高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場(chǎng)效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開(kāi)來(lái)，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來(lái)跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
金屬材料單重計(jì)算 軟件 金屬材料單重計(jì)算 軟件 金屬材料單重計(jì)算 軟件
2021-09-26 23:03:37
以外的所有材料。加工厚度達(dá)到100mm，在鋁板及非金屬材料加工上擁有其他加工方法不能達(dá)到的良好效果。切割精度達(dá)到正負(fù)0.2mm，不損傷材料表面，加工工件時(shí)在冷卻狀態(tài)切割，不產(chǎn)生熱變形及物理性能變化。切割面平滑不刺手,切割縫最小為1mm，工藝精細(xì)，精確度高，效率快，質(zhì)量好.`
2018-07-05 11:28:29
蝕度）K(mm/a)表示。一般非金屬材料的耐腐蝕性比金屬材料高的多。對(duì)金屬材料而言，其腐蝕形式主要有兩種：一種是化學(xué)腐蝕，另一種是電化學(xué)腐蝕?；瘜W(xué)腐蝕是金屬直接與周圍介質(zhì)發(fā)生純化學(xué)作用而引起的腐蝕
2017-08-25 09:34:50
金屬材料的工藝性能和切削加工性能的介紹：http://www.gooxian.com/ 1.金屬材料的工藝性能 （1）鑄造性能鑄造性是指澆注鑄件時(shí)，材料能充滿比較復(fù)雜的鑄型并獲得優(yōu)質(zhì)鑄件的能力
2017-08-25 09:36:21
及其合金一般具有良好的電導(dǎo)性，而高分子材料合陶瓷材料一般都是絕緣體，但是，有些高分子復(fù)合材料具有良好的電導(dǎo)性，某些特殊成分的陶瓷材料則是具有一定電導(dǎo)性的半導(dǎo)體。通常金屬的電阻率隨溫度的升高而增加，而非金屬材料
2017-08-25 09:33:28
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
有限公司承辦。 本屆論壇為期3天，同期二十余場(chǎng)次會(huì)議，25日上午 “氮化鎵材料與器件技術(shù)”分會(huì)如期召開(kāi)，分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測(cè)材料，高效量子
2018-11-05 09:51:35
，尤其是2010年以后，MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
多個(gè)方面都無(wú)法滿足要求。在基站端，由于對(duì)高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導(dǎo)通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
% 化學(xué)物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過(guò) 50% 的包裝材料，那氮化鎵的環(huán)保優(yōu)勢(shì)，將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡(jiǎn)稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體，其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
（Ⅰ）、（Ⅱ）兩部分。第一部分為一般磁性、非金屬磁性和材料及磁共振。主要介紹一般和非金屬磁性、微波磁學(xué)、磁光學(xué)、磁電子學(xué)、磁記錄、各種磁共振（鐵磁、順磁、核磁共振和M ***auer效應(yīng)）。第二部分為金屬磁性
2019-07-30 08:04:09
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
如何實(shí)現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個(gè)c to c 的一個(gè)充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個(gè)口不可以充電，它是用來(lái)轉(zhuǎn)VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
實(shí)用機(jī)械工程材料手冊(cè)介紹了工業(yè)中用量較大、覆蓋面較廣的各類工程材料（包括鋼鐵材料、有色金屬材料、粉末冶金材料、工程塑料、高分子復(fù)合材料以及無(wú)機(jī)非金屬材料等）和性能數(shù)據(jù)（包括材料的化學(xué)組成、常規(guī)
2008-12-24 00:21:10
已經(jīng)在電池上采用多極耳，多條連接線來(lái)降低大電流的發(fā)熱。氮化鎵的低阻抗優(yōu)勢(shì)，可以有效的降低快充發(fā)熱。應(yīng)用在手機(jī)電池保護(hù)板上，可以支持更高的快充功率，延長(zhǎng)快充持續(xù)時(shí)間，獲得更好的快充體驗(yàn)。同時(shí)氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
激光切割機(jī)可切割的材料非常廣泛，包括金屬材料和非金屬材料。一般來(lái)說(shuō)，光纖激光切割機(jī)和固體激光切割機(jī)多用于金屬切割，而大功率的CO2激光切割機(jī)則在非金屬材料上占有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)！激光切割機(jī)可切割的材料總結(jié)
2013-02-19 11:14:46
電渦流式傳感器可測(cè)鐵磁和非鐵磁所有金屬材料？
2015-12-02 09:52:33
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢(qián)博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
Altium designer非金屬化孔一般怎樣處理呢
2019-08-05 05:35:06
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
