，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。 2. 他們是N溝道還是P溝道？ 三個(gè)腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了： 當(dāng)然也可以先判斷溝道類型，再判斷三個(gè)腳極性，判斷溝道之后，再判斷三個(gè)
2018-08-28 09:31:02
32826 MOS管是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管，有G(gate 柵極)/D(drain 漏極)/S(source 源極)三個(gè)端口，分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)兩種。
2023-02-03 15:12:5919916 
MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對(duì)于增強(qiáng)型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。
2024-03-14 15:47:3810621 
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2020-07-31 14:50:51
：30V5.8ASOT23N溝道 MOS管HN3401:-30V -4.2ASOT23 P溝道 MOS管HN20N03： 30V20ASOT-89N溝道 MOS管 HN20N03DA：30V 20A TO-252N溝道
2021-03-18 14:21:33
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2021-03-18 14:16:53
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2021-03-30 14:33:48
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng)30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷HC020N03L參數(shù)：30V 30A TO-252 N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
P溝道MOS管和N溝道MOS管的互補(bǔ)性體現(xiàn)在哪里？？？？？？？？求大神幫助！?。。。。?！
2013-09-24 16:50:43
N溝道 P溝道 MOS管什么電平導(dǎo)通啊跟增強(qiáng)型的 一樣嗎 初學(xué)者！感謝大家！
2013-03-25 10:16:45
和增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管都是耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管有耗盡型和增強(qiáng)型。一般來說，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為四類：N溝道耗盡型和增強(qiáng)型；P溝道耗盡型
2021-12-28 17:08:46
本帖最后由 wuyuanyao 于 2019-9-11 11:18 編輯
1、MOS的三個(gè)極怎么判定：MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極：不用說比較好認(rèn)。S極：不論是P溝道還是N
2019-09-11 10:27:48
1.物理特性 MOS管分為N溝道和P溝道的形式，N溝道和P溝道都有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有
2021-01-15 15:39:46
`MOS集成電路特點(diǎn)：制造工藝比較簡(jiǎn)單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡(jiǎn)單，集成度高、抗干擾能力強(qiáng)，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成
2011-12-27 09:50:37
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
小編在接到客戶咨詢關(guān)于MOS管的時(shí)候，總會(huì)被問到一個(gè)問題：怎么選擇合適的MOS管？關(guān)于這一個(gè)問題，昨天針對(duì)這個(gè)問題，在電壓、電流方面已經(jīng)做出了部分解釋，今天我們來看其他方面的影響。確定N、P溝道
2023-02-17 14:12:55
N溝道耗盡型mos管，電路工作過程，還望大神指導(dǎo)。
2016-11-12 16:36:00
P型MOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
請(qǐng)問：CMOS管的功耗與MOS管的導(dǎo)電溝道的關(guān)系？
2023-11-20 07:01:20
MOS管HN3401:-30V -4.2ASOT23 P溝道 MOS管HN20N03： 30V20ASOT-89N溝道 MOS管HN20N03DA：30V 20A TO-252N溝道
2020-11-05 16:48:43
TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道
2020-06-05 10:24:53
10場(chǎng)效應(yīng)管100V15A P溝道 TO-252 功率MOS管SL15P10 -100-15A 205毫歐TO-252 251【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N
2020-06-09 10:21:08
封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道
2020-06-13 11:47:55
溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝
2020-06-19 10:57:37
SL2302 20V4.2A 36毫歐 SOT23【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封裝P溝道
2020-06-19 10:59:26
SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道
2020-06-09 10:23:37
TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道
2020-06-05 10:20:57
，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。SL2060場(chǎng)效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8
2020-06-19 11:00:56
MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道SL4421-60V-7ASOP-8封裝
2020-06-20 10:04:16
10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝
2020-06-20 10:05:27
【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-20 10:11:31
封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-06-22 10:53:25
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-06-22 10:57:12
封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P
2020-06-24 10:37:08
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-06-22 11:03:37
溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-06-24 10:39:23
溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-06-24 10:40:54
MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道SL4421-60V-7ASOP-8封裝P
2020-06-29 16:31:55
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-06-29 16:39:10
N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道
2020-06-29 16:40:19
