電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
上。 不過，隨著碳化硅價格的下降、性能和可靠性的提高，其性能得到改善，可靠性得到了證明，在列表中的地位調(diào)高了，現(xiàn)在已被視為現(xiàn)有舊技術(shù)器件的替代品和新設(shè)計的起點。 碳化硅的采用取決于應(yīng)用，所以
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
上，對介電常數(shù)要求嚴格，雖然有低溫共燒陶瓷，仍然無法滿足他們的要求，需要一種性能更好的升級產(chǎn)品，建議可以使用富力天晟的碳化硅基板；因應(yīng)汽車需求而特別開發(fā)的產(chǎn)品（如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結(jié)合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點。關(guān)于碳化硅熔點的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時間，能以更低成本實現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，熱導(dǎo)率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場強更是硅的10倍。材料特性對比如圖（1）所示。 圖（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對比 在硅基半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)進入瓶頸期時，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
二十世紀五十年代后半期，才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀九十年代，碳化硅技術(shù)才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比，較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
2025-06-25 09:13:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
無不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET平面柵結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET溝槽柵結(jié)構(gòu)等。這些不同的技術(shù)對于碳化硅功率器件應(yīng)用到底有什么影響，該如何選擇呢？首先
2022-03-29 10:58:06
圖片所示，列出了幾個廠家，基本上都是歐美的。國產(chǎn)有哪些品牌也在做？3.硅、碳化硅、氮化鎵這三種材料其實是各有優(yōu)缺點，傳統(tǒng)的硅組件不一定都是缺點。他們?nèi)g有哪些優(yōu)缺點呢？（百度的東西不夠系統(tǒng)全面，都是很散的回復(fù)，而且有些論文羅里吧嗦講了很多，沒說重點，不夠簡潔）
2021-09-23 15:02:11
電機驅(qū)動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務(wù)器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內(nèi)開發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:22 編輯
國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)：
1 車載電源OBC與最新發(fā)展
2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)
3 11kW全
2022-06-20 16:31:07
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
的基本物理學(xué)特性仍然在阻礙著其性能的進一步提高，這限制了創(chuàng)新且又簡單的拓撲結(jié)構(gòu)應(yīng)用，因而也阻礙了可持續(xù)綠色高效率的拓撲發(fā)展。本文討論的碳化硅MOSFET技術(shù)在應(yīng)用中同樣也存在挑戰(zhàn)，并非所有碳化硅
2023-03-14 14:05:02
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
，保證各大功率負載的正常運行。同時在汽車驅(qū)動模塊中還需要抗震耐磨的PCB，而碳化硅材料的耐磨與抗震等機械性能優(yōu)良，能保證其長久的使用壽命。根據(jù)時報，新能源汽車電源模塊至2020年市場空間有望提升
2020-12-09 14:15:07
概要：本文將討論諧振LLC和移相（Phase Shift）兩種隔離DC/DC拓撲的性能特點以及在新能源汽車電源中的應(yīng)用，然后針對寬禁帶碳化硅MOSFET對兩種隔離DC/DC拓撲的應(yīng)用進行了比較，并
2016-08-25 14:39:53
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點是：化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:40
6521 ，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展。基本半導(dǎo)體的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:192135 、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:023904 汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:001067 特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？ 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點，碳化硅技術(shù)能夠幫助電動汽車實現(xiàn)快速充電，增加續(xù)航；這個特性使得眾多的車企把目光投注過來。 我們
2023-02-02 17:39:093880 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25。
2023-02-03 16:11:355708 電機碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機的技術(shù)，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等，來提高電機的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:007613 汽車碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作汽車零部件的技術(shù)，它可以提高汽車零部件的性能，提高汽車的效率、耐久性和可靠性，并且可以降低汽車的成本。
2023-02-16 18:21:031051 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
汽車碳化硅逆變器是一種基于碳化硅芯片制造的逆變器，用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，以驅(qū)動電動車的電動機。其主要原理是利用逆變器電路中的三相橋式變流器，將直流電轉(zhuǎn)換為高頻的脈寬調(diào)制信號，再通過濾波電路將其轉(zhuǎn)換為交流電輸出。
2023-02-25 15:02:394611 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統(tǒng)的電子器件，由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)制造而成，可以實現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開關(guān)，適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:224048 MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:152612 6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:561715 
11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：器件主控：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:511403 6.3.3熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理
2022-01-04 14:10:561468 5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:551433 來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:203965 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787 柵雙極晶體管）和碳化硅器件所使用的半導(dǎo)體材料不同。IGBT主要使用的是硅材料，而碳化硅使用的則是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半導(dǎo)體材料，具有一定的電性能和可靠性，但是它的熱穩(wěn)定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的熱穩(wěn)定性非常好，具有更高的耐溫性能，能夠承受更高的工作溫度和電壓。
2023-08-25 14:50:0421116 碳化硅（SiC）MOS管作為一種新型功率器件，與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，在某些特定條件下具有獨特的優(yōu)勢，但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點和缺點。
2023-09-26 16:59:072237 
碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能，碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
2024-01-09 09:26:494326 碳化硅（SiC）和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體（Si）是兩種常見的半導(dǎo)體材料，它們在電子器件制造中具有廣泛的應(yīng)用。然而，碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點。 優(yōu)點： 更高的熱導(dǎo)率：碳化硅的熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體
2024-01-10 14:26:523996 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646 
碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:292115 
共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效，高
2024-02-21 18:24:152726 
2024年以來，包括廣汽集團等4家企業(yè)均推出了基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案，意味著碳化硅有望在充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用
2024-01-29 16:53:254054 
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，在功率電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅芯片的設(shè)計和制造是實現(xiàn)其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，本文將對碳化硅芯片的設(shè)計和制造過程進行詳細的探討。
2024-03-27 09:23:402169 
碳化硅技術(shù)的應(yīng)用逐漸成為行業(yè)新寵，尤其是在提升電動汽車性能方面。越來越多的汽車制造商開始關(guān)注并投入到自主研發(fā)碳化硅模塊的隊伍中。
2024-04-11 14:50:39954 
過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如雙極結(jié)晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管
2024-05-30 11:23:032192 
碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)點、應(yīng)用領(lǐng)域及其發(fā)展前景。
2024-09-11 10:44:301739 
Wolfspeed碳化硅助力實現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
2024-10-24 10:51:36
2 碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 1. 太陽能光伏 碳化硅材料在太陽能光伏領(lǐng)域主要應(yīng)用于制造高性能的太陽能電池。由于其高熱導(dǎo)率和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，碳化硅可以作為太陽能電池的基底材料，提高電池的效率和壽命
2024-11-29 09:31:191783 在現(xiàn)代工業(yè)中，高性能材料的需求日益增長，特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進的陶瓷材料，因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 碳化硅是一種共價鍵合的陶瓷材料，具有高硬度
2025-01-24 09:15:483087 多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而受到關(guān)注。
2025-02-05 13:49:121953 
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展，成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細探討碳化硅功率器件的特點及其應(yīng)用現(xiàn)狀。
2025-04-21 17:55:031082 隨著全球汽車行業(yè)向電動化、智能化和輕量化的快速轉(zhuǎn)型，碳化硅（SiC）功率器件以其優(yōu)越的性能，正日益成為汽車電子領(lǐng)域的重要組成部分。特別是在電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）的各類應(yīng)用中，SiC
2025-05-29 17:32:311082
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論