在硅中形成pn結(jié)和設(shè)置電極，這就是二極管。使用pn結(jié)的二極管，叫做普通整流二極管。改善普通整流二極管的開關(guān)特性后叫做快恢復(fù)二極管(FRD)，它不同于普通整流二極管。
2022-09-07 16:21:39
8962 
體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了，因此出現(xiàn)了SD之間的體二極管。今天我們簡單來講下關(guān)于體二極管在MOS管中的作用，以及它能承受多大電流。
2024-01-23 09:39:318058 
二極管的核心是PN結(jié)，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，這是二極管的主要特性。
2024-02-23 15:55:353317 
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外，還應(yīng)注意測試波形的準(zhǔn)確性。
2025-03-26 16:52:161890 
特性，能夠提高高溫環(huán)境下功率系統(tǒng)的效率。SiC SBD在常溫下顯示出優(yōu)于Si基快速恢復(fù)二極管的動(dòng)態(tài)特性:反向恢復(fù)時(shí)間短，反向恢復(fù)電流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?！ ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?！ ?. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
對(duì)體二極管進(jìn)行1000小時(shí)的直流8A通電測試，結(jié)果如下。試驗(yàn)證明，所有特性如導(dǎo)通電阻，漏電流等都沒有變化。短路耐受能力由于SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比具有更小的芯片面積和更高的電流密度
2018-11-30 11:30:41
晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區(qū)別與IGBT的區(qū)別所謂SiC-MOSFET－體二極管的特性所謂SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品所謂
2018-11-27 16:38:39
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
的Si-PND不同。Si-FRD隨著溫度升高電阻下降，VF降低，而SiC-SBD隨著溫度升高VF也升高。這個(gè)特性有利有弊，當(dāng)并聯(lián)使用Si- FRD時(shí)，當(dāng)一端的二極管產(chǎn)生電流偏差時(shí)可能會(huì)發(fā)生熱失控，而
2018-12-03 15:12:02
。 平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。二極管的導(dǎo)電特性 二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分?，電流只能?b class="flag-6" style="color: red">二極管的正極流入
2019-11-06 11:38:02
二極管的特性是什么？點(diǎn)接觸型二極管可分為哪幾類？
2021-06-08 06:12:13
VF特征的肖特基勢壘二極管，下面將分別予以說明。雖然作了上述分類，但原則上，Si二極管均屬由陽極和陰極構(gòu)成的元器件，表示其本質(zhì)功能和特性的項(xiàng)目基本相同。那么“究竟有什么區(qū)別呢？”，答案就是“根據(jù)
2018-12-03 14:30:32
理想的二極管，正向電流和電壓成指數(shù)關(guān)系。但是實(shí)際的二極管，外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。不能使二極管導(dǎo)
2022-01-25 10:33:57
的高擊穿電壓和實(shí)用的 SiC 肖特基二極管。肖特基勢壘的高度取決于連接到半導(dǎo)體的金屬類型。 電氣特性因金屬種類而異。正向壓降 VF 和反向漏電流 IR 之間存在折衷關(guān)系，具體取決于金屬類型。 根據(jù)
2021-09-20 07:00:00
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級(jí)為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計(jì)的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應(yīng)該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復(fù)二極管嗎？那將是什么缺點(diǎn)。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
