二次回路主要是指對一次設(shè)備的工況進行監(jiān)測、控制、調(diào)節(jié)、保護的二次設(shè)備，按照一定的要求連接在一起構(gòu)成電路，稱之為二次回路。描述二次回路的圖紙稱為二次回路圖。二次回路一般包括：控制回路、信號回路、測量回路、自動裝置回路等。
2022-08-29 11:27:49
5326 二次回路是指由二次設(shè)備互相連接，構(gòu)成對一次設(shè)備進行監(jiān)測、控制、調(diào)節(jié)和保護的電氣回路。
2023-12-13 15:31:438952 
二次離子質(zhì)譜分析儀 (SIMS)二次離子質(zhì)譜分析儀 (Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)主要是利用離子高靈敏度的特性，針對樣品的表面微污染、摻雜與離子植入
2018-09-12 09:42:04
二次電池的特性和應(yīng)用摘要：在現(xiàn)代文明中，二次電池已走入千家萬戶，是我們生活中不可缺少的物品。在現(xiàn)在市場上,主要的二次電池是鉛酸電池、鎘鎳電池、氫鎳電池和鋰離子電池，本文就這些電池的發(fā)生、發(fā)展、性能
2009-05-24 16:51:52
本文分析了LED的二次光學設(shè)計與應(yīng)用。
2021-06-04 06:11:43
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質(zhì)的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發(fā)出藍
2023-06-15 15:50:54
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
容易使用。通過簡單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。dV/dt 回轉(zhuǎn)率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設(shè)計的機會，從而極為有效地縮短了產(chǎn)品上市
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優(yōu)勢曾經(jīng)一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術(shù)、供應(yīng)鏈優(yōu)化、器件封裝技術(shù)以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數(shù)射頻應(yīng)用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通，這個系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
射頻半導體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導體市場領(lǐng)域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
不規(guī)則，平面或光滑表面的褶皺。acundo M.Fernándeza領(lǐng)導的一個研究小組以前開發(fā)了一個概念驗證研究，該研究表明3D紅外攝像機可用于指導機器人手臂。這將允許收集樣品進行等離子體電離質(zhì)譜分析
2018-11-27 16:29:15
襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。中科院半導體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該
2018-11-05 09:51:35
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領(lǐng)射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術(shù)轉(zhuǎn)化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導體小廠改善并驗證了硅上氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產(chǎn)品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
。下文介紹RoHS指令6種有害物質(zhì)的檢測方法。RoHS檢測方法1.X射線熒光光譜法① 適用范圍：塑料部件、金屬部件、電子元件中鉛、汞、鎘、總鉻、溴的篩選測試② 技術(shù)特點：一次性快速定性分析樣品中的鉛、汞
2019-04-28 16:58:05
問題，因為涉及的損害很低。此外，它們比干法蝕刻方法更便宜且不復雜。另一個重要的優(yōu)點是濕法蝕刻可以選擇性地去除不同的材料。本文介紹了n型氮化鎵在幾種電解質(zhì)水溶液中(光)電化學行為的基礎(chǔ)研究結(jié)果，以及在
