩層一直保持分離，直至回到共同的系統(tǒng)“星型”接地，一般位于電源端口。接地層、電源和“星型”接地間的連接應(yīng)由多個(gè)總線條或?qū)掋~織帶構(gòu)成，以便獲得最小的電阻和電感。每個(gè)PCB上插入背對(duì)背肖特基二極管，以防止插拔卡時(shí)兩個(gè)接地系統(tǒng)間產(chǎn)生意外直流電壓。此電壓應(yīng)小于300 mV，以免損壞同時(shí)與模擬和數(shù)字接地層相連的IC。推薦使用肖特基二極管，它具有低電容和低正向壓降。低電容可防止模擬與數(shù)字接地層間發(fā)生交流耦合。肖特基二極管在約300 mV時(shí)開(kāi)始導(dǎo)電，如果預(yù)期有高電流，可能需要數(shù)個(gè)并聯(lián)的二極管。某些情況下，磁珠可替代肖特基二極管，但會(huì)引入直流接地環(huán)路，在高精度系統(tǒng)中會(huì)很麻煩。

圖 4 ：分離模擬和數(shù)字接地層

接地層阻抗必須盡可能低，直至回到系統(tǒng)星型接地。兩個(gè)接地層間高于300 mV的直流或交流電壓不僅會(huì)損壞IC，還會(huì)導(dǎo)致邏輯門(mén)的誤觸發(fā)以及可能的閉鎖。

具有低數(shù)字電流的混合信號(hào)IC的接地和去耦

放大器和電壓參考等敏感模擬組件始終參考并解耦合到模擬地平面。低數(shù)字電流的ADC和DAC（以及其他混合信號(hào)IC）通常應(yīng)該被視為模擬器件，并且也可以接地和解耦到模擬接地層。乍看之下，這一要求似乎有些矛盾，因?yàn)檗D(zhuǎn)換器具有模擬和數(shù)字接口，且通常有指定為模擬接地(AGND)和數(shù)字接地(DGND)的引腳。圖5中的圖示有助于解釋這一表面困境。

圖 5 ：具有低內(nèi)部數(shù)字電流的混合信號(hào) IC 的正確接地

同時(shí)具有模擬和數(shù)字電路的IC（例如ADC或DAC）內(nèi)部，地端口通常保持獨(dú)立，以免將數(shù)字信號(hào)耦合至模擬電路內(nèi)。圖5顯示了一個(gè)簡(jiǎn)單的轉(zhuǎn)換器模型。將芯片焊盤(pán)連接到封裝引腳難免產(chǎn)生線焊電感和電阻，IC設(shè)計(jì)人員對(duì)此是無(wú)能為力的，心中清楚即可?？焖僮兓臄?shù)字電流在B點(diǎn)產(chǎn)生電壓，且必然會(huì)通過(guò)雜散電容CSTRAY耦合至模擬電路的A點(diǎn)。此外，IC封裝每個(gè)引腳間約有0.2pF的雜散電容，同樣無(wú)法避免！IC設(shè)計(jì)人員的任務(wù)是排除此影響讓芯片正常工作。不過(guò)，為了防止進(jìn)一步耦合，AGND和DGND應(yīng)通過(guò)最短的引線在外部連在一起，并接到模擬接地層。DGND連接內(nèi)的任何額外阻抗將在B點(diǎn)產(chǎn)生更多數(shù)字噪聲，繼而使更多數(shù)字噪聲通過(guò)雜散電容耦合至模擬電路。請(qǐng)注意，將DGND連接到數(shù)字接地層會(huì)在AGND和DGND引腳兩端施加VNOISE，帶來(lái)嚴(yán)重問(wèn)題！