中低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商。我們的優(yōu)勢(shì)：廠家直銷，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管【 低壓MOS管 N+P溝道】SL461260V SOP-8封裝N+P溝道
2020-07-01 16:55:47
壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商。我們的優(yōu)勢(shì)：廠家直銷，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管【 低壓MOS管 N+P溝道】SL461260V SOP-8封裝N+P溝道
2020-07-01 16:57:06
SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道
2020-06-09 10:36:41
TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道
2020-06-05 10:23:09
SL4294100V12ASOP8封裝N溝道供應(yīng)【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道sl44460V12ATO-252封裝N溝道SL426460V10ASOP-8封裝 N溝道
2020-07-27 17:15:08
SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道
2020-06-10 14:31:13
場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商。我們的優(yōu)勢(shì)：廠家直銷，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管【 低壓MOS管 N+P溝道】SL461260V SOP-8封裝N+P溝道
2020-07-01 16:58:17
SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道
2020-08-03 14:48:45
TO-252-60V-15A可替代 AOD407SL409P溝道TO-252-60V-26A可替代 AOD407。。。。。。。。。。。。。。。等等我司還提供以下MOS管產(chǎn)品：SL6601SOT23-6N溝道
2020-06-03 15:06:15
AO系列MOS管。L484場(chǎng)效應(yīng)管 30V41A N溝道功率MOS管完美替代AOD484【 中低壓MOS管替代AO系列】SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道優(yōu)勢(shì)替代
2020-06-12 10:43:52
SL15N10100V15ATO-252 封裝N溝道SL2N10 100V2A TO23-3L 封裝N溝道【60V MOS管 N/P溝道】SL50N0660V50A TO-252封裝N溝道
2020-06-10 14:33:23
03場(chǎng)效應(yīng)管-30V-50A P溝道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:35:56
專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，為你提供周到完善的技術(shù)支持、售前服務(wù)及服務(wù)，給用戶提供最優(yōu)質(zhì)最具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品以及最人性化最貼心的服務(wù)。我司還提供以下MOS管產(chǎn)品：SL2302N溝道SOT23-3 20V4.2A可替代
2020-05-29 14:03:20
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2020-10-22 15:48:45
SLD90N02T品牌：美浦森 電壓：20V 電流：90A封裝：TO-252N溝道【60V MOS N/P溝道】HN2310: 60V3A SOT23N溝道 MOS管HN04P06 ：-60V-4ASOT-23 P
2021-04-07 15:06:41
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2021-04-07 14:57:10
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2021-03-24 10:35:56
`TDM3544 N溝道MOS管[/td]描述一般特征該TDM3544采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆RDS（ON）<8.0mΩ@ VGS = 4.5V提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷?！鬜DS
2019-03-13 16:06:37
AO9926B雙N溝道MOS管（20V7.6A）
2024-04-12 13:43:20
`【MOS管原廠】HC36012參數(shù)：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管品牌：惠海型號(hào)：HC36012VDS：30V IDS：10A 封裝：TO-252溝道：N溝道 【20V
2020-11-02 16:02:10
1、MSO的三個(gè)極怎么判定：MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極，不用說比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。2、他們
2019-09-11 07:30:00
如何利用一顆N溝道MOS管來實(shí)現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓？
2022-02-15 06:03:40
如何測(cè)量n溝道mos管的開啟電壓和電導(dǎo)常數(shù)呢？求大神解答
2023-03-15 17:22:46
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 20:28 編輯
求N溝道MOS管型號(hào)
2012-12-21 15:41:08
RT，最近看模電看迷糊了，在此請(qǐng)教各位大蝦，N溝道增強(qiáng)型MOS管，襯底是P型硅片，那么是多子參與導(dǎo)電還是少子呢？ 是自有電子還是空穴呢？
2015-03-27 11:06:58
*附件：power1.pdf
遇到一個(gè)電源板無法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護(hù)設(shè)計(jì)。正常啟動(dòng)時(shí)Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導(dǎo)通，經(jīng)過后級(jí)U9基準(zhǔn)和U27運(yùn)放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
MOS 管也有 N 溝道和 P 溝道之分，而且每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，二者的區(qū)別是增強(qiáng)型 MOS 管在柵-源電壓 vGS=0 時(shí)，漏-源極之間沒有導(dǎo)電溝道存在，即使加上
電壓 vDS（在
2016-11-02 17:20:30
0 MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。
2017-05-17 08:30:28132237 
MOS管開關(guān)電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。本文為大家?guī)砣Npwm驅(qū)動(dòng)mos管開關(guān)電路解析。
2018-01-04 13:41:1462683 
實(shí)際在MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號(hào)的規(guī)則中，表示襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-（c）是P溝道MOS管的符號(hào)。MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通
2018-08-16 10:36:3064856 
本文首先闡述了N溝MOS晶體管的概念，其次介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及特性曲線，最后介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理。