2021-10-13 14:43:35
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓撲結(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
推廣應(yīng)用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學的森勇介教授，一直在從事高品質(zhì)的半導體研究，這一次，我們就氮化鎵的研發(fā)情況、研究成果對未來的應(yīng)用前景產(chǎn)生的影響，森教授進行了訪談。目前，功率半導體的應(yīng)用廣泛，其
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
材料特性對比展開，通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置：示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步：電路設(shè)計和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程，接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
，其中包括電極的平衡性質(zhì)和通電后的極化性質(zhì)，也就是電極和電解質(zhì)界面上的電化學行為。電解質(zhì)學和電極學的研究都會涉及到化學熱力學、化學動力學和物質(zhì)結(jié)構(gòu)。四、電化學分析方法電化學分析
2017-10-16 10:06:07
的連接。展開圖中二次設(shè)備的接點與線圈分散布置，交流電壓、交流電流、直流回路分別繪制。這種繪制方式容易跟蹤回路的動作順序，便于二次回路的設(shè)計，也容易在讀圖時發(fā)現(xiàn)回路中的錯誤?！ ?. 安裝接線圖：包括
2023-03-08 14:41:27
，2013年1月達到140lm為/W。 硅芯片和藍寶石的區(qū)別，藍寶石是透明襯底，硅襯垂直結(jié)構(gòu)，白光出光均勻，容易配二次光學。硅襯底氮化鎵基LED直接白光芯片，熒光粉直涂白光芯片分布集中。 下一步怎么做呢
2014-01-24 16:08:55
, Ga)，因為鎵元素具有低熔點、低蒸氣壓、及良好的抗氧化力；典型的離子束顯微鏡包括液相金屬離子源、電透鏡、掃描電極、二次粒子偵測器、5-6軸向移動的試片基座、真空系統(tǒng)、抗振動和磁場的裝置、電子
2020-02-05 15:13:29
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
一定量的雜質(zhì)，以控制半導體中載流子的濃度。對于硅，可以使用離子注入法，然后退火處理，在晶體中摻雜磷（以添加自由電子）或硼（以減去自由電子），從而使電荷能夠自由移動。對于氧化鎵，可以用同樣的方法在晶體中摻雜
2023-02-27 15:46:36
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
【摘要】通用CAD系統(tǒng)采用開放式結(jié)構(gòu)體系，提供相應(yīng)的二次開發(fā)手段和方法。研究了面向?qū)ο蟮膮?shù)化二次開發(fā)技術(shù)及方法，以期為CAD的二次開發(fā)提供指導，并以Pro/Engineer為軟件
2009-03-19 21:37:16
34 中圖儀器二次元影像儀供應(yīng)商推出的CHT322U二次元影像測量儀，可作長度、角度、形狀、表面等檢驗工作。屬非接觸式、二次元測量， 尤其適合彈性、脆性材料的測量。除可利用照相、二次元坐標處理機、數(shù)字
2022-09-13 17:00:10
二次電池的特性和應(yīng)用摘要：在現(xiàn)代文明中，二次電池已走入千家萬戶，是我們生活中不可缺少的物品。在現(xiàn)在市場上,主要的二次電池是鉛酸電池、鎘鎳電池、氫鎳
2009-11-04 13:31:2917 二次電池簡介 傳統(tǒng)拋棄式的一次電池用完即丟，不但浪費材料，電池內(nèi)的電解質(zhì)等化合物更有污染環(huán)境之虞，若改換可以重復使用的電池，就無疑地可以解決上
2009-11-06 14:51:1715 該文針對微弱回波信號的檢測，在二次門限檢測過程中引入約束判決。就約束判決對總虛警概率的改善作用及對總檢測概率的影響進行了定量分析，建立了基于約束判決的二次門限
2009-11-09 14:57:1612 主要內(nèi)容：
1、二次電池簡介;
2、鎳氫二次電池：包括原理、結(jié)構(gòu)、工藝及應(yīng)用現(xiàn)狀;
3、鋰離子二次電池：包括原理、結(jié)構(gòu)、工藝及應(yīng)用現(xiàn)狀;
2010-09-12 17:02:3818 二次電池及充電FAQ
Q.何謂二次電池? A.可重復充電使用的電池，全稱為二次電池。
Q.二次電池有何種類? A.