時(shí)的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應(yīng)的開關(guān)損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復(fù)二極管）的關(guān)斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
二極管的特性與應(yīng)用創(chuàng)易電子整理出品，創(chuàng)易更懂電子， http://52edk.taobao.com/ 全系列阻容感一本全掌控。幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管，它在
2010-04-09 21:56:24
重要考量是SiC二極管/ MOSFET的設(shè)計(jì)。SiC能夠應(yīng)對(duì)高場應(yīng)力，因此很多設(shè)計(jì)都是為了應(yīng)對(duì)這些高應(yīng)力條件。例如，終端結(jié)構(gòu)需要很多心思，才能確保器件的耐用性。利用寬帶隙（WBG）材料的獨(dú)特特性，SiC技術(shù)
2018-10-29 08:51:19
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
在電子學(xué)中，二極管具有單向?qū)ǖ莫?dú)特特性。主要功能是整流、穩(wěn)壓和檢測。此外，還添加了不同材料的發(fā)光二極管（LED）用于指示和照明。在二極管電路中，電流只能從陽極流入并流出陰極。根據(jù)不同的電路要求，有
2023-02-07 15:59:32
電流頻率達(dá)到要求即可。二極管的基本特性是單向?qū)щ娦浴Ｕ?b class="flag-6" style="color: red">二極管的工作頻率低，有電壓和電流的要求指標(biāo)。而普通二極管有許多種類，有的可用作為整流，有的可用作為檢波、限幅、開關(guān)等，但不一定都能用作為整流。不過
2021-05-26 16:49:24
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
兩種原子存在，需要非常特殊的柵介質(zhì)生長方法。其溝槽星結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢如下（圖片來源網(wǎng)絡(luò)）：平面vs溝槽SiC-MOSFET采用溝槽結(jié)構(gòu)可最大限度地發(fā)揮SiC的特性。相比GAN, 它的應(yīng)用溫度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
二極管的伏安特性是什么？溫度對(duì)二極管的伏安特性有何影響？
2021-10-08 08:55:17
點(diǎn)接觸型二極管的特性點(diǎn)接觸型二極管的分類
2021-01-07 07:10:51
一．電力二極管的靜態(tài)特性 i 隨著正向電壓增大到門檻電壓Uto（二極管開啟電壓），二極管導(dǎo)通。 ii電壓Uf為二極管導(dǎo)通時(shí)的正向電壓降 iii 當(dāng)承受反向電壓時(shí)，二極管截至，只有微小的少子漂移運(yùn)動(dòng)
2020-04-10 16:41:24
小型化。然而，必須首先解決一個(gè)問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會(huì)造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
肖克利二極管有什么特性？肖克利二極管結(jié)構(gòu)原理是什么？肖克利二極管的用途有哪些？
2021-06-08 06:29:37
請(qǐng)問貼片電阻，貼片電容，貼片
二極管，穩(wěn)壓
二極管，MOS
管，
MOSFET和封裝形式有那些呢？請(qǐng)一一說明，謝謝各們大師哦?。。?/div>
2020-11-13 14:54:46
二極管的特性與應(yīng)用
2006-06-30 13:13:421062 二極管的特性與應(yīng)用
幾乎在所有的電子電路中， 都要用到半導(dǎo)體二極管， 它在許多的電路中起著重要的作用， 它是誕生最早的半
2009-03-09 19:12:441410 功率二極管的基本特性
1. 靜態(tài)伏安特性具有單向?qū)щ娦哉珪r(shí)：二極管導(dǎo)通，通態(tài)壓降1V左右。通態(tài)損耗：
2009-04-14 21:16:144929 
二極管的導(dǎo)電特性 二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中，電流只能?b class="flag-6" style="color: red">二極管的正極流入，負(fù)極流出。下面通過簡單的實(shí)驗(yàn)說明二極管的正向特性和反向特性
2009-11-07 08:47:365953 二極管的特性與應(yīng)用
幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生
2009-11-09 15:02:31497 二極管,二極管是什么意思
目錄
1 二極管的基本結(jié)構(gòu)
2010-02-26 12:03:3812003 隧道二極管/體效應(yīng)二極管是什么意思
什么是隧道二極管?隧道二極管是一種在極低正向電壓下具有負(fù)電阻的半導(dǎo)體二極管。