2018-08-16 15:31:1184667 MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構(gòu)成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應(yīng)用的只需增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
2018-11-06 11:00:367424 MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管型號(hào)和增強(qiáng)型的P溝道MOS管型號(hào)，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
2019-06-18 14:18:0313991 MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
2019-07-08 15:30:5348116 
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
2019-07-08 15:46:4235426 
MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。MOSFET管是FET的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管。
2019-10-24 11:08:5328154 
MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對(duì)于增強(qiáng)型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。
2021-06-15 15:43:5288953 
P型MOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-21 19:36:1158 N溝道增強(qiáng)型垂直D-MOS晶體管-BSP89
2023-02-20 19:23:011 MOS管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。由圖可看出，對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。
2023-02-22 16:02:333068 
240 V，P 溝道垂直 D-MOS 晶體管-BSS192
2023-03-03 20:01:350 200 V，N 溝道垂直 D-MOS 晶體管-BSS87
2023-03-03 20:01:500 三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個(gè)引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個(gè)引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。下文以NPN三極管和N溝道MOS管為例，下圖為三極管和MOS管控制原理。
2023-07-18 16:50:324010 
mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面。 一
2023-08-25 15:11:2518495 的區(qū)別在于其中的導(dǎo)電材料不同。本文將詳細(xì)討論如何區(qū)分n溝道型和p溝道型場(chǎng)效應(yīng)管。 1. 器件外觀區(qū)分 對(duì)于常見的場(chǎng)效應(yīng)管，n溝道型和p溝道型的器件外觀有一些區(qū)別。在塑料殼體封裝的場(chǎng)效應(yīng)管上，通常會(huì)在表面上標(biāo)注“N”或“P”，或者采用不同的顏色區(qū)分（如黑色
2023-09-02 10:05:1714759 MFB5N10100V7AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:09:561 QH10N10100V7AN溝道場(chǎng)效應(yīng)管MOS管
2022-09-14 00:19:023 供應(yīng)貼片p溝道mos管-150v、-9ASVGP15161PL3A，提供SVGP15161PL3A供應(yīng)貼片p溝道mos管參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-10-10 16:08:093 供應(yīng)AP3908GD n p溝道mos管絲印3908G-bldc mos管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP3908GD規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:47:291 MOS的三個(gè)極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的縮寫。它是
2023-11-30 14:24:542647 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對(duì)n溝道MOS管
2023-12-28 15:28:2825083 
電子設(shè)備中。與N溝道MOS管相比，P溝道MOS管的導(dǎo)電溝道由P型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，因此其導(dǎo)通條件與N溝道MOS管有所不同。本文將對(duì)P溝道MOS管的導(dǎo)通條件進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，我們需要了解P溝道MOS管
2023-12-28 15:39:317048 N溝MOS管作為一種非常常見的MOS管，它是由P型襯底和兩個(gè)高濃度N擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作N溝道MOS管，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度N擴(kuò)散區(qū)間形成N型導(dǎo)電溝道。
2024-01-13 10:25:282759 
按材料分可分為結(jié)型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分為耗盡型和增強(qiáng)型，一般主板上大多是絕緣柵型管簡(jiǎn)稱MOS管，并且大多采用增強(qiáng)型的N溝道，其次是增強(qiáng)型的P溝道，結(jié)型管和耗盡型管幾乎不用。
2024-03-06 16:52:0713658 
： 柵極(G)：中間抽頭。 源極(S)：兩條線相交。對(duì)于N溝道MOS管，箭頭指向G極，使用時(shí)D極接輸入，S極接輸出;對(duì)于P溝道MOS管，箭頭背向G極，使用時(shí)S極接輸入，D極接輸出。 寄生二極管判定： N溝道：由S極指向D極。 P溝道：由D極指向S極。 不論N溝道還是
2024-10-17 16:07:144788 
低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)選用N溝道MOS管，這是出于對(duì)封閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。 P溝道MOS管：適用于高壓側(cè)開關(guān)，當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲羞x用P溝道MOS管，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。 二、確定額定電壓
2025-01-10 15:57:581798 
和P溝道兩種。昂洋科技將詳細(xì)解析這兩種MOS管的工作原理及其區(qū)別： ? MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管由三個(gè)主要部分組成： 柵極（Gate） ：金屬電極，與半導(dǎo)體之間通過一層薄氧化層(SiO?)隔離，用于控制溝道的形成。 源極（Source）和漏極（Drain） ：分
2025-05-09 15:14:572336 中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對(duì)P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn)，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強(qiáng)勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場(chǎng)景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標(biāo)準(zhǔn)。
2025-11-06 14:35:45245 
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