2008-09-07 01:52:02681 二次電池的特性和應(yīng)用
在現(xiàn)代文明中，二次電池已走入千家萬戶，是我們生活中不可缺少的物品。在現(xiàn)在市場上,主要的二次
2009-05-24 16:49:192602 電流互感器二次帶電的原因及分析
電流互感器(下稱CT)在工作狀態(tài)，其二次是決不允許開路的，否則將使二次回路出現(xiàn)高壓和帶電現(xiàn)象，輕則損壞電氣設(shè)備，
2009-07-11 22:01:451231 
鋰離子電池及其電解質(zhì)的研究
摘要 介紹了鋰離子二次電池的發(fā)展以及與其它二次電池性能的比較，并對影響鋰離子二次電池性能的幾個問題作了闡述。著重論述了
2009-11-04 08:37:513696 二次電池的特性和應(yīng)用上海冶金研究所 郭懋端（上海200050）摘要：在現(xiàn)代文明中，二次電池已走入千家萬戶，是我們生活中不可缺少的物品。
2009-11-04 13:29:516927 鋰離子二次電池材料特點分析 鋰離子二次電池材料：磷酸亞鐵鋰：高安全性、長壽命、高溫性能好、價格低廉，主要用于大型電池和動力電池。鎳
2009-11-10 14:39:50927 離子二次電池名詞解析 鋰離子二次電池（for rechargeable lithium ion batteries; lithium ion secondary batteries; lithium ion batteries;）
鋰離
2009-11-13 15:59:49735 什么是二次諧波 ？二次諧波的定義？ 諧波產(chǎn)生的根本原因是由于非線性負載所致。當電流流經(jīng)負載時，與所加的電壓不呈線性關(guān)系，就形成
2009-11-14 16:41:4115014 摘要：綜述了鋰離子二次電池正極材料的研究進展,著重敘述了LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4及被修飾的LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4正極材料的合成方法。 關(guān)鍵詞:鋰離子二次電池
2011-02-24 12:11:2930 本文全面研究了不同DSP芯片的加載方法與差異，并根據(jù)這些特點提出了通用的二次加載方法。
2011-07-29 11:16:437809 
根據(jù)二次調(diào)節(jié)的技術(shù)特點，提出了二次調(diào)節(jié)流量耦聯(lián)系統(tǒng)功率匹配研究
2011-08-17 18:08:3916 基于目前思坦水聲定位系統(tǒng)主控軟件系統(tǒng)，采用了水聲二次定位系統(tǒng)的水聲傳播原理，結(jié)合水面GPS定位技術(shù)，針對水下目標的位置坐標進行精確確定技術(shù)的方法編寫的定位算法，通過思坦水聲定位系統(tǒng)主控軟件測試和大量實驗，軟件已經(jīng)大量使用，研究的水下二次定位系統(tǒng)的定位算法可行性。
2015-12-24 15:43:108 基于二次特征壓縮技術(shù)的油液監(jiān)測方法研究_劉學工
2017-03-17 15:31:080 通信用二次電源的網(wǎng)上設(shè)計方法
2017-09-11 09:24:443 的評價結(jié)果以及檢修計劃的制定。本文通過分析現(xiàn)有對二次設(shè)備狀態(tài)評價基礎(chǔ)數(shù)據(jù)處理的方法存在的問題和不足，以及數(shù)據(jù)挖掘算法中粗糙集與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法的特征，提出了一種將這兩種算法結(jié)合用于處理基礎(chǔ)數(shù)據(jù)的思想，從而達到更
2017-12-15 11:34:481 該研究指出，科學家為挑戰(zhàn)銦含量極限，于是在氮化鎵（GaN）上生長氮化銦（InN）單原子層，不過實驗結(jié)果顯示，銦的濃度含量一直停留在25% 到30%，而且無法繼續(xù)上升，這顯示銦含量受限并非受到環(huán)境影響，而是InN本身的限制機制。
