場效應管放大電路
偏置電路
有自生偏置和混合偏置兩種方法，表1電路I利用漏極電ID通過Rs所
2009-06-30 13:50:06
998 場效應管放大電路
場效應管(FET)與雙極型晶體三極管(BJT)一樣能實現(xiàn)對信號的控制。由場效應管組成的基本放大電
2009-09-16 09:59:2044201 場效應管與晶體管一樣都能實現(xiàn)信號的控制，所以也常用于放大電路。場效應管放大電路常見的組態(tài)有共源、共漏兩種。
2022-07-30 15:57:3411919 
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET)。
2023-02-24 17:51:3217039 
場效應管(Field-Effect Transistor，簡稱 FET)是一種三端半導體器件，其特點是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快、功耗低等。FET分為兩種類型：JFET(結型場效應管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)。
2023-02-25 16:23:174347 場效應管是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常，場效應管的主體與源極端子相連，從而形成三端器件，例如場效應晶體管。場效應管通常被認為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。
2023-02-27 17:49:445549 
（ Meta Oxide Semiconductor FET，簡稱MOSFET,1960年誕生 ）組成。 ? ? ? 2 場效應管的分類及工作原理 場效應管是一種單極型晶體管，與雙極型晶體管BJT都屬于晶體管。 在雙極
2023-06-28 08:39:286957 
則是由一個絕緣柵和源漏極組成。 MOSFET又可以分為增強型和耗盡型兩種類型 。與晶體管相比， 場效應管具有輸入電阻高、噪聲小、體積小等優(yōu)點 ，因此在電子電路中得到了廣泛的應用。
2023-11-17 16:29:526972 
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 16:45 編輯
共集、共基放大電路和場效應管放大電路
2012-08-20 08:58:50
— 對漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數(shù)。5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作
2011-12-19 16:30:31
，因此它的輸入電阻很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場效應管的抗輻射能力強；（6）由于不存在雜亂
2019-05-08 09:26:37
4.4 場效應管放大電路 4.4.1 FET的直流偏置及靜態(tài)分析? 直流偏置電路? 靜態(tài)工作點 
2009-06-22 23:26:56
場效應管放大電路與BJT放大電路的性能比較場效應管放大電路的共源電路、共漏電路、共柵電路分別與三極管放大電路的共射電路、共集電路、共基電路相對應。共源電路與共射電路均有電壓放大作用，即，而且輸出電壓
2011-07-12 20:09:38
較高的電路中要選用場效應管。7．場效應管和三極管均可組成各種放大電路和開關電路，但由于前者制造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩(wěn)定性好，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點，因而被廣泛用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。
2021-05-13 07:42:16
十五次方歐姆，鑒于這樣的特點來說由場效應管組成的電路功耗都比較小、它的穩(wěn)定性和抗干擾能力都很強，所以現(xiàn)在很多集成芯片中都采用的是場效應管組成的集成電路，有的工作電壓可以低到2V以下。而對與晶閘管組成
2021-03-16 13:48:28
1、放大電路 場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下
2023-02-24 16:28:18
場效應管的分類 場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為廣泛
2009-04-25 15:38:10
1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
場效應管的作用 1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作
2019-05-29 06:18:14
小，說明均是正向電阻，該管屬于N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極?！ ?制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐
2021-05-13 06:55:31
場效應管si2301（p溝道）柵極D1接單片機引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個DCDC然后接負載。問題是，單片機引腳低電平時，輸出端(d)確實為高電壓，但是單片機引腳高電平時。輸出端為0.69v，并沒有完全關斷。這是場效應管的原因還是電路的設計問題？怎么讓場效應管完全關斷呢？
2017-12-09 18:46:35
的功能與三極管相似，可用來制作信號放大器、振蕩器等。由場效應管組成的放大器基本結構有三種，即共源極（S）放大器、共柵（G）放大器和共漏極（D）放大器，如下圖所示。 由于場效應管是一種電壓控制器
2020-12-01 17:36:25
U GS — 對漏極電流I D的控制能力，即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數(shù)。5、BUDS — 漏源擊穿電壓。是指柵源電壓UGS一定時，場效應管
2009-04-25 15:43:12
1)靜態(tài)工作點的測試 上圖為場效應管-SI5853DDC-T1-E3共源極放大器實驗電路圖。該電路采用的自給偏壓的方式為放大器建立靜態(tài)工作點，柵極通過R1接地，因R1中無電流流過，所以柵極與地等
2019-09-10 01:34:43
在分析的時候，比如此時輸入端為高電平，如何確定場效應管源極（S極）的電平，從而無法確定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
屬于N溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。 制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐?！ ∽⒁獠荒苡么朔ㄅ卸ń^緣
2013-03-27 16:19:17
MOS場效應管的工作原理MOS場效應管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導體場效應管）的縮寫
