性能提出極限要求，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成技術(shù)，已成為延續(xù)摩爾定律、突破性能瓶頸的關(guān)鍵。然而，傳統(tǒng)高溫鍵合工藝導(dǎo)致的熱應(yīng)力損傷、材料失配與界面氧化問題，長期制約著該技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。 面對這一嚴(yán)峻
2025-12-29 11:24:17
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產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn)，在高頻高功率場景中讓傳統(tǒng)硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54735 
半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨(dú)特的物理化學(xué)性能，在芯片貼裝、引線鍵合等工藝中發(fā)
2025-12-21 08:46:471581 
雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無需工藝調(diào)整和 MASK 變動，通過合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
采用3kW大功率架構(gòu)，可滿足重載啟動、急加速等嚴(yán)苛工況需求。驅(qū)動部分突破性選用第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件，依托其寬禁帶材料帶來的耐高溫、高頻開關(guān)特性，在相同體積下實(shí)現(xiàn)了
2025-12-15 14:49:051829 
隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗(yàn)。傳統(tǒng)的離子防護(hù)理念亟待升級。本文將探討在此背景下，高性能離子捕捉劑如何從“被動防御”轉(zhuǎn)向“主動保障”，成為高可靠性設(shè)計(jì)的核心一環(huán)。
2025-12-08 16:36:01531 
引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場強(qiáng)達(dá)3MV/cm，是硅的10倍；熱導(dǎo)率
2025-12-08 07:20:34368 
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢對比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573101 現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
云鎵半導(dǎo)體云鎵半導(dǎo)體發(fā)布3kW無橋圖騰柱GaNPFC評估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術(shù)文檔將重點(diǎn)介紹基于云鎵半導(dǎo)體650VGaN器件的3kW無
2025-11-11 13:43:26816 
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計(jì)的第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績。
2025-11-07 16:46:052452 隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標(biāo)桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 在半導(dǎo)體材料的研究領(lǐng)域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級別的排列細(xì)節(jié)——這種第三代半導(dǎo)體材料，正是現(xiàn)代快充設(shè)備、5G通信
2025-10-31 12:00:073857 
電子器件、材料、半導(dǎo)體和有源/無源元器件。
可以在 CV 和 IV 測量之間快速切換，無需重新連接線纜。
能夠捕獲其他傳統(tǒng)測試儀器無法捕獲的超快速瞬態(tài)現(xiàn)象。
能夠檢測 1 kHz 至 5 MHz
2025-10-29 14:28:09
到元件制作的技術(shù)與應(yīng)用均已突破，散熱及封裝型式問題仍導(dǎo)致應(yīng)用效果遠(yuǎn)不符產(chǎn)業(yè)期待，成長性大打折扣。 智威科技董事長鐘鵬宇說，透過材料與制程創(chuàng)新，以系統(tǒng)性思維打造功率半導(dǎo)體新封裝技術(shù)平臺。(圖片來源:智威科技) 尤其GaN功率元件，因材料散熱系數(shù)較差及結(jié)構(gòu)因素，雖具
2025-10-26 17:36:53989 
自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級
2025-10-23 14:24:06
納微半導(dǎo)體正式發(fā)布專為英偉達(dá)800 VDC AI工廠電源架構(gòu)打造的全新100V氮化鎵，650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件，以實(shí)現(xiàn)突破性效率、功率密度與性能表現(xiàn)。
2025-10-15 15:54:592482 
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，正加速替代傳統(tǒng)硅基材料，在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、快充設(shè)備的核心材料
2025-10-13 18:29:43402 最終產(chǎn)品的質(zhì)量。
**科研機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體材料和器件研發(fā)**
1.**新材料特性研究**
在研究新型半導(dǎo)體材料（如碳化硅 SiC、氮化鎵 GaN）時，測試設(shè)備可以幫助科研人員測量材料的基本電學(xué)特性
2025-10-10 10:35:17
在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動下，化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的規(guī)?；瘧?yīng)用，到第四代氧化鎵（Ga2O3
2025-09-30 15:44:091412 
2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場，羅姆（ROHM）攜多款功率半導(dǎo)體新品及解決方案精彩亮相。展會上羅姆重點(diǎn)展示了EcoSiC?碳化硅（SiC）模塊
2025-09-29 14:35:1812442 
，還請大家海涵，如有需要可看文尾聯(lián)系方式，當(dāng)前在網(wǎng)絡(luò)平臺上均以“ 愛在七夕時 ”的昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 近兩年來，氧化鎵作為一種“超寬禁帶半導(dǎo)體”材料，得到了持續(xù)關(guān)注。超寬禁帶半導(dǎo)體也屬于“第四代半導(dǎo)體