2010-02-27 11:23:212522 穩(wěn)壓二極管（齊納二極管）,穩(wěn)壓二極管是什么意思
這是利用了PN接合的反向特性的二極管。用于基準(zhǔn)電壓源和
2010-03-01 10:53:075246 齊納二極管（穩(wěn)壓二極管） 符號(hào)及穩(wěn)壓特性 利用二極管反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)工作在反向電擊穿狀態(tài)。 激光二極管
2017-11-23 11:23:41
53 本文主要介紹了電力二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)以及基本特性，電力二極管與小功率電力二極管的結(jié)構(gòu)、工作原理和伏安特性相似，但它的主要參數(shù)的規(guī)定、選擇原則等不盡相同。電力二極管引出兩個(gè)極，分別稱為陽極A和陰極K
2018-01-16 10:25:3325976 
很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因?yàn)檫@種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。
2018-01-19 17:42:3518355 
本文首先介紹了二極管的四個(gè)特性，其次介紹了二極管區(qū)域的工作特性，最后介紹了二極管的導(dǎo)電特性。
2018-09-06 18:42:59157537 本文首先介紹了恒流二極管的基本特性，其次介紹了恒流二極管主要參數(shù)，最后介紹了恒流二極管應(yīng)用。
2019-07-01 14:49:4016241 
本文主要闡述了磁敏二極管特性及磁敏二極管的結(jié)構(gòu)。
2019-12-06 09:08:183633 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是如何理解功率MOSFET規(guī)格書之雪崩特性和體二極管參數(shù)的詳細(xì)資料說明。
2020-03-07 08:00:0020 本文首先闡述了電力二極管的符號(hào)，其次介紹了電力二極管主要參數(shù)，最后介紹了電力二極管的靜動(dòng)態(tài)特性。
2020-08-12 10:01:0818411 
二極管的功用可用其伏安特性來描寫。在二極管兩頭加電壓U，然后測出流過二極管的電流I，電壓與電流之間的聯(lián)絡(luò)i=f（u）便是二極管的伏安特性曲線，如圖1所示。
2020-09-25 10:44:22111020 
今天我們繼續(xù)講解 ? 《淺談SiC MOSFET體二極管雙極性退化問題》 ? 機(jī)制 在雙極性運(yùn)行（PN結(jié)，比如MOSFET的體二極管，在導(dǎo)電時(shí)）條件下，任何類型的SiC器件都可能出現(xiàn)雙極退化效應(yīng)
2021-02-08 09:36:0011297 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管利用的特性是：二極管被反向擊穿之后，隨著電流的變化，穩(wěn)壓二極管兩端電壓維持不變的特性；普通二極管反向擊穿后就壞了，但是穩(wěn)壓二極管卻可以恢復(fù)，而且在被擊穿后處在正常的工作狀態(tài)
2021-11-08 09:21:0051 二極管有兩個(gè)管腳,一個(gè)是正極一個(gè)是負(fù)極,它最大的特性是單向?qū)щ娦?既電荷只能由正極流向負(fù)極。二極管主要的參數(shù)有額定電流、額定電壓、結(jié)電壓等,選用時(shí)應(yīng)根據(jù)實(shí)際要求加以甄別選用。二極管種類很多功能各異
2022-05-10 18:22:327536 
SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:431293 下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個(gè)二極管，其被稱為體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。
2023-01-11 11:22:4735804 
在半導(dǎo)體器件中，PN結(jié)是最基本的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。如果將PN半導(dǎo)體封裝起來，就形成了二極管器件。簡單來說二極管就是一個(gè)具有單相導(dǎo)電性的PN結(jié)，但是在實(shí)際工程應(yīng)用中，不同應(yīng)用場景的需求誕生了不同類型的二極管。本文主要介紹二極管的特性和分類。
2023-01-17 11:47:288588 
MOSFET的體二極管能夠讓感性負(fù)載電流在MOSFET處于“關(guān)斷”狀態(tài)時(shí)繞開MOSFET。因此，它在同步整流（AC-DC和DC-DC）和電機(jī)控制（全橋和半橋）等許多應(yīng)用中都是一個(gè)重要特性。在一個(gè)
2023-02-07 09:21:053497 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。
