在電子世界的晶體管家族中，NMOS（N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）與 PMOS（P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）如同一對默契的 “電子開關(guān)”，掌控著電路中電流的流動
2025-07-14 17:05:22
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來源：Doug Mercer 和 Antoniu Miclaus 本次活動是對11月份學(xué)子專區(qū)的延續(xù)；本次將介紹電流鏡，其輸出可以不受輸入電流變化的影響。因此，使用MOS晶體管從另一個角度來研究零
2021-01-24 12:16:384048 
本文將重點討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:572704 
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型
2023-02-16 17:00:1510476 
使用雙極晶體管的電子電路設(shè)計非常簡單，使用簡單的設(shè)計原理和一些方程。
2023-02-17 14:06:311633 
伏安特性是指橫軸為電壓、縱軸為電流的一組測試記錄。 那么NPN型晶體管的伏安特性增模描述呢？ 晶體管有三個引腳，因此需用通過兩個伏安特性來展示晶體管的特征，這兩個伏安特性分別為輸入伏安特性和輸出伏安特性。
2023-02-20 15:04:423128 
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型
2023-02-21 17:23:4627682 
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。
2023-02-21 17:35:1420597 
晶體管輸出伏安特性，是指一個確定的基極電流Ib下，集電極電流Ic與與輸入電壓Uce的關(guān)系，理想狀態(tài)下如下圖關(guān)系，集電極電流與輸入電壓沒有關(guān)系，是由基極電流決定的。
2023-02-23 13:50:523633 
NMOS晶體管工作在線性區(qū)時，漏源兩端的溝道存在阻性連接，以下文字對這種阻性連接進(jìn)行簡單介紹。
2023-04-17 11:58:515472 
之前的文章對MOS電容器進(jìn)行了簡單介紹，因此對MOS晶體管的理解已經(jīng)打下了一定的基礎(chǔ)，本文將對深入介紹NMOS晶體管的結(jié)構(gòu)及工作原理，最后再從機(jī)理上對漏源電流的表達(dá)式進(jìn)行推導(dǎo)說明。
2023-04-17 12:01:589638 
傳輸門是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開關(guān)。
2023-08-10 09:02:207077 
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時，當(dāng)需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管?！ “?b class="flag-6" style="color: red">電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
晶體管的電流方向相反。如果使晶體管以開關(guān)方式工作，需要加大基極電流晶體管VCE的飽和狀態(tài)當(dāng)晶體管處于開關(guān)工作方式時，因為電源電壓和集電極電阻的限制，集電極IC不足以提供hFEIB大小的電流。因此
2017-03-28 15:54:24
、電壓／電流反饋放大電路、晶體管／FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強(qiáng)輸出的電路、功率放大器的設(shè)計與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺計算機(jī)到EDVAC，這些計算機(jī)使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開關(guān)特性實現(xiàn)二進(jìn)制的計算。然而電子管元件有許多明顯的缺點。例如，在運(yùn)行時產(chǎn)生的熱量
2021-01-13 16:23:43
一、晶體管開關(guān)電路：是一種計數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來
2021-10-29 09:25:31
本帖最后由 elecfans電子發(fā)燒友 于 2017-10-24 22:44 編輯
在四種常用晶體管開關(guān)電路（2種NMOS，2種PMOS）一文中，介紹了晶體管構(gòu)成的開關(guān)電路。這里我們使用所述
2016-08-30 04:32:10
曲線圖，它具有適應(yīng)燈泡電流的電壓補(bǔ)償特性。 圖1 晶體管式電流傳感器電路 圖2 制動燈燈絲斷 圖3 晶體管式電流傳感器的特性
2018-10-31 17:13:28
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管截止失真飽和失真原理及解決方法
2012-11-18 11:17:11
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶體管的 電流放大原理 該怎么解釋？
2017-03-12 20:30:29
）。對這兩個PN結(jié)所施加不同的電位，就會使晶體管工作于不同的狀態(tài)：兩個PN結(jié)都反偏——晶體管截止；兩個PN結(jié)都導(dǎo)通——晶體管飽和：一個PN結(jié)正偏，一個PN結(jié)反偏——晶體管放大電路（注意：如果晶體管的發(fā)射結(jié)反
2012-02-13 01:14:04
或使其特性變壞。(5) 集電極--發(fā)射極反向電流ICEOICEO是指晶體管基極開路時，集電極、發(fā)射極間的反向電流，也稱穿透電流。ICEO越小越好，現(xiàn)在應(yīng)用較多的硅晶體管，其ICEO都很小，在1A以下