2025-09-24 18:23:164805 
的互補(bǔ)優(yōu)勢，正式建立全面戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同聚焦碳化硅與氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，助力全球能源革命與工業(yè)升級。
2025-09-12 15:45:31722 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布一項(xiàng)重要人事任命：納微董事會已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官，自2025年9月1日起正式履職。同時，Chris
2025-08-29 15:22:423924 氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機(jī)會，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業(yè)
2025-08-21 06:40:348327 近日，應(yīng)充電頭網(wǎng)邀請，在行業(yè)目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術(shù)展開深度分享，為行業(yè)發(fā)展勾勒清晰且充滿希望的藍(lán)圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術(shù)官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發(fā)表了他對氮化鎵材料發(fā)展的寄語。
2025-08-14 15:31:223004 制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:444488 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗！
2025-07-18 16:08:412964 
為提供卓越的效率和功率密度，意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)進(jìn)程，推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-07-18 14:40:16941 功率半導(dǎo)體器件的使用者能夠很好地理解重要功率器件(分立的和集成的)的結(jié)構(gòu)、功能、特性和特征。另外，書中還介紹了功率器件的封裝、冷卻、可靠性工作條件以及未來的材料和器件的相關(guān)內(nèi)容。
本書可作為微電子
2025-07-11 14:49:36
近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)在未來兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競爭激烈的半導(dǎo)體市場環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈
2025-07-07 10:33:223474 
炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜?？蛻糇罱鼰豳u的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 7月3日，氮化鎵（GaN）制造商納微半導(dǎo)體（Navitas）宣布，其650V元件產(chǎn)品將在未來1到2年內(nèi)，從當(dāng)前供應(yīng)商臺積電（TSMC）逐步過渡至力積電半導(dǎo)體（PSMC）。臺積電回應(yīng)稱，經(jīng)全面評估
2025-07-04 16:12:10660 關(guān)系 ，正式啟動并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的 8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。 納微半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將使用位于臺灣苗栗竹南科學(xué)園區(qū)的力積電8B廠的
2025-07-02 17:21:091548 
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181362 
LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關(guān)。
引言
氮化鎵(GaN)是一種III-V族半導(dǎo)體，為開關(guān)電模式電源(SMPS)提供了出眾的性能。GaN技術(shù)具有高介電強(qiáng)度、低開關(guān)損耗、高
2025-06-11 10:07:24
半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，憑借高功率密度與能效優(yōu)勢，正推動電子設(shè)備技術(shù)革新。
2025-06-05 10:33:562489 
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385 
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵(Ga2O3)之間連續(xù)調(diào)整，兼具寬禁帶半導(dǎo)體特性與靈活的功能可設(shè)計(jì)性，因此在功率電子、紫外光電器件及光電催化等領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢。
2025-05-23 16:33:201473 
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率，實(shí)現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機(jī)、安卓手機(jī)，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵
2025-05-23 14:21:36883 隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 半導(dǎo)體的破產(chǎn)重整。 ? 聚力成半導(dǎo)體早期由重慶捷舜科技有限公司投資設(shè)立，并于2018年9月與重慶大足區(qū)政府簽約，啟動外延片和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目，主要業(yè)務(wù)是硅基氮化鎵/碳化硅基氮化鎵外延片、功率器件晶圓代工、封裝等。 ? 該公司位
2025-05-22 01:07:003546 
從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
摻雜的半導(dǎo)體材料可以滿足要求。本文不介紹駐極體材料，重點(diǎn)介紹P型摻雜的半導(dǎo)體材料。材料可以是P型摻雜的硅，也可以是P型摻雜的聚苯胺（有機(jī)半導(dǎo)體）。因?yàn)镻型摻雜的半導(dǎo)體是通過空穴導(dǎo)電的，這種材料不產(chǎn)生
2025-05-10 22:32:27
深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
全集成保護(hù)型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導(dǎo)體今日正式宣布推出 全新專為電機(jī)驅(qū)動