2023-02-08 13:43:171454 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:202302 
和碳化硅MOSFET。第三代半導(dǎo)體涵蓋SiC碳化硅二極管，SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊，SiC碳化硅裸芯片這四類
2023-02-21 10:16:473721 正向特性：功率二極管正向特性曲線描述的是二極管在正向電壓下的電流和電壓之間的關(guān)系，通常為一條下凸曲線，斜率為正向動(dòng)態(tài)電阻。
2023-02-23 15:47:033150 
肖特基二極管因其低導(dǎo)通電壓、快速恢復(fù)時(shí)間和更高頻率下的低損耗能量而得到廣泛應(yīng)用。這些特性使肖特基二極管能夠通過促進(jìn)從導(dǎo)通狀態(tài)到阻塞狀態(tài)的快速轉(zhuǎn)換來整流電流。因此，肖特基二極管通常是許多應(yīng)用中半導(dǎo)體器件的理想選擇。以下是肖特基二極管最常見的五種應(yīng)用。
2023-05-24 11:24:222670 SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對(duì)于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:073634 
探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:033281 穩(wěn)壓二極管溫度特性 穩(wěn)壓二極管是一種常用的電子元件。穩(wěn)壓二極管可以將輸入電壓穩(wěn)定在一個(gè)特定的輸出電壓，并能夠像正常二極管一樣，只允許電流在一個(gè)方向流動(dòng)。穩(wěn)壓二極管溫度特性對(duì)于穩(wěn)壓二極管的工作狀態(tài)
2023-08-27 15:22:154875 1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告
2023-12-05 14:34:461464 
MOSFET為什么有“體二極管”
2023-12-14 11:26:483273 
使用二極管的伏安特性可以幫助分析電路的好壞。二極管的伏安特性是指二極管的電壓-電流特性曲線，通常是在正向偏置條件下繪制的。通過觀察二極管的伏安特性曲線，可以得到一些關(guān)于電路性能的信息。
2023-12-14 18:12:192390 SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅（SiC）材料制造的電子元件，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些明顯的區(qū)別。 首先，讓我們來了解一下SiC材料
2023-12-21 11:31:241735 穩(wěn)壓二極管的伏安特性是什么？ 穩(wěn)壓二極管是一種特殊的二極管，也被稱為Zener二極管。它能夠在大多數(shù)電路環(huán)境中提供穩(wěn)定的電壓輸出，因此被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和電路中。 一、穩(wěn)壓二極管的工作原理
2024-01-29 15:32:044631 MOS管體二極管（也稱為寄生二極管、內(nèi)置二極管或反并二極管）是指在金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）中存在的一種寄生元件。這種二極管并不是有意設(shè)計(jì)的，而是由MOSFET的結(jié)構(gòu)自然形成
2024-01-31 16:28:228929 
二極管是一種半導(dǎo)體器件，它允許電流在一個(gè)方向上流動(dòng)（正向偏置）而阻止或限制在相反方向上的流動(dòng)（反向偏置）。了解二極管的電氣特性對(duì)于正確使用它們至關(guān)重要。 二極管的靜態(tài)特性主要描述其在恒定或不變條件下
2024-02-23 11:09:172182 
二極管，作為電子學(xué)中的基礎(chǔ)元件，其伏安特性是理解和應(yīng)用其功能的關(guān)鍵。二極管伏安特性描述了二極管兩端的電壓與其通過的電流之間的關(guān)系，是二極管性能的重要參數(shù)之一。本文將詳細(xì)探討二極管的伏安特性，包括其定義、原理、特性曲線、影響因素以及應(yīng)用等方面，以期為讀者提供全面而深入的理解。
2024-05-21 16:20:496139 二極管，作為電子電路中的基礎(chǔ)元件，其性能的好壞直接影響到整個(gè)電路的穩(wěn)定性和效率。二極管的特性可以大致分為靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性兩大類。靜態(tài)特性主要描述了二極管在直流或低頻交流信號(hào)作用下的性能，而動(dòng)態(tài)特性則描述了二極管在高頻或快速變化的信號(hào)作用下的性能。本文將詳細(xì)探討二極管的這兩種特性。