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
不同的是，用于放大或?qū)?關(guān)斷的偏置電流會流經(jīng)晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導(dǎo)通電阻”這個參數(shù)。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
是"增幅"和"開關(guān)"。比如收音機(jī)。放大空中傳播的極微弱信號，使音箱共鳴。這一作用便是晶體管的增幅作用。不改變輸入信號的波形，只放大電壓或電流。這是模擬信號的情況，但是
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。 2．末級視放輸出管的選用彩色電視機(jī)中使用的末級視放輸出管，應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達(dá)式為：。晶體管輸出特性曲線的三個區(qū)域?qū)?yīng)于 晶體管的三個工作狀態(tài)（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
TR的情況，除此之外，還有5V以下(突破此耐壓范圍，會發(fā)生hFE低下等特性的劣化，請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關(guān)于封裝功率容許功定義：是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
導(dǎo)通損耗。即使在低占空比情況下，EiceDRIVER?也可以保持良好的柵極電壓調(diào)節(jié)特性，從而阻止RC驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)失壓?！ ?b class="flag-6" style="color: red">電流旁路對GaN晶體管并聯(lián)配置的影響 即使每個晶體管都配置獨立的RC驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)
2021-01-19 16:48:15
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點
2019-05-06 05:00:17
電壓（與功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻相當(dāng)）和較快的開關(guān)特性的晶體管。盡管其具有較快的開關(guān)特性，但仍比不上功率MOSFET，這是IGBT的弱點?！竟β试骷幕窘Y(jié)構(gòu)與特點
2019-03-27 06:20:04
，由于電阻Rc的限制（Rc是固定值，則最大電流為U/Rc，其中U為電源電壓），集電極電流不能無限增加。當(dāng)基極電流增加而集電極電流不能繼續(xù)增加時，晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)。判斷晶體管是否飽和的一般標(biāo)準(zhǔn)是：Ib
2023-02-08 15:19:23
表親非常相似的特性，不同之處在于，對于第一個教程“公共基極”、“共發(fā)射極”和“公共集電極”中討論的三種可能配置中的任何一種，電流和電壓方向的極性（或偏置）都是相反的。由于PNP晶體管的基極端子相對于
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
行業(yè)真正的“領(lǐng)頭羊”？一、三極管定義：三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關(guān)。三極管
2019-04-08 13:46:25
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
類型。3.2 晶體管的種類及其特點》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時被稱為功率BJT。特點：電壓高，電流大，開關(guān)特性好，驅(qū)動功率高，但驅(qū)動電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
年代和 1960 年代，它也被稱為超級阿爾法對。Darlington認(rèn)識到這種設(shè)計對發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢，并為這一概念申請了專利?！ ∵_(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
場效應(yīng)晶體管的誕生。鰭式場效應(yīng)晶體管架構(gòu)的后續(xù)改進(jìn)提高了性能并減少了面積。鰭式場效應(yīng)晶體管的 3D 特性具有許多優(yōu)點，例如增加鰭片高度以在相同的占位面積下獲得更高的驅(qū)動電流?！ D2顯示了MOSFET結(jié)構(gòu)
2023-02-24 15:25:29
本文將重點討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實驗旨在研究如何利用零增益概念來產(chǎn)生穩(wěn)定（對輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
正電壓，以產(chǎn)生從發(fā)射極到集電極的電流。7.如何測量晶體管的特性？晶體管的輸出特性是通過檢查不同基極電流下屬于集電極電流的集電極-發(fā)射極端子之間的電壓變化來確定的。通過按下移動設(shè)備上的“輸出特性”按鈕
2023-02-03 09:32:55
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing達(dá)林頓結(jié)構(gòu)是提高電流增益的一種有效方式。達(dá)林頓GTR由兩個或多個晶體管復(fù)合而成，可以是PNP或NPN型，如圖2所示，其中V1為驅(qū)動管，可飽和，而V2為輸出管
2018-01-15 11:59:52