2025-05-09 13:58:181260 
在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動時仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！
2025-05-08 16:30:141015 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02943 在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。泰克中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣與香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測試測量挑戰(zhàn)展開深入交流。
2025-04-29 11:13:001029 安世半導(dǎo)體近日宣布，旗下先進(jìn)的氮化鎵(GaN)器件成功應(yīng)用于浩思動力(Horse Powertrain)首款超級集成動力系統(tǒng)—Gemini小型增程器的發(fā)電系統(tǒng)中，并且憑借高功率性能和高頻開關(guān)特性
2025-04-29 10:48:473343 
從鍺晶體管到 5G 芯片，半導(dǎo)體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。
2025-04-24 14:33:371214 
發(fā)燒友拍攝 “與硅基器件相比，氮化鎵的功率密度可達(dá) 30W/mm，是硅的150倍，開關(guān)頻率提升 10 倍以上，可使電源適配器體積縮小 60%?！?西安電子科技大學(xué)廣州研究院教授弓小武對媒體表示。當(dāng)前，GaN作為一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年
2025-04-21 09:10:422407 
日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項(xiàng)車規(guī)認(rèn)證，這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動汽車市場的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族， 集成了控制、驅(qū)動、感測以及關(guān)鍵的保護(hù)功能
2025-04-17 15:09:264298 
氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)從消費(fèi)電子的快充向工業(yè)級功率領(lǐng)域滲透，這給了國內(nèi)廠商非常大的市場機(jī)會。在2025CITE電子展上，鎵創(chuàng)晶合董事長助理趙陽接受媒體采訪，分享公司氮化鎵產(chǎn)品和市場近況以及行業(yè)趨勢等話題
2025-04-16 15:12:491444 半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料，芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來代表二進(jìn)制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導(dǎo)體通過一些微觀的構(gòu)造與參雜可以這種性質(zhì)。
2025-04-15 09:32:291644 
半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影，更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體，每一代材料的迭代都推動了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562601 ??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體可借助英諾賽
2025-04-01 10:06:023808 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化鎵方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨
CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件
2025-03-31 14:26:10
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和功能，能實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換、低能耗和高功率密度，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、通信等多個領(lǐng)域，極大地推動了電子產(chǎn)品的升級和工業(yè)設(shè)備性能的提升。
2025-03-24 11:37:571472 
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 18:06:0046951 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054785 
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高效率器件的需求不斷加大?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點(diǎn)，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261527 【DT半導(dǎo)體】獲悉，隨著人工智能（AI）技術(shù)的進(jìn)步，對半導(dǎo)體性能的提升需求不斷增長，同時人們對降低半導(dǎo)體器件功耗的研究也日趨活躍，替代傳統(tǒng)硅的新型半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。石墨烯、過渡金屬二硫化物（TMD
2025-03-08 10:53:061189 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面發(fā)展帶來了新的機(jī)遇和動力。一、氧化鎵8英寸單晶的技術(shù)突破與意義氧化鎵（Ga?O?）作為第四代半導(dǎo)體材料的代表，具有超寬的禁帶寬度（約4.8eV），遠(yuǎn)
2025-03-07 11:43:222412 
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 近日，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布了截至2024年12月31日的未經(jīng)審計(jì)的第四季度及全年財(cái)務(wù)業(yè)績。
2025-02-26 17:05:131247 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-26 04:26:491183 近日，唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和移動設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381784 ，采用氮化鎵材料，體積小巧，僅為57.5*33.5*23.8mm，極大程度的節(jié)省了設(shè)計(jì)空間。該系列電源模塊共有4款，輸出功率40W，輸出電壓分別為9V、12V、1
