美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1450 碳化硅二極管是單極器件,因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比,碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時,幾乎沒有反向恢復(fù)功率,反向恢復(fù)時間小于20ns,甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:23
3979 
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成,續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料,按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(SBD)。材料與結(jié)構(gòu)兩兩組合就形成了4種結(jié)果:硅
2023-09-22 10:26:25
1008 
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點,SiC
2019-10-24 14:25:15
不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件,沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復(fù)瞬態(tài),所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷,而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個數(shù)量級。這對于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的不足是: 碳化硅圓片的價格還較高,其缺陷也多?! ∪?、碳化硅肖特基二極管的特點 上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低,約
2019-01-11 13:42:03
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
)結(jié)構(gòu)示意圖,其結(jié)構(gòu)大致可分為四部分,上表面陽極金屬、外延層(漂移區(qū)+緩沖區(qū))、襯底層和背面陰極金屬?! ∽鳛閱螛O型器件,碳化硅肖特基二極管優(yōu)點尤為突出,其“反向恢復(fù)為零”的特點讓其反向特性相比硅基快恢復(fù)
2023-02-28 16:55:45
,能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點,應(yīng)用開關(guān)頻率可達到1MHz,在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢明顯,其中碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)耐壓可以達到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
的一幅圖是傳統(tǒng)的碳化硅肖特基二極管。中間的圖是帶PIN結(jié)構(gòu)的MPS二極管的結(jié)構(gòu),它的特點是在肖特基接觸區(qū)增加了一些P型結(jié)構(gòu)。相比于標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅肖特基二極管來說,這些結(jié)構(gòu)有利于提高它的浪涌電流的抑制和雪崩
2019-01-02 13:57:40
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時間短,特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料,幾乎不
2023-02-15 14:24:47
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾,都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器,基本也離不開碳化硅二極管,第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時出現(xiàn),強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
電流Irr和開關(guān)管T2開關(guān)波形 ?。?)碳化硅肖特基二極管具有“零反向恢復(fù)” 的特點,可以顯著減少開關(guān)管的開通損耗;(2)“零反向恢復(fù)”意味著反向恢復(fù)電流跟雜散電感產(chǎn)生的諧振幾乎為零,可顯著改善系統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
、反向恢復(fù)時間短的半導(dǎo)體二極管)主要用于各種功率轉(zhuǎn)換器的開關(guān)功率器件(如IGBT或MOSFET),以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管,也稱為熱載流二極管,通過
2023-02-07 15:59:32
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基(JBS)二極管
2023-02-20 15:15:50
C4D02120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-02 18:25:12
C4D02120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-02 18:29:57
C4D05120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-02 18:35:42
C4D05120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-02 18:40:17
C4D08120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-02 18:44:47
C4D08120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-02 18:48:49
E4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-02 18:54:09
C4D10120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 14:24:29
C4D10120E是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 18:14:54
C4D10120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 18:21:10
C4D10120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 18:25:26
C4D15120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 18:30:26
C4D15120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 18:37:08
C4D15120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 18:43:35
E4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 18:49:31
E4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 18:54:14
C4D20120H是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 19:01:56
C4D20120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 19:07:00
C4D20120A是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 19:12:16
E4D20120G是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 19:18:42
C4D30120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 19:34:40
C4D40120D是1200 V 分立碳化硅肖特基二極管。1200 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計,比標(biāo)準(zhǔn)肖特基勢壘二極管更加堅固可靠。將碳化硅
2022-06-03 19:46:36
碳化硅(SiC)功率器件的市場領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下,該系列二極管可提供業(yè)界最高的阻斷電壓。
2012-02-07 15:40:40
1701 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 相比硅二極管,GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗,并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:35
5264 據(jù)外媒報道,在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會上,英飛凌(Infineon)推出了首款車用碳化硅產(chǎn)品,肖特基(Schottky)二極管,并為其新創(chuàng)了一個品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:50
5349 因為本征載流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料在發(fā)生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場是硅材料和砷化鎵(GaAs)的5~20倍12。這一高極限電場可以用來制造高壓、大功率器件。?大功率碳化硅二極管
2018-11-20 15:28:07
1867 流,具備更好的耐高壓能力。另一個重要的特點是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數(shù),隨著溫度的上升電阻也逐漸上升,這與硅FRD正好相反。
2020-11-17 15:55:05
6966 碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點 碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.,其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k
2021-01-13 09:42:41
2238 二次側(cè)整流二極管通常使用FRD(快速恢復(fù)二極管)和SBD(肖特基勢壘二極管)等,本文提到的基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC基本沒有開關(guān)損耗,而且VF具有正向溫度系數(shù),有利于提高車載充電機實際的效率。
2022-07-26 14:43:34
1889 碳化硅肖特基功率二極管G4S06510AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 15:10:17
2 碳化硅肖特基功率二極管G5S06504AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 15:04:30
0 碳化硅肖特基功率二極管G5S06505AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 14:54:36
0 碳化硅肖特基功率二極管G5S06506AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 09:41:29
2 碳化硅肖特基功率二極管G5S06508AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 09:40:44