)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing達(dá)林頓結(jié)構(gòu)是提高電流增益的一種有效方式。達(dá)林頓GTR由兩個或多個晶體管復(fù)合而成，可以是PNP或NPN型，如圖2所示，其中V1為驅(qū)動管，可飽和，而V2為輸出管
2018-01-25 11:27:53
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
的第一個電路。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計過程中，有時需要“獨立”控制幾個開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會
2016-08-30 01:01:44
，這反過來又使耗盡層盡可能小，從而通過我們的晶體管的最大電流流動。這使得晶體管開關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性?！ D2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
如何用Multisim10進(jìn)行數(shù)據(jù)采集？如何用LabVIEW顯示單結(jié)晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
減少集電區(qū)的過量存儲電荷）。而從晶體管使用來說，減短存儲時間的主要措施有如：基極輸入電流脈沖的幅度不要過大（以避免晶體管飽和太深，使得過量存儲電荷減少），增大基極抽取電流（以加快過量存儲電荷的消失
2019-09-22 08:00:00
抗飽和晶體管的作用 羅姆應(yīng)用筆記 前些天我出差到杭州臨安節(jié)能燈市場，在銷售員的帶領(lǐng)下走了幾家節(jié)能燈制造廠，我發(fā)現(xiàn)市場上對深愛半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的節(jié)能燈用晶體管比較歡迎。雖然客戶跟我說了原因，但我認(rèn)為
2009-12-17 10:27:07
減少集電區(qū)的過量存儲電荷）。而從晶體管使用來說，減短存儲時間的主要措施有如：基極輸入電流脈沖的幅度不要過大（以避免晶體管飽和太深，使得過量存儲電荷減少），增大基極抽取電流（以加快過量存儲電荷的消失
2019-08-19 04:00:00
to -2.4mV/oC的范圍有偏差)R1的溫度變化率，如下圖表。關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)數(shù)字晶體管的輸出電壓-輸出電流特性，按以下測定方法測定。IO（低電流區(qū)域
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
存在傳導(dǎo)損耗，這與晶體管的導(dǎo)通電阻RDS（on）有關(guān)。在狀態(tài)5時，驅(qū)動信號VGSL變低，晶體管的通道通過硬開關(guān)關(guān)閉。由于峰值勵磁電流Ilm_pk，存在電流和電壓交交叉開關(guān)損耗。該損耗取決于晶體管的特性
2023-02-27 09:37:29
用555制作的晶體管特性曲線描繪儀本儀器除能測試晶體管外，還能測試二極管，測試方法如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀是測試晶體管特性的專用儀器，使用該儀器可以將晶體管在各種工作電壓下的工作特性用曲線
2008-07-25 13:34:04
不導(dǎo)通。當(dāng)UA＞UG時，P1N1結(jié)正偏將發(fā)生空穴注入，P1N1P2N2結(jié)構(gòu)開通，A-K間導(dǎo)通并出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象。其過程及伏安特性與單結(jié)晶體管十分相似，區(qū)別僅在于：單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性出現(xiàn)在E-B1之間，而
2018-01-22 15:23:21
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
摘要：DS2714獨立式NiMH電池充電器的數(shù)據(jù)資料中提供了一個使用PNP晶體管的應(yīng)用電路，利用PNP晶體管對充電電流進(jìn)行開、關(guān)控制。這種方式可能存在某些問題，因為充電控制引腳的電
2009-04-27 10:55:26
24 高頻晶體管的特性與使用技巧目前已經(jīng)商品化的高頻晶體管，大致上可分成:Si—BJT(BJT:Bipolar Junction Transistor，雙極性接點晶體管)Si—MOSFETSi—JFETGaAs—MESFETGaAs—HEMT
2009-10-04 09:31:0544 晶體管特性曲線描繪儀
晶體管特性曲線描繪儀電路圖的工作原
2008-07-25 13:35:501950 
單結(jié)晶體管具有負(fù)租特性，其工作原理和伏安特性見圖1-31。
圖1-31中電源電壓UBB的
2009-07-31 17:22:552886 
雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 晶體管特性圖示儀,
晶體管特性圖示儀是什么意思
體
管特性圖示儀它是一種能對
晶體管的
特性參數(shù)進(jìn)行測試的儀器?！ ∫话?/div>
2010-03-05 14:29:093767 晶體管高頻小信號等效電路模型可用兩種方法得到:一是把晶體管視為一個二端口網(wǎng)絡(luò),列出電流、電壓方程式,擬定滿足方程的網(wǎng)絡(luò)模型,常采用 Y 參數(shù)模型;二是根據(jù)晶體管內(nèi)部發(fā)生的物
2012-04-18 15:33:3381 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《談晶體管的飽和狀態(tài)和飽和壓降.doc》資料免費(fèi)下載
2017-04-17 21:38:000 晶體管特性圖示儀原理與使用 晶體管特性圖示儀原理與使用