2025-02-24 12:02:321021 
GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級解決方案，預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867 在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團(tuán)隊(duì)優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發(fā)光層再搭配
2025-02-19 14:20:431085 
2024 ）上報(bào)告了 多項(xiàng)基于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵，碳化硅的最新研究進(jìn)展 。研究成果覆蓋功率器件技術(shù)和新型器件技術(shù)： 高速且具備優(yōu)越開關(guān)速度控制能力的3D堆疊式GaN/SiC cascode 功率器件
2025-02-19 11:14:46950 
過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發(fā)展進(jìn)行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發(fā)的最新進(jìn)展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014 
生長4英寸導(dǎo)電型氧化鎵單晶仍沿用了細(xì)籽晶誘導(dǎo)+錐面放肩技術(shù)，籽晶與晶體軸向平行于[010]晶向，可加工4英寸（010）面襯底，適合SBD等高功率器件應(yīng)用。 ? 在以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體之后，氧化鎵被視為是下一代半導(dǎo)體的最佳材
2025-02-17 09:13:241340 VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40901 
隨著人工智能、數(shù)據(jù)中心、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體——氮化鎵（GaN）正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。聞泰科技已布局GaN領(lǐng)域多年，憑借卓越的創(chuàng)新能力不斷推動產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，創(chuàng)造新的價(jià)值增量。
2025-02-10 17:15:041127 
深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化鎵芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無線通信領(lǐng)域，設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234 
為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)，意法半導(dǎo)體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝（SiP）的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。
2025-02-06 11:31:151133 近日，荷蘭特文特大學(xué)科學(xué)家開發(fā)出一種新工藝，能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導(dǎo)體材料。他們表示，通過精準(zhǔn)控制這種半導(dǎo)體材料的晶體結(jié)構(gòu)，大幅降低了內(nèi)部納米級缺陷的數(shù)量，可顯著提升光電子學(xué)效率，進(jìn)而
2025-01-23 09:52:54686 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準(zhǔn)度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449 
在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角，成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關(guān)電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關(guān)速度和高頻率的開關(guān)能力，能夠迅速地切換電路狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)
2025-01-15 16:08:501733 PI公司誠邀您報(bào)名參加電子研習(xí)社主辦的線上直播。我們的技術(shù)專家將為您帶來專題演講，介紹新的氮化鎵耐壓基準(zhǔn)。
2025-01-15 15:41:09899 東科半導(dǎo)體集成雙氮化鎵功率管的有源鉗位反激電源管理芯片-DK8607AD一、產(chǎn)品概述：DK8607AD電源管理芯片是一款集成了兩顆GaN功率器件的有源鉗位反激控制AC-DC功率開關(guān)芯片
2025-01-10 16:29:49
趨勢一：碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）宛如兩顆冉冉升起的新星，正以迅猛之勢改變著行業(yè)格局。 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，SiC
2025-01-08 16:32:155035 東科半導(dǎo)體集成雙氮化鎵功率管的不對稱半橋AC-DC-100W電源管理芯片-DK8710AD一、產(chǎn)品概述DK87XXAD是一顆基于不對稱半橋架構(gòu)，集成了兩顆氮化鎵功率器件的AC-DC功率開關(guān)芯片
2025-01-08 15:33:07
東科半導(dǎo)體高性能AC-DC 45W氮化鎵電源管理芯片-DK045G 一、產(chǎn)品概述：DK045G是一款高度集成了650V/400mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開關(guān)芯片
2025-01-08 10:46:14
隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石。在眾多半導(dǎo)體材料中，鎵因其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，在半導(dǎo)體制造中占據(jù)了一席之地。 鎵的基本性質(zhì) 鎵是一種柔軟、銀白色的金屬，具有低熔點(diǎn)
2025-01-06 15:11:592707 近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
2025-01-06 11:29:141123
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