2018-01-25 15:07:338059 
本文開始介紹了什么是二次電池與二次電池的原理，其次介紹了 二次電池充放電方程式與常見的幾種二次電池，最后介紹了二次電池有何共同特點，分析了一次電池和二次電池的區(qū)別。
2018-02-02 10:23:5525109 為了能更好地研究二次再熱汽輪機組控制技術(shù)，針對二次再熱機組DEH建模的問題，進行了理論分析與仿真研究。闡述了二次再熱機組與一次再熱機組的結(jié)構(gòu)區(qū)別與特點，分析了二次再熱機組啟動方式、控制方案，重點研究
2018-03-13 15:09:270 經(jīng)過市場調(diào)研，現(xiàn)在LED 顯示屏二次開發(fā)接口良莠不齊，沒有統(tǒng)一的標準，有的太簡單，很難滿足工程應(yīng)用，而有的又太復雜，造成系統(tǒng)集成周期長、代價大。因此，經(jīng)過研究，本文提出一種新的LED 二次開發(fā)接口的設(shè)計方法，讓用戶簡單、快速地實現(xiàn)系統(tǒng)集成，同時減少二次開發(fā)時間和代價。
2020-01-18 16:54:004653 摘要：二次鋰電池組是什么意思？二次鋰電池組是指由幾個二次電池組組成的鋰電池就叫二次鋰電池組。一次電池和二次電池的四大差異是什么？一次電池是指的不能重復充電的電池，如我們常用的5號，7號電池。 二次
2020-11-13 09:30:4916819 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為
2020-11-20 14:08:177688 研究絕對值函數(shù)的3個光滑逼近函數(shù)的性質(zhì)，并采用圖像展示了逼近效釆。進而提岀求解凸二次規(guī)劃問題的新方法：將凸二次規(guī)劃轉(zhuǎn)化為非線性方程組，采用光滑逼近函欻進行處理，得到光滑非線性方程鉏，進而利用高階牛頓法進行求解。數(shù)值實驗結(jié)果表明：本文方法收斂快、迭代次數(shù)少。
2021-04-30 14:39:363 DCDC二次電源輻射特性研究(通信電源技術(shù)期刊通過初選)-該文檔為DCDC二次電源輻射特性研究總結(jié)文檔，是一份不錯的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
2021-09-22 12:14:237 獨特特性。氮化鎵具有與硅相當?shù)碾娮舆w移率，但具有一個三倍大的帶隙，使之成為極好的高功率應(yīng)用和高溫的候選人操作。能夠形成薄型algan /GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)圖，其表現(xiàn)出二維電子氣體現(xiàn)象導致高電子遷移率晶體管。氮化鎵研究的另一個有趣方向，它是基于GaN的微機械cal設(shè)備或GaN微機電系統(tǒng)(MEMS)。
2022-03-23 14:15:082074 
本書主要講述鋰二次電池的原理、發(fā)展和一些基本概念，包括正極材料、負極材料、非水液體電解質(zhì)、聚合物電解質(zhì)、無機電解質(zhì)和電解質(zhì)鋰鹽，還包括其他輔助材料及其特點與應(yīng)用。該書不僅可以作為本科生的課外學習資料
2022-05-16 10:57:370 說明：該要領(lǐng)為電磁型保護二次圖紙看圖方法，目前微機型保護二次圖紙有所區(qū)別，但以上看圖要領(lǐng)仍有一定的參考價值。
2022-11-02 09:33:174551 什么是二次鋰電池組？二次鋰電池組是指由幾個二次電池組組成的鋰電池就叫二次鋰電池組，一次鋰電就是不能充電的鋰電池，二次鋰電就是可以充電鋰電池。
2022-12-02 14:53:337320 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 的一些獨特特性。氮化鎵具有與硅相當?shù)?