IC上的“DGND”名稱表示此引腳連接到IC的數(shù)字地，但并不意味著此引腳必須連接到系統(tǒng)的數(shù)字地。

這種安排確實(shí)可能給模擬接地層注入少量數(shù)字噪聲。但這些電流非常小，只要確保轉(zhuǎn)換器輸出不會(huì)驅(qū)動(dòng)較大扇出（通常不會(huì)如此設(shè)計(jì)）就能降至最低。將轉(zhuǎn)換器數(shù)字端口上的扇出降至最低，還能讓轉(zhuǎn)換器邏輯轉(zhuǎn)換少受振鈴影響，盡可能減少數(shù)字開(kāi)關(guān)電流，從而降低耦合至轉(zhuǎn)換器模擬端口的可能。通過(guò)插入小型有損鐵氧體磁珠，如圖5所示，邏輯電源引腳(VD)可進(jìn)一步與模擬電源隔離。轉(zhuǎn)換器的內(nèi)部瞬態(tài)數(shù)字電流將在小環(huán)路內(nèi)流動(dòng)，從VD經(jīng)去耦電容到達(dá)DGND（此路徑用圖中粗實(shí)線表示）。因此瞬態(tài)數(shù)字電流不會(huì)出現(xiàn)在外部模擬接地層上，而是局限于環(huán)路內(nèi)。VD引腳去耦電容應(yīng)盡可能靠近轉(zhuǎn)換器安裝，以便將寄生電感降至最低。這些去耦電容應(yīng)為低電感陶瓷型，通常介于0.01 μF和0.1 μF之間。 ?

小心處理ADC數(shù)字輸出

將緩沖寄存器放置在轉(zhuǎn)換器旁（如圖5所示）不失為好辦法，可將轉(zhuǎn)換器數(shù)字線路與數(shù)據(jù)總線上的噪聲隔離開(kāi)。緩沖寄存器也有助于將轉(zhuǎn)換器數(shù)字輸出上的負(fù)載降至最低，同時(shí)提供數(shù)字輸出與數(shù)據(jù)總線間的法拉第屏蔽。盡管許多轉(zhuǎn)換器具有三態(tài)輸出/輸入，但此隔離寄存器依然代表著一種良好的設(shè)計(jì)方式。某些情況下，可能需要在模擬接地層上緊靠轉(zhuǎn)換器輸出添加額外的緩沖寄存器，以提供更好的隔離。

ADC輸出與緩沖寄存器輸入間的串聯(lián)電阻（圖5中標(biāo)示為“R”）有助于將數(shù)字瞬態(tài)電流降至最低，這些電流可能影響轉(zhuǎn)換器性能。電阻可將數(shù)字輸出驅(qū)動(dòng)器與緩沖寄存器輸入的電容隔離開(kāi)。此外，由串聯(lián)電阻和緩沖寄存器輸入電容構(gòu)成的RC網(wǎng)絡(luò)用作低通濾波器，以減緩快速邊沿。

典型CMOS柵極與PCB走線和通孔結(jié)合在一起，將產(chǎn)生約10 pF的負(fù)載。如果無(wú)隔離電阻，1 V/ns的邏輯輸出壓擺率將產(chǎn)生10 mA的動(dòng)態(tài)電流：

驅(qū)動(dòng)10 pF的寄存器輸入電容時(shí)，500 Ω串聯(lián)電阻可將此輸出電流降至最低，并產(chǎn)生約11 ns的上升和下降時(shí)間：

TTL型緩沖寄存器具有較高輸入電容，可明顯增加動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)電流，應(yīng)避免使用該類芯片。

緩沖寄存器和其他數(shù)字電路應(yīng)接地并去耦至PC板的數(shù)字接地層。請(qǐng)注意，模擬與數(shù)字接地層間的任何噪聲均可降低轉(zhuǎn)換器數(shù)字接口上的噪聲裕量。由于數(shù)字噪聲抗擾度在數(shù)百或數(shù)千毫伏水平，因此一般不太可能有問(wèn)題。模擬接地層噪聲通常不高，但如果數(shù)字接地層上的噪聲（相對(duì)于模擬接地層）超過(guò)數(shù)百毫伏，則應(yīng)采取措施減小數(shù)字接地層阻抗，從而將數(shù)字噪聲裕量保持在可接受的水平。任何情況下，兩個(gè)接地層之間的電壓不得超過(guò)300 mV，否則IC可能受損。