2011-06-08 10:43:25
第一部分 晶體管的工作原理 N型場效應管（N-Channel Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種電極介質驅動的晶體管，通常用來將微弱的輸入信號增強到數(shù)千或數(shù)萬次。其
2023-03-08 14:21:22
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強型場效應管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當V(GS)=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN
2012-07-06 16:30:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
N溝道增強型場效應管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當V(GS)=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN
2012-07-06 16:34:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 編輯
N溝道增強型場效應管的工作原理工作原理：1柵源電壓V(GS)的控制作用: 當V(GS)=0V時，因為漏源之間被兩個背靠背的PN
2012-07-05 11:27:29
晶體管之優(yōu)點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。 眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流
2021-05-13 06:40:51
`功率場效應管(MOSFET)的結構,工作原理及應用 功率場效應管(MOSFET)的結構 圖1是典型平面N溝道增強型場效應管(MOSFET) 的剖面圖。它用一塊P型硅半導體材料作襯底(圖la
2011-12-19 16:52:35
我按照課本為3v357Khz的振蕩源設計了一個IRF540場效應管放大電路,但不知道具體C1，c2,R1,R2等原件的具體取值應該是多少，請高手幫忙計算一下，謝謝了，比較急。
2014-03-13 12:52:12
在電場作用下由源極向漏極作漂移運動，形成漏極電流iD。iD的大小主要受柵-源電壓vGS控制，同時也受漏-源電壓vDS的影響。因此，討論場效應管的工作原理就是討論柵-源電壓vGS對溝道電阻及漏極電流iD
2011-12-19 16:41:25
1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
結型場效應管資料下載內容主要介紹了：結型場效應管結構與分類結型場效應管工作原理結型場效應管特性曲線
2021-04-01 07:50:16
絕緣柵場效應管的導電機理是，利用UGS 控制"感應電荷"的多少來改變導電溝道的寬窄，從而控制漏極電流ID。若UGS＝0時，源、漏之間不存在導電溝道的為增強型MOS管，UGS＝0 時，漏、源之間存在導電溝道的為耗盡型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
請問誰有用
場效應管實現(xiàn)阻抗變換和
放大的
電路，急?。。。?/div>
2015-09-22 09:31:06
場效應三極管及其放大電路場效應管的分類；2. 結型場效應管（JFET）和金屬－氧化物－半導體場效應管（MOSFET）的結構、工作原理、輸出特性曲線和轉移特
2009-11-12 14:19:18
86 場效應管工作原理及應用
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子
2010-01-13 16:08:08159 場效應管工作原理
1.什么叫場效應管？
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)
2010-02-06 10:07:04123 場效應管知識場效應晶體管
1.什么叫場效應管？
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導
2008-01-15 10:26:4717464 
這一節(jié)我們要了解場效應管的分類，各種場效應管的工作特點及根據(jù)特性曲線能判斷管子的類型。
2008-05-23 10:00:485525 
結型場效應管小信號共源放大器
2008-09-27 17:06:034329 
1. 場效應管的工作原理
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載
2009-04-25 11:09:0152926 
mos場效應管工作原理
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載
2009-04-25 15:46:345438 
場效應管放大電路
一
2009-05-23 14:26:232112 
場效應管的基本放大電路
和半導體三極管一樣，場效應管的電路也有三種接法即共源極電路、共漏極電路和共柵極電路。
1.共源極電路共源極電路除有
2009-08-22 15:58:208838 模擬電路網(wǎng)絡課件 第十七節(jié):結型場效應管
4.1 結型場效應管
4.1.1 結型場效應管的結構與工作原理
一、結型場效應管的結構
2009-09-17 10:41:042682 
模擬電路網(wǎng)絡課件 第二十節(jié):場效應管放大電路
4.3 場效應管放大電路
4.3.1 直流偏置電路及靜態(tài)分析
一、直流偏置電路
2009-09-17 10:57:133050 
場效應管的分類: 場效應管分結型、絕緣柵型(MOS)兩大類 按溝道材料:結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 按導電方式:耗盡型與增強型,結型
2009-11-09 14:27:451888 場效應管工作原理 場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參
2009-11-09 15:28:531302 場效應管放大電路
1.場效應管的小信號模型
已知場效應管輸出特性表達式：
2009-11-09 15:59:193089 場效應管放大電路2
交流分析s
微變等效電路
2009-11-09 16:03:442637 
場效應管的分類
場效應管（FET）是一種電壓控制電流器件。其特點是輸入電阻高，噪聲系數(shù)低，
2009-12-08 08:59:039055 場效應管的基本應用:共源極放大器
1)靜態(tài)工作點的測
2009-12-08 09:08:047647 場效應管放大電路原理及應用
2010-02-06 09:30:0113032 
場效應管（FET）,場效應管（FET）是什么意思
場效應管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管。按照結構、原理可以
2010-03-01 11:06:0548375 場效應管工作原理是什么?