0 碳化硅肖特基功率二極管G5S06510AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 09:34:18
2 碳化硅肖特基功率二極管G4S06515AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 09:30:45
0 碳化硅肖特基功率二極管G51XT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:40:51
0 碳化硅肖特基功率二極管G5S06502AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:39:09
0 采碳化硅肖特基功率二極管GAS06520A產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:38:07
3 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520H產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:36:53
0 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520L產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:36:13
0 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520P產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:35:23
1 碳化硅肖特基功率二極管G52YT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:39:15
0 碳化硅肖特基功率二極管G4H06510AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:38:32
0 碳化硅肖特基功率二極管GAS06540B產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:32:57
2 碳化硅肖特基功率二極管G4S06506AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:32:09
1 碳化硅肖特基功率二極管G4S06508AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:29:50
0 碳化硅肖特基功率二極管G5S06520AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:09:48
0 碳化硅肖特基功率二極管G53YT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 10:59:10
0 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520D產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 10:40:44
1 碳化硅肖特基功率二極管G5S12030BH產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 10:39:58
0 碳化硅肖特基功率二極管GRS06501AT產(chǎn)品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 09:55:10
4 碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時間、溫度針對電源開關(guān)個人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃,那樣更平穩(wěn),還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關(guān)鍵優(yōu)點取決于它具有極快的電源開關(guān)速率且無反向恢復(fù)電流量,與硅元器件對比,它可以大幅度降低開關(guān)損耗并完成非凡的能耗等級。
2023-02-09 10:05:52
1326 
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管,號稱反向恢復(fù)時間為零,是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視,并在智能
2023-02-10 17:45:17
3674 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是,當(dāng)電壓通過碳化硅二極管時,電子會從N極流向P極,從而產(chǎn)生電流。碳化硅二極管可以用于汽車電子控制系統(tǒng),以及其他電子設(shè)備中,用于控制電流和電壓。
2023-02-15 15:13:42
1713 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:40
1513 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:11
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SiC碳化硅二極管起步電壓為650V,電流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號為:KN3D06065F(650V碳化硅二極管,電流6A,貼片
2023-02-21 10:12:24
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什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:47
3721 我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝,常見的有有TO-263和TO-252封裝,隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:16
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碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32
1819 碳化硅肖特基二極管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一種高性能半導(dǎo)體器件,具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動、逆變器、電動汽車等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:00
4311 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移,形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34
2338 7.2肖特基勢磊二極管(SBD)第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-02-09 09:27:53
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7.4結(jié)勢壘肖特基(JBS)二極管與混合pin肖特基(MPS)二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.3.4電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-15 11:20:41
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7.3pn與pin結(jié)型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.2肖特基勢磊二極管(SBD)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-02-10 09:18:15
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今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢。??一、太陽能逆變器。??碳化硅二極管是太陽能發(fā)電用二極管的基本原材料,碳化硅二極管在各項技術(shù)指標(biāo)上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:05
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碳化硅二極管的優(yōu)點和局限性分析 碳化硅(SiC)二極管是一種新型半導(dǎo)體材料,在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,碳化硅二極管具有許多優(yōu)點和局限性。下面是對碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:27
4769 在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29
1624 選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。
2024-09-29 14:33:14
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?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動下,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設(shè)備需求的不斷增長,BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:05
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-12 16:09:58
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:21:32
0 器件能力的企業(yè)之所以面臨被淘汰的風(fēng)險,主要源于以下多維度原因: ? ? 1. 碳化硅二極管技術(shù)門檻低導(dǎo)致市場同質(zhì)化與價格戰(zhàn) 碳化硅二極管(如肖特基二極管)技術(shù)相對成熟,結(jié)構(gòu)簡單,進入門檻較低。國內(nèi)眾多企業(yè)涌入這一領(lǐng)域,導(dǎo)致產(chǎn)能過剩
2025-02-28 10:34:31
753 在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155,深入探討它的特性、參數(shù)和應(yīng)用。
2025-12-01 15:55:06
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作為電子工程師,我們在電源設(shè)計領(lǐng)域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅(SiC)肖特基二極管的出現(xiàn),為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細(xì)分析安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55
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、1200 V的碳化硅肖特基二極管NDSH40120CDN,包括其技術(shù)特點、性能參數(shù)、典型特性以及封裝尺寸等方面,為電子工程師在電源設(shè)計中提供有價值的參考。
2025-12-05 10:52:49
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探索LSIC2SD065D40CC碳化硅肖特基二極管:性能與應(yīng)用的深度解析 作為電子工程師,在設(shè)計電路時,二極管的選擇至關(guān)重要。今天,我們來深入探討一款高性能的碳化硅肖特基二極管
2025-12-15 16:10:20
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