另外最好分離模擬與數(shù)字電路的電源，即使兩者電壓相同。模擬電源應(yīng)當(dāng)用于為轉(zhuǎn)換器供電。如果轉(zhuǎn)換器具有指定的數(shù)字電源引腳(VD)，應(yīng)采用獨(dú)立模擬電源供電，或者如圖所示進(jìn)行濾波。所有轉(zhuǎn)換器電源引腳應(yīng)去耦至模擬接地層，所有邏輯電路電源引腳應(yīng)去耦至數(shù)字接地層，如圖6所示。

圖 6 ：接地和去耦點(diǎn)

某些情況下，不可能將VD連接到模擬電源。一些較新的高速IC可能采用+5 V電源為模擬電路供電，而采用+3 V電源為數(shù)字接口供電，以便與3 V邏輯接口。這種情況下，IC的+3 V引腳應(yīng)直接去耦至模擬接地層。另外建議將鐵氧體磁珠與電源走線串聯(lián)，以便將引腳連接到+3 V數(shù)字邏輯電源。

采樣時(shí)鐘發(fā)生電路應(yīng)與模擬電路同樣對(duì)待，也接地并深度去耦至模擬接地層。采樣時(shí)鐘上的相位噪聲會(huì)降低系統(tǒng)SNR，下文將予以討論。 ?

采樣時(shí)鐘注意事項(xiàng)

在高性能采樣數(shù)據(jù)系統(tǒng)中，應(yīng)使用低相位噪聲振蕩器產(chǎn)生ADC（或DAC）采樣時(shí)鐘，采樣時(shí)鐘抖動(dòng)干擾模擬輸入/輸出信號(hào)，并提高噪聲和失真的嚴(yán)重度。采樣時(shí)鐘發(fā)生器應(yīng)與高噪聲數(shù)字電路隔離開(kāi)，同時(shí)接地并去耦至模擬接地層，與處理運(yùn)算放大器和ADC一樣。采樣時(shí)鐘抖動(dòng)對(duì)ADC信噪比(SNR)的影響可用以下公式近似計(jì)算：

唯一的噪聲源來(lái)自均方根采樣時(shí)鐘抖動(dòng)tj。注意，以上公式中的f是模擬輸入頻率。通過(guò)簡(jiǎn)單示例可知，如果tj = 50 ps rms，f = 100 kHz，則SNR = 90 dB，相當(dāng)于約15位的動(dòng)態(tài)范圍。時(shí)鐘抖動(dòng)對(duì)SNR的這一影響在教程MT-007中有詳細(xì)論述。不過(guò)，在大多數(shù)高性能ADC中，內(nèi)部孔徑抖動(dòng)與采樣時(shí)鐘上的抖動(dòng)相比可以忽略。

理想情況下，采樣時(shí)鐘振蕩器應(yīng)參考分離接地系統(tǒng)中的模擬接地層。不過(guò)由于系統(tǒng)限制，此方法未必可行。許多情況下，采樣時(shí)鐘必須從數(shù)字接地層上產(chǎn)生的更高頻率、多用途系統(tǒng)時(shí)鐘獲得，接著必須從數(shù)字接地層上的原點(diǎn)傳遞至模擬接地層上的ADC。兩層之間的接地噪聲直接添加到時(shí)鐘信號(hào)，并產(chǎn)生過(guò)度抖動(dòng)。抖動(dòng)可造成信噪比降低，還會(huì)產(chǎn)生干擾諧波。

圖 7 ：從數(shù)模接地層進(jìn)行采樣時(shí)鐘分配

通過(guò)使用圖7所示的小RF變壓器或高速差分驅(qū)動(dòng)器和接收機(jī)IC，發(fā)射采樣時(shí)鐘信號(hào)作為差分信號(hào)，可在某種程度上解決此問(wèn)題。許多高速ADC具有差分采樣時(shí)鐘輸入，更便于采用此方法。如果使用有源差分驅(qū)動(dòng)器和接收機(jī)，應(yīng)選擇ECL、低電平ECL或LVDS，從而將相位抖動(dòng)降至最低。在+5 V單電源系統(tǒng)中，ECL邏輯可連接在地與+5 V (PECL)電源之間，并將輸出交流耦合至ADC采樣時(shí)鐘輸入。不管是哪種情況，原始主系統(tǒng)時(shí)鐘必須從低相位噪聲振蕩器產(chǎn)生，而不是DSP、微處理器或微控制器的時(shí)鐘輸出。

為了便于系統(tǒng)時(shí)鐘管理，ADI公司提供一系列時(shí)鐘產(chǎn)生和分配產(chǎn)品和全套鎖相環(huán)(PLL)方案。 ?

