此文說明：主要以增強型NMOS管的特性來說明,Vds/Uds、Vgs/Ugs意思一樣，其它類比。

原理：1-7步圖示說明

↑ 第1步、說明

↑ 第2、3步，第3、4步時Vds < Vgs-Vth

↑ 第4、5步，第5步時Vds ≈ Vgs-Vth

↑ 第6、7步，Vds > Vgs-Vth

特性：

輸出特性：柵源電壓Ugs取某些值時，漏極電流Id與漏源電壓Uds的關系曲線。

①可變電阻區(qū)：條件Ugs>Uth,Uds

②飽和區(qū)(放大區(qū))：條件Ugs>Uth,Uds>Ugs - Uth，Ugs固定時，Id恒定。Id隨Ugs改變，相當于三極管放大區(qū)。

③擊穿區(qū)：Uds超過管子的極值時，PN結被擊穿，Id劇增。

轉移特性：當漏源電壓Uds為一固定值時,柵源電壓Ugs和漏極電流Id之間的關系曲線。

開啟電壓Ut或Uth: 當漏源電壓Uds為一定值時，由截止到導通的柵源電壓Ugs臨界值。

互導gm: 當漏源Uds電壓為一定值時,漏極電流的變化量△Id與柵源電壓變化量△Ugs的比值，即gm=△Id/△Ugs 。

應用：高、低端驅動，電子開關

↑ 高低端驅動原理

高低端驅動：相對負載來說的，高端驅動即在負載高電壓處控制，低端驅動則反之。

基本原理：Vgs>Vth閥值時導通，Vgs=0時截止。

高端驅動特點：通常用PMOS管，柵源間控制電壓大，電路復雜些，關斷后負載不帶電。如果用NMOS作高端驅動則要增加柵極驅動IC。

低端驅動特點：通常用NMOS管，控制電壓小，開關速度快，導通內阻小，額定電流大。

↑ 高端驅動應用例子

↑ 波形圖，藍色為控制信號

高端驅動例子說明：

R2為負載，主開關管Q3(PMOS)，輔助開關管Q2，V3為控制信號。

原理：V3=0時，Q3的Vgs=0，關閉;V3=1(5V)時，Q3的Vgs=-12V，導通。

柵極控制電壓V3通常較低，當被控制的Vds電壓比較大時難以匹配，此時增加一個NMOS管Q2來達到目的。

Q3的Vgs極值是±20V，穩(wěn)壓管D1是用來將Vgs鉗位于12V以內的。

注意事項：

小功率MOS管導通電阻大約幾十mΩ，在導通和截止的時候，開關損失比導通損失大得多，所以縮短開關時間。

另外Vgs越高，導通速度越快，導通瞬間電阻也越小。

由于極間電容的存在，在開通瞬間的G、S間的短路電流較大。

導通條件是柵極電壓大于源極電壓，導通后D、S電壓相同，所以這時柵極電壓要大3-12V以上。

PMOS導通內阻較大，適用于低功率情況。