電子遷移率，但具有一個三倍大的帶隙，使之成為極好的高功率應(yīng)用和高溫的候選人操作。能夠形成薄型algan /GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)
圖，其表現(xiàn)出二維電子氣體現(xiàn)象導致高電子遷移率晶體管。氮化鎵研究的另一個有趣
2023-02-21 14:57:374 研究采用電感耦合等離子體刻
蝕法對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離
子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕性
2023-02-22 15:45:411 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:412272 
壽命等角度，進行與二次電池相匹配的充電控制。 二次電池的主要充電方法 恒流充電**（ CC : C onstant** C urrent） 恒流充電是為了防止過電流充電而通過恒定電流對二次電池進行充電的方法。 （為防止二次電池的過電壓，也有采用低恒流充電或分階
2023-07-05 17:23:172308 
電池（紐扣電池） 二次電池（充電式） ●鎳氫電池 ●鎳鎘電池 ●鉛酸電池 ●鋰離子電池 ●全固態(tài)和半固態(tài)電池 ■鋰離子電池 二次電池中的主流是鋰離子電池。 這種電池的結(jié)構(gòu)是正極使用鋰金屬氧化物，負極使用碳，在它們之間填充電解
2023-07-05 17:24:257261 
電流互感器二次接線? 電流互感器是一種電力測量儀器，主要用于測量高電壓和高電流下的電流值，其原理是利用電磁感應(yīng)作用測量電路中的電流，通過二次繞組輸出標準的電流信號。電流互感器的二次電流接線非常重要
2023-09-01 11:03:377545 論文研究氮化鎵GaN功率集成技術(shù)
2023-01-13 09:07:473 電池的特征以及一次電池與二次電池之間的區(qū)別。 一、二次電池的特征： 1.可充電性：二次電池是可以反復充電和放電的。在其內(nèi)部的化學反應(yīng)過程中，正負電極之間的化學物質(zhì)會發(fā)生變化，從而將電能轉(zhuǎn)換為化學能量。在充電過程中，
2023-11-17 14:49:044532 什么是二次回路？二次回路的分類有哪些？二次回路抗干擾措施? 二次回路是指將一部分輸出信號再次接入系統(tǒng)的輸入端形成的回路。其作用是通過對輸出信號進行反饋和控制，以調(diào)節(jié)系統(tǒng)的穩(wěn)定性、精度和抗干擾能力
2023-11-20 15:01:235734 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011008 什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵
2023-11-24 11:05:117181 使用的材料。 氮化鎵的提取過程： 氮化鎵的提取過程主要包括兩個步驟：金屬鎵的提取和氮化反應(yīng)。 金屬鎵的提取 金屬鎵是氮化鎵的基本組成元素之一。為了提取金屬鎵，我們通常采用化學反應(yīng)的方法。常用的方法是將氮化鎵芯片在高
2023-11-24 11:15:206429 晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416137 對目前市場上的幾種主要氮化鎵芯片進行比較分析，幫助讀者了解不同型號芯片的特點和適用場景。 一、氮化鎵芯片的基本原理 氮化鎵（GaN）是一種硅基半導體材料，具有較高的載流子遷移率和較大的擊穿電場強度，使其具備優(yōu)秀的高
2024-01-10 09:25:573841 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導通電阻等優(yōu)點，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢，合理的驅(qū)動方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化鎵
2024-01-10 09:29:025949 氮化鎵是一種重要的半導體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料，受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先，我們來介紹
2024-01-10 10:03:216728 芯片的研發(fā)過程。 研究和理論分析 氮化鎵芯片的研發(fā)過程首先始于對材料本身的研究和理論分析。研究人員會通過實驗和理論計算，探索不同的材料配比和工藝，并確定最適合制備氮化鎵芯片的方法和條件。他們會研究氮化鎵的物理性
2024-01-10 10:11:392150 的結(jié)構(gòu)通常采用六方晶系，屬于閃鋅礦型結(jié)構(gòu)。在氮化鎵晶體中，鎵原子和氮原子交替排列，形成緊密堆積的晶格結(jié)構(gòu)。氮化鎵晶體中含有三維的GaN基底，其晶格常數(shù)約為a=0.3162 nm和c=0.5185 nm。 制備方法： 氮化鎵的制備方法有多種，其中最常用的
2024-01-10 10:18:336032 生并傳導會帶來一系列的問題。本文將詳細探討二次諧波和三次諧波的區(qū)別，并深入分析它們對電力系統(tǒng)的危害。 一、二次諧波的定義和特點： 二次諧波是指頻率是基波頻率的兩倍的電流或電壓成分。在電力系統(tǒng)中，二次諧波主要來源于
2024-04-08 17:11:5412183 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《堆疊多個bq2941x鋰離子二次電壓保護器.pdf》資料免費下載
2024-10-18 11:19:041
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