混合信號(hào)接地混淆的起源：將單卡接地概念應(yīng)用于多卡系統(tǒng)

大多數(shù)ADC、DAC和其他混合信號(hào)器件數(shù)據(jù)手冊(cè)是針對(duì)單個(gè)PCB討論接地，通常是制造商自己的評(píng)估板。將這些原理應(yīng)用于多卡或多ADC/DAC系統(tǒng)時(shí)，就會(huì)讓人感覺(jué)困惑茫然。通常建議將PCB接地層分為模擬層和數(shù)字層。另外建議將轉(zhuǎn)換器的AGND和DGND引腳連接在一起，并且在同一點(diǎn)連接模擬接地層和數(shù)字接地層，如圖8所示。這樣就基本在混合信號(hào)器件上產(chǎn)生了系統(tǒng)“星型”接地。

圖 8 ：混合信號(hào) IC 接地 ：?jiǎn)蝹€(gè) PC 板（典型評(píng)估 / 測(cè)試板）

所有高噪聲數(shù)字電流通過(guò)數(shù)字電源流入數(shù)字接地層，再返回?cái)?shù)字電源；與電路板敏感的模擬部分隔離開(kāi)。系統(tǒng)星型接地結(jié)構(gòu)出現(xiàn)在混合信號(hào)器件中模擬和數(shù)字接地層連接在一起的位置。該方法一般用于具有單個(gè)PCB和單個(gè)ADC/DAC的簡(jiǎn)單系統(tǒng)，通常不適合多卡混合信號(hào)系統(tǒng)。在不同PCB（或適用情況的相同PCB）上具有數(shù)個(gè)ADC或DAC的系統(tǒng)中，模擬和數(shù)字接地層在數(shù)個(gè)點(diǎn)連接，使得建立接地環(huán)路成為可能，而單點(diǎn)“星型”接地系統(tǒng)則不可能。鑒于以上原因，單點(diǎn)接地方法不適用于多卡系統(tǒng)，上述方法應(yīng)當(dāng)用于具有低數(shù)字電流的混合信號(hào)IC。 ?

多卡系統(tǒng)中具有低數(shù)字電流的混合信號(hào)器件的接地?

圖9總結(jié)了上述具有低數(shù)字電流的混合信號(hào)器件的接地方法。由于小數(shù)字瞬態(tài)電流流入去耦電容VD與DGND（顯示為粗實(shí)線）間的小環(huán)路，模擬接地層未被破壞?；旌闲盘?hào)器件適合作為模擬元件的所有應(yīng)用。接地層間的噪聲VN會(huì)降低數(shù)字接口上的噪聲裕量，但如果使用低阻抗數(shù)字接地層保持在300 mV以下，且一直回到系統(tǒng)星型接地，則一般無(wú)不利影響。

圖 9 ：具有低內(nèi)部數(shù)字電流的混合信號(hào) IC 的接地 ：多個(gè) PC 板

不過(guò)，Σ-Δ型ADC、編解碼器和DSP等具有片內(nèi)模擬功能的混合信號(hào)器件數(shù)字化集成度越來(lái)越高。再加上其他數(shù)字電路，使數(shù)字電流和噪聲越來(lái)越大。例如，Σ-Δ型ADC或DAC含有復(fù)雜的數(shù)字濾波器，會(huì)大量增加器件內(nèi)的數(shù)字電流。上述方法依靠VD與DGND間的去耦電容，將數(shù)字瞬態(tài)電流隔離在小環(huán)路內(nèi)。此處，如果數(shù)字電流太大，且具有直流或低頻成分，去耦電容可能因過(guò)大而變得不可行。在VD與DGND間的環(huán)路外流動(dòng)的任何數(shù)字電流必須流經(jīng)模擬接地層。這可能會(huì)降低性能，特別是在高分辨率系統(tǒng)中。

多大的數(shù)字電流流經(jīng)模擬地會(huì)變得不可接受，這很難預(yù)測(cè)。目前我們只能推薦可能效果較好的替代方案。 ?