2016-02-18 14:56:2453 在實際的放大應(yīng)用中，如果放大電路是用于小信號放大，只要晶體管的靜態(tài)工作點設(shè)置正確，晶體管一般不會進(jìn)入飽和區(qū)。但如果晶體管放大電路處理的是信號幅值較大的信號，例音頻功放的輸出級，則晶體管極有可能
2018-08-22 15:39:4039435 Multisim 10的元器件庫提供數(shù)千種電路元器件供實驗選用，虛擬測試儀器儀表種類齊全，有一般實驗用的通用儀器，但沒有晶體管圖示儀，只能測試晶體三極管、PMOS和NMOS伏安特性曲線，不具備測試
2019-01-04 09:18:005583 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是晶體管的特性與參數(shù)詳細(xì)資料說明包括了：1 晶體管的工作原理，2 晶體管的伏安特性，3 晶體管的主要參數(shù)
2019-06-17 08:00:0026 。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使用PMOS。 在電路設(shè)計過程中，有時需要獨立控制幾個開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會影響其他開關(guān)的通與斷，即開關(guān)之間相互獨立，相互無關(guān)。常在人機(jī)交互場景之中有著特定
2020-09-03 15:28:3026856 
NMOS晶體管是一種電子元件，它是一種半導(dǎo)體晶體管，其中N指的是n型半導(dǎo)體材料，它具有負(fù)極性，可以用來控制電流的流動。它的主要功能是在電路中控制電流的流動，以及控制電路的輸入和輸出信號。
2023-02-11 16:09:0518389 
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:1419005 
PMOS晶體管，也稱為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個主要端子：源極、柵極和漏極。晶體管的源極端子由
2023-02-11 16:48:0319057 
電流增益是晶體管最重要的特性，用hFE表示。當(dāng)達(dá)林頓晶體管導(dǎo)通時，電流通過負(fù)載提供給電路：負(fù)載電流=i/p電流X晶體管增益
2023-02-19 16:18:414645 
高頻晶體管（High Frequency Transistor）是一種用于高頻信號放大和處理的晶體管。相比于普通的晶體管，高頻晶體管具有更高的工作頻率和更低的噪聲系數(shù)，因此廣泛應(yīng)用于無線電通信、雷達(dá)、導(dǎo)航、廣播電視等領(lǐng)域。
2023-02-25 15:05:443765 今天為大家介紹晶體管由兩個PN結(jié)構(gòu)成，分為NPN型和PNP型兩類，根據(jù)使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。
2023-06-03 09:29:113423 
詳盡論述NMOS和PMOS的符號區(qū)別以及相關(guān)的特點。 NMOS代表n型金屬氧化物半導(dǎo)體，它是以n型材料為基礎(chǔ)的晶體管。相比之下，PMOS代表p型金屬氧化物半導(dǎo)體，它是以p型材料為基礎(chǔ)的晶體管。這兩種類型的晶體管有著不同的電流和導(dǎo)通特性。 首先，我們來看NMOS的符號。
2023-12-18 13:56:2212642 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電特性，通過控制基極電流來調(diào)節(jié)集電極電流，從而實現(xiàn)放大、開關(guān)等功能。晶體管的電流關(guān)系是其核心特性之一，對于理解
2024-07-09 18:22:293602 
晶體管是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中，其工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。晶體管的放大、飽和和截止是其三種基本的工作狀態(tài)，對于電子電路的設(shè)計和應(yīng)用至關(guān)重要。 一、晶體管的基本原理 晶體管
2024-07-18 15:32:214058 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 PMOS（P-type Metal-Oxide-Semiconductor）晶體管，即P型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是電子電路中常用的關(guān)鍵元件之一。其飽和狀態(tài)是PMOS晶體管操作中的一個重要模式，對理解其工作原理及在電路中的應(yīng)用具有重要意義。以下是對PMOS晶體管飽和狀態(tài)的詳細(xì)概述。
2024-09-14 17:04:125028 單結(jié)晶體管（Unipolar Junction Transistor，簡稱UJT），又稱基極二極管或單晶二極管，是一種具有獨特工作原理和伏安特性的半導(dǎo)體器件。以下將詳細(xì)闡述單結(jié)晶體管的工作原理和伏安特性。
2024-09-23 17:29:424922 
晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負(fù)載的特性表現(xiàn)，這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響，包括輸入信號、電源電壓、溫度以及晶體管自身的結(jié)構(gòu)參數(shù)等。
2024-09-24 17:59:572692 在每一顆芯片的內(nèi)部，數(shù)十億個晶體管如同高速開合的微型水閘，構(gòu)成數(shù)字世界的最小邏輯單元。以NMOS為例，我們將揭開它如何依靠電場控制電子流動，在“關(guān)斷”與“導(dǎo)通”之間瞬間切換，并以此寫下計算的語言。
2025-12-10 15:17:37562 
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