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體
2010-03-04 09:48:2217973 VMOS場效應管,VMOS場效應管是什么意思
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應
2010-03-04 09:51:031797 場效應管的分類和作用分別是什么?
根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的
2010-03-04 10:03:3922883 VMOS場效應管,VMOS場效應管是什么意思
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
2010-03-05 15:44:533750 模電課件，關于場效應管放大電路的基本知識，簡單介紹場效應管放大電路及其應用
2015-12-31 17:40:480 但對于場效應管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。
2017-05-20 10:35:4410831 
很多人對MOS場效應管的工作原理、基本結構和檢測方法不是很了解，尤其對于電工來說，如果有一個直觀的概念可能在日常工作中能節(jié)省很多時間，而小編今天就搜集了整個對MOS場效應管的詳細介紹，希望對各位電工朋友有所幫助。
2017-07-25 18:27:0930889 
對應三極管的共射、共集及共基放大電路，場效應管放大電路也有共源、共漏和共柵三種基本組態(tài)。下面以JFET組成的共源極放大電路為例，介紹場效應管放大電路的工作原理。
2017-10-25 17:23:2020020 
本文介紹了結型場效應管，講解了JFET的結構和工作原理、 JFET的特性曲線及參數(shù)和JFET放大電路的小信號模型分析法。 JFET的結構和工作原理
2017-11-22 19:41:5564 本文介紹了場效應管的分類及金屬-氧化物-半導體（MOS）場效應管相關知識的詳解。
2017-11-22 19:54:1335 在場效應管中，導電的途徑通常稱為溝道。場效應管的基本工作原理就是通過外加電場對溝道的幾何形狀進行控制，以改變溝道電阻的大小，進而對輸出電流進行控制。
2017-11-23 14:58:1611 本文主要介紹了場效應管發(fā)熱嚴重的原因以及場效應管的工作原理。場效應管是只要一種載流子參與導電，用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道器件。由于電路設計、頻率太高、沒有做好足夠的散熱設計以及MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，都有可能造成場效應管發(fā)熱嚴重。
2018-01-30 15:13:2033905 
本文主要介紹了場效應管放大電路圖大全（五款場效應管放大電路原理圖詳解）。該電路中，電池作為直流電源通過負載電阻器R1為場效應管漏極提供偏置電壓，使其工作在放大狀態(tài)。由外接天線接收天空中的各種信號
2018-03-08 11:37:08167567 
本文首先介紹了場效應管工作原理與N溝道結型場效應管的工作原理，其次介紹了場效應管的作用，最后介紹了場效應管的測量方法。
2018-08-08 15:23:2740715 場效應管是場效應晶體管的簡稱，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、安全工作區(qū)域寬、受溫度影響小等優(yōu)點，特別適用于要求高靈敏度和低噪聲的電路。場效應管和三極管都能實現(xiàn)信號的控制和放大，但由于它們的結構和工作原理截然不同，所以二者的差別很大。三極管是一種電流控制元件，而場效應管是一種電壓控制器件。
2019-07-05 08:58:0814820 本文首先介紹了場效應管是什么，然后解釋了場效應管的工作原理。
2019-08-14 10:31:2710053 本文介紹了場效應管的兩種分類。
2019-08-14 10:46:3511829 
場效應管是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡單解釋一下MOS場效應管的工作原理。
2020-09-15 08:00:008 場效應管工作原理及場效應三極管的型號命名方法
2022-01-19 10:04:3214 場效應管MOSFET 是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常，場效應管MOSFET的主體與源極端子相連，從而形成三端器件，例如場效應晶體管。場效應管MOSFET 通常被認為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。
2023-01-08 10:00:593430 Oxide Semiconductor FET，簡稱MOSFET,1960年誕生）組成。 ? 2 場效應管的分類及工作原理 場效應管是一種單極型晶體管，與雙極型晶體管BJT都屬于晶體管。 在雙極型晶體管中
2023-06-29 09:21:344802 
場效應管怎么測量好壞? 場效應管又稱為晶體管（transistor），是電子器件中常見的一種。在電子電路設計中，場效應管的主要作用是作為放大器和開關來使用。場效應管的好壞直接影響到整個電路的性能