多卡系統(tǒng)中具有高數(shù)字電流的混合信號(hào)器件的接地

圖10中顯示了適合高數(shù)字電流混合信號(hào)器件的替代接地方法。混合信號(hào)器件的AGND連接到模擬接地層，而DGND連接到數(shù)字接地層。數(shù)字電流與模擬接地層隔離開(kāi)，但兩個(gè)接地層之間的噪聲直接施加于器件的AGND與DGND引腳間。為了成功實(shí)施本方法，混合信號(hào)器件內(nèi)的模擬和數(shù)字電路必須充分隔離。AGND與DGND引腳間的噪聲不得過(guò)大，以免降低內(nèi)部噪聲裕量或損壞內(nèi)部模擬電路。

圖 10 ：具有高數(shù)字電流的混合信號(hào) IC 的替代接地法 ：多個(gè) PC 板

圖10所示可選用連接模擬和數(shù)字接地層的肖特基二極管（背對(duì)背）或鐵氧體磁珠連接模擬地和數(shù)字地。肖特基二極管可防止兩層兩端產(chǎn)生大的直流電壓或低頻電壓尖峰。如果這些電壓超過(guò)300 mV，由于是直接出現(xiàn)在AGND與DGND引腳之間，可能會(huì)損壞混合信號(hào)IC。作為背對(duì)背肖特基二極管的備選器件，鐵氧體磁珠可在兩層間提供直流連接，但在高于數(shù)MHz的頻率下，由于鐵氧體磁珠變?yōu)殡娮瑁瑫?huì)導(dǎo)致隔離。這可以保護(hù)IC不受AGND與DGND間直流電壓的影響，但鐵氧體磁珠提供的直流連接可能引入無(wú)用的直流接地環(huán)路，因此可能不適合高分辨率系統(tǒng)。

AGND與DGND引腳在具有高數(shù)字電流的特殊IC內(nèi)分離時(shí)，必要時(shí)應(yīng)設(shè)法將其連接在一起。通過(guò)跳線或帶線，可以嘗試兩種方法，看看哪一種提供最佳的系統(tǒng)整體性能。 ?

接地總結(jié)

沒(méi)有單一的一種接地方法能始終保證100%最佳性能！本節(jié)根據(jù)所考慮的特定混合信號(hào)器件的特性提出了幾種可能的選項(xiàng)。但在實(shí)施初始PC板布局時(shí)，提供盡可能多的選項(xiàng)會(huì)很有幫助。（比如設(shè)置一些連接點(diǎn)，實(shí)驗(yàn)時(shí)測(cè)試連接上和斷開(kāi)對(duì)系統(tǒng)的影響）

PC板必須至少有一層專用于接地層！初始繪制電路板布局時(shí)就要保證非重疊的模擬和數(shù)字接地層，如果需要，應(yīng)在多個(gè)位置提供焊盤(pán)和過(guò)孔，以便安裝背對(duì)背肖特基二極管或鐵氧體磁珠。提供焊盤(pán)和過(guò)孔也極為重要，需要時(shí)可以使用跳線將模擬和數(shù)字接地層連接在一起。目前，預(yù)測(cè)“多點(diǎn)”（單一接地層）還是“星型”接地（分離模擬和數(shù)字接地層）方法能提供最佳整體系統(tǒng)性能還很困難；因此，可能需要使用跳線對(duì)最終PC板做一些實(shí)驗(yàn)。