的晶體管”?！ ∫了孤兔资怖菍?duì)的。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子自由斷裂并有助于傳導(dǎo)的能量）和其他性質(zhì)讓我們能夠利用這種材料承受高電場(chǎng)的能力，制造性能空前的器件?！ ∪缃瘢?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵是固態(tài)射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域
2023-02-27 15:46:36
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開(kāi)創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
學(xué)習(xí)目的： 通過(guò)本章的學(xué)習(xí)具備所必需的汽車所使用的
金屬材料基本知識(shí)。
學(xué)習(xí)要求： 掌握
金屬的力學(xué)性能指標(biāo)及常用數(shù)據(jù)?！ ≌莆珍摰臒崽幚淼幕?/div>
2008-10-07 17:48:22
0 最新金屬材料牌號(hào)、性能、用途及中外牌號(hào)對(duì)照速用速查手冊(cè)該書(shū)是一部綜合性金屬材料工具書(shū)，共四卷十六篇，對(duì)金屬材料及其制品的牌號(hào)、成分、性能、用途等知識(shí)均給予詳
2008-10-09 12:48:5765 最新金屬材料牌號(hào)、性能、用途及中外牌號(hào)對(duì)照速用速查實(shí)用手冊(cè)工具書(shū)-該書(shū)是一部綜合性金屬材料工具書(shū)，共四卷十六篇，對(duì)金屬材料及其制品的 牌號(hào)、成分、性能、用途等知識(shí)
2008-12-23 16:31:42847 金屬材料基本知識(shí):第一章金屬材料的分類第一節(jié)鋼鐵材料的分類一、生鐵的分類二、鑄鐵的分類三、鋼的分類第二節(jié)有色金屬材料的分類一、制造業(yè)用有色金屬
2008-12-23 23:08:11241 實(shí)用機(jī)械工程材料手冊(cè)介紹了工業(yè)中用量較大、覆蓋面較廣的各類工程材料（包括鋼鐵材料、有色金屬材料、粉末冶金材料、工程塑料、高分子復(fù)合材料以及無(wú)機(jī)非金屬材料等）
2008-12-24 00:19:26189 機(jī)械工程材料實(shí)用手冊(cè)介紹了工業(yè)中用量較大、覆蓋面較廣的各類工程材料（包括鋼鐵材料、有色金屬材料、粉末冶金材料、工程塑料、高分子復(fù)合材料以及無(wú)機(jī)非金屬材料等）
2008-12-24 00:27:072412 ................................................................................................................................ 5第二章 金屬材料...................................................................
2008-12-24 10:24:1650 金屬材料疲勞性能測(cè)定一、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1、了解旋轉(zhuǎn)彎曲疲勞試驗(yàn)機(jī)的結(jié)構(gòu)、操作過(guò)程。2、了解旋轉(zhuǎn)彎曲疲勞試驗(yàn)的基本原理和試驗(yàn)過(guò)程。二、實(shí)驗(yàn)?zāi)康募耙笤搶?shí)驗(yàn)的
2009-05-15 01:02:4538 綜述了質(zhì)子導(dǎo)電性無(wú)機(jī)非金屬材料的發(fā)展, 介紹了它們?cè)谥懈邷厝剂想姵? 氫傳感器, 氫的電解制備、分離和提純, 氫分子泵, 有機(jī)合成的催化加氫和脫氫等能源變換及各種電化學(xué)裝
2009-07-14 10:26:3937 研究經(jīng)濟(jì)有效的耐蝕接地網(wǎng)金屬材料對(duì)于提高電網(wǎng)工作穩(wěn)定性有重要意義。用電化學(xué)測(cè)試方法及電解試驗(yàn)方法在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了金屬材料耐蝕性能篩選試驗(yàn)，并在變電站現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行了小
2009-12-28 16:39:019 金屬材料冷熱沖擊試驗(yàn)箱尺寸規(guī)格：型號(hào):TS-49 400×350×350 1400×1800×1400型號(hào):TS-80 500×400×400
2023-08-04 14:08:37
金屬材料工程詞典說(shuō)明：1、本詞典所收集詞匯包括單詞、短語(yǔ)及句式，所涉及的領(lǐng)域包括：金屬材料、機(jī)械加工、熱處理、焊接、鑄造、鍛造、建筑土木工程、機(jī)械檢驗(yàn)及品質(zhì)
2010-12-07 10:15:25164 非金屬材料的分類在機(jī)械、工程等工業(yè)領(lǐng)域中，采用的材料種類及品種繁多、涉及范圍及其廣泛。非金屬材料的分類
2008-12-24 10:36:03
9974 
金屬材料的性能
為更合理使用金屬材料，充分發(fā)揮其作用，必須掌握各種金屬材料制成的零、構(gòu)件在正常工作情況下應(yīng)具備的性能（使用
2008-12-24 10:36:541062 金屬材料沖擊性能測(cè)定一、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1、測(cè)定材料常溫下的沖擊吸收功AK。2、分析斷口形貌，確定材料的韌脆性。二、實(shí)驗(yàn)?zāi)康募耙笤搶?shí)驗(yàn)的目的
2009-05-15 01:01:502220 離子晶體結(jié)構(gòu)
???陶瓷材料屬于無(wú)機(jī)非金屬材料，是由金屬與非金屬元素通過(guò)離子鍵或兼有離子健和共價(jià)鍵的方式結(jié)合起來(lái)的。陶瓷的晶體結(jié)構(gòu)大多屬離子晶體。
2009-08-06 14:11:369063 金屬材料品質(zhì)認(rèn)證和鑒定
目前研究并且可以用于生產(chǎn)實(shí)際的多種新型免維護(hù)合金如圖所示：
2010-05-25 11:46:16678 我們報(bào)道了下一代iPhone可能使用的液態(tài)金屬材料新聞，這引起了不少讀者的好奇，液態(tài)金屬材料究竟是什么材料？
2012-04-23 08:58:051156 已全部加載完成
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