2023-09-02 11:31:248023 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《結型場效應管的工作原理.zip》資料免費下載
2023-11-20 14:45:563 場效應管放大電路的原理? 場效應管（FET）是一種三極管，常用于電子放大電路中。FET的原理是利用半導體材料的特性來控制電流和電壓，以實現(xiàn)放大作用。通過理解FET工作的原理，我們可以了解到FET在
2023-12-07 15:48:244657 、細致地介紹這三種接法及其特點。 一、共源放大電路 共源放大電路是場效應管中最常用的接法之一。它由場效應管的源極作為信號源，負載電阻連接在漏極上，輸入信號通過門極施加。工作原理如下： 當輸入信號施加在場效應管
2023-12-20 10:45:028007 三極管和場效應管是如何實現(xiàn)信號放大的呢？ 三極管和場效應管是兩種常見的電子元件，被廣泛用于電子設備中的信號放大器電路。它們的工作原理不同，但都能實現(xiàn)信號放大。下面將詳細介紹三極管和場效應管的工作原理
2024-02-04 09:32:124435 優(yōu)點。本文將對場效應管的基本概念、類型、工作原理、性能特點以及應用領域進行詳細的闡述，以便讀者更全面地了解場效應管的相關知識。
2024-05-12 17:12:006116 場效應管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種電壓控制型半導體器件，其主要通過改變柵極電場的大小來控制源漏通道的電阻，進而控制電流的流動。FET因其獨特的工作原理和優(yōu)異的性能，在電子設備中得到了廣泛的應用。本文將對FET的種類、特性和工作原理進行詳細的介紹。
2024-05-22 15:44:442732 等功能。場效應管以其高輸入阻抗、低噪聲、低功耗等特點，在信號處理、放大器、開關電路等領域得到廣泛應用。本文將詳細介紹場效應管的分類及其特點，以期為讀者提供全面深入的了解。
2024-05-31 17:59:326231 識別這三個極對于正確使用場效應管至關重要。本文將介紹如何分別場效應管的三個極。 一、場效應管的基本原理 1.1 場效應管的工作原理 場效應管是一種電壓控制型器件，其工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的導電能力。場效應管的導電能力與柵極電壓成正比，即柵極電壓越
2024-07-14 09:14:276613 場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種常用的半導體器件，廣泛應用于模擬和數(shù)字電路中。場效應管的工作原理是通過改變柵源極電壓（Vgs）來控制漏極和源極之間的電流
2024-07-14 09:16:065144 場效應管（Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種常用的電子元件，廣泛應用于模擬電路和數(shù)字電路中。場效應管的工作原理是通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流。在場效應管
2024-07-14 09:17:484318 分為三個區(qū)域：截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。正確判斷場效應管的工作狀態(tài)對于電子電路的設計和調試至關重要。 一、場效應管的工作原理 結構：場效應管主要由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）組成。其中，源極和漏極是兩個主要的電流通道，柵
2024-07-14 09:23:085545 場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件，其工作原理是通過改變柵極電壓來控制漏極和源極之間的電流。場效應管具有輸入阻抗高、驅動功率
2024-08-01 09:18:113108 結型場效應管（Junction Field-Effect Transistor，簡稱JFET）的放大電路類型主要依據(jù)其連接方式和工作特點來劃分。在電子電路中，JFET作為電壓控制器件，能夠通過柵極
2024-10-07 17:47:002950 N溝道結型場效應管（N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET）的工作原理是半導體器件領域中的一個重要概念，它基于場效應原理來控制電流的流動。
2024-09-23 16:32:334729 場效應管（MOSFET）和金屬半導體場效應管（MESFET）。 常見場效應管類型 結型場效應管（JFET） 結型場效應管是一種利用PN結作為控制門的場效應管。它由一個高摻雜的N型或P型半導體通道和兩個低摻雜的相反類型半導體區(qū)域（源極和漏極）組成。通過改變門極電壓，可以控制源極和漏
2024-12-09 15:52:343373 場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種電壓控制型半導體器件，主要通過改變輸入端的電壓來控制輸出端的電流。場效應管廣泛應用于放大、開關、電源管理等領域。 場效應管
2024-12-09 16:02:424728 
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