如果感覺(jué)沒(méi)有信心，最好先分離模擬和數(shù)字接地層，以后再用跳線連接，而不要一開(kāi)始就使用單一接地層，隨后又嘗試分離！

混合信號(hào)系統(tǒng)的一些通用的PC板布局指南

很顯然，仔細(xì)斟酌系統(tǒng)布局并防止不同信號(hào)彼此干擾，可以將噪聲降至最低。高電平模擬信號(hào)應(yīng)與低電平模擬信號(hào)隔離開(kāi)，兩者均應(yīng)遠(yuǎn)離數(shù)字信號(hào)。我們?cè)?jīng)在波形采樣和重建系統(tǒng)中發(fā)現(xiàn)，采樣時(shí)鐘（數(shù)字信號(hào)）與模擬信號(hào)一樣易受噪聲影響，同時(shí)與數(shù)字信號(hào)一樣易于產(chǎn)生噪聲，因此必須與模擬和數(shù)字系統(tǒng)都隔離開(kāi)。如果在時(shí)鐘分配中使用時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器封裝，應(yīng)僅有一個(gè)頻率時(shí)鐘通過(guò)單個(gè)封裝。在相同封裝內(nèi)的不同頻率時(shí)鐘間共享驅(qū)動(dòng)器將產(chǎn)生過(guò)度抖動(dòng)和串?dāng)_，并降低性能。

在敏感信號(hào)穿過(guò)的地方，接地層可發(fā)揮屏蔽作用。圖11顯示了數(shù)據(jù)采集電路板的良好布局，其中所有敏感區(qū)域彼此隔離開(kāi)，且信號(hào)路徑盡量短。雖然實(shí)際布局不太可能如此整潔，但基本原則仍然適用。

圖 11 ：在 PCB 布局中應(yīng)將模擬和數(shù)字電路分開(kāi)

執(zhí)行信號(hào)和電源連接時(shí)有許多要點(diǎn)需要考慮。首先，連接器是系統(tǒng)中所有信號(hào)傳輸線必須并行的幾個(gè)位置之一，因此它們必須與接地引腳分開(kāi)（形成法拉第屏蔽），以減少其間的耦合。

進(jìn)行信號(hào)和電源連接時(shí)需要考慮許多要點(diǎn)。首先，連接器是系統(tǒng)中所有信號(hào)傳輸線必須并行的幾個(gè)位置之一，因此它們必須用接地引腳分開(kāi)（形成法拉第屏蔽），以減少其間的耦合。（解釋一下這一段，連接器指的就是那種FPC排線一類的東東，這些信號(hào)中所有信號(hào)都是平行連接的，每隔一個(gè)信號(hào)線定義一個(gè)地線可以很好的隔離信號(hào)之間的干擾）

多接地引腳非常重要還有另一原因：可以降低電路板與背板間結(jié)點(diǎn)的接地阻抗。對(duì)于新電路板，PCB連接器單一引腳的接觸電阻很低（10 mΩ水平），隨著電路板變舊，接觸電阻可能升高，電路板性能會(huì)受影響。因此通過(guò)分配額外PCB連接器引腳來(lái)增加接地連接很有必要（PCB連接器上所有引腳中約30至40%應(yīng)為接地引腳）。出于同樣的理由，每個(gè)電源連接應(yīng)有數(shù)個(gè)引腳，當(dāng)然數(shù)量不必像接地引腳一樣多。

ADI公司和其他高性能混合信號(hào)IC制造商提供評(píng)估板來(lái)協(xié)助客戶進(jìn)行初始評(píng)估和布局。ADC評(píng)估板一般包含片上低抖動(dòng)采樣時(shí)鐘振蕩器、輸出寄存器和適當(dāng)?shù)碾娫春托盘?hào)連接器。另外還有額外的支持電路，例如ADC輸入緩沖放大器和外部基準(zhǔn)電壓。

評(píng)估板布局已針對(duì)接地、去耦和信號(hào)路徑進(jìn)行優(yōu)化，可用作系統(tǒng)內(nèi)ADC PC板布局的模型。實(shí)際評(píng)估板布局通常由ADC制造商以電腦CAD文件形式（Gerber文件）提供。許多情況下，器件數(shù)據(jù)手冊(cè)都會(huì)提供各層的布局。

作者 ：Walt Kester、James Bryant、Mike Byrne