2024-05-28 14:26:524635 肖特基二極管（Schottky Diode），也被稱為肖特基勢壘二極管，是一種具有特殊結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能的半導(dǎo)體器件。它與其他類型的二極管（如普通二極管、鍺二極管、硅二極管、檢波二極管、整流二極管等）在多個(gè)方面存在顯著差異。以下將從特性、工作原理、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述肖特基二極管與其他二極管的區(qū)別。
2024-07-24 15:05:1613005 二極管是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。其主要特性是單向?qū)щ娦裕粗辉试S電流從正極流向負(fù)極，而不允許從負(fù)極流向正極。這種特性使得二極管在電路中具有多種功能，如整流、穩(wěn)壓、開關(guān)等。 二極管
2024-08-16 11:19:372095 光敏二極管作為一種重要的半導(dǎo)體光電器件，具有一系列獨(dú)特的基本特性。以下是對(duì)光敏二極管基本特性的詳細(xì)闡述，旨在提供全面且深入的理解。
2024-08-27 16:25:094552 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《功率MOSFET體二極管連續(xù)載流能力.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-03 11:41:400 傳統(tǒng)的硅（Si）基器件，具有更高的熱導(dǎo)率、更高的臨界擊穿電場以及更高的電子飽和漂移速度，這些特性使得SiC二極管在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景。
2024-09-10 14:55:023943 SiC二極管，即碳化硅二極管，作為第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一，其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨(dú)特的重要性。以下將詳細(xì)闡述SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)，同時(shí)結(jié)合其技術(shù)特性和應(yīng)用場景進(jìn)行深入分析。
2024-09-10 15:09:393508 PiN二極管（P-I-N Diode）和SiC二極管（Silicon Carbide Diode）在多個(gè)方面存在顯著差異，這些差異主要體現(xiàn)在材料特性、工作性能、應(yīng)用場景以及發(fā)展趨勢等方面。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)分析。
2024-09-10 15:40:481592 二極管是一種具有兩個(gè)電極的半導(dǎo)體器件，其核心特性是單向?qū)щ娦?，即只允許電流從一個(gè)方向流過。這一特性使得二極管在電子電路中有著廣泛的應(yīng)用，如整流、開關(guān)、檢波、穩(wěn)壓等。以下是對(duì)二極管電流特性的詳細(xì)探討，內(nèi)容涵蓋正向特性、反向特性、溫度影響、以及二極管電流公式等方面。
2024-10-15 11:16:016674 三菱電機(jī)新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管碳化硅模塊（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD-Embedded）技術(shù)，可以滿足鐵路應(yīng)用的高可靠性、高功率和高效率要求
2024-10-31 16:47:491968 
超結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?
2024-11-28 10:33:16885 二極管作為一種常用的電子元件，在各種電子設(shè)備中扮演著重要角色。它們?cè)谡鳌㈤_關(guān)、信號(hào)調(diào)制等多種應(yīng)用中都有廣泛的應(yīng)用。 二極管的基本工作原理 在討論溫度特性之前，簡要回顧一下二極管的基本工作原理是有
2025-02-07 09:41:463482 使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC
2025-03-20 11:16:591047 
和高溫環(huán)境的電子器件中。SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET（絕緣柵雙極晶體管）便是其典型代表。本文將探討這兩種器件的應(yīng)用優(yōu)勢。
2025-04-17 16:20:38999 在功率電子領(lǐng)域，碳化硅(SiC)技術(shù)正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件。作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表，SiC二極管憑借其物理特性在多方面實(shí)現(xiàn)了性能突破。寬禁帶半導(dǎo)體材料碳禁帶寬度(SiC：3.2eVvsSi
2025-07-21 09:57:571246 
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