★★★ BJT-2---晶體管開(kāi)關(guān)電路計(jì)算實(shí)例 ★★★

引言：三極管是電流型元件，利用偏置電阻產(chǎn)生大于0.7V的Vbe電壓，然后通過(guò)控制電流大小，使晶體管工作在不同的區(qū)。因此關(guān)于晶體管電路的設(shè)計(jì)相關(guān)計(jì)算，基本用電流起手，而不是用電壓，這一點(diǎn)要與MOS的計(jì)算相區(qū)別開(kāi)來(lái)。

圖2-1：三極管導(dǎo)通時(shí)電流流向

€1.發(fā)射極接地型開(kāi)關(guān)

發(fā)射極接地型開(kāi)關(guān)即發(fā)射極直連GND，輸出out連接集電極。

圖2-2：NPN接地型開(kāi)關(guān)

如圖2-2所示是NPN發(fā)射極接地型開(kāi)關(guān)，當(dāng)in為高電平時(shí)，Q1導(dǎo)通，out端被R3下拉至GND為低電平；當(dāng)in為低電平時(shí)，Q1截止，out端通過(guò)限流電阻R3連接VDD輸出高電平，所以射極跟隨器型開(kāi)關(guān)是一個(gè)反相開(kāi)關(guān)。當(dāng)輸入信號(hào)電平在0.6V以下時(shí)，晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，輸出電平是VDD，當(dāng)輸入信號(hào)電平在0.6V以上時(shí)，晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，輸出基本上是GND。

為了確保沒(méi)有輸入時(shí)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，需要加上使基極處于GND電位的偏置電阻R2，當(dāng)輸入信號(hào)超過(guò)0.6V時(shí)，晶體管的基極-發(fā)射極間的二極管將處于導(dǎo)通狀態(tài)，開(kāi)始有基極電流流過(guò)，但這樣的狀態(tài)不能限制電流，基極電流會(huì)比較大，所以串入基極限流電阻R1。（限流電阻R1的值需要根據(jù)實(shí)際使用來(lái)計(jì)算得出）

圖2-3：PNP接地型開(kāi)關(guān)

如圖2-3所示是PNP發(fā)射極接地型開(kāi)關(guān)，當(dāng)in為高電平時(shí)，Q1截止，out端被R3下拉至GND為低電平；當(dāng)in為低電平時(shí)，Q1導(dǎo)通，out端連接VDD輸出高電平。

為了確保沒(méi)有輸入時(shí)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，需要加上使基極處于高電位的偏置電阻R2，當(dāng)輸入信號(hào)超過(guò)0.6V時(shí)，晶體管的基極-發(fā)射極間的二極管將處于導(dǎo)通狀態(tài)，開(kāi)始有基極電流流過(guò)，但這樣的狀態(tài)不能限制電流，基極電流會(huì)比較大，所以串入基極限流電阻R1。

€2.設(shè)計(jì)示例

*前提條件：*負(fù)載電流=5mA（由out端連接的負(fù)載所需的電流大小決定），in端高電平為1.8V，低電平為0V，VDD=3.3V。

*設(shè)計(jì)分析：*由于Q1不導(dǎo)通時(shí)，VDD--->OUT路徑電流為5mA，所以在Q1導(dǎo)通時(shí)，Q1的Ic耐受電流最大額定值需要Ic＞5mA（因?yàn)椴粚?dǎo)通時(shí)R3已經(jīng)限定了流過(guò)Q1的電流為5mA）。VDD=3.3V加在集電極-發(fā)射極之和集電極-基極之間，in=1.8V加在基極-發(fā)射極之間。所以應(yīng)選擇集電極-發(fā)射極間和集電極-基極間電壓最大額定值Vceo，Vcbo大于VDD，Vbeo大于Vin的晶體管。即條件匯總為：

Vceo＞3.3V，Vcbo＞3.3V，Vbe＞1.8V，Ic＞5mA。

依此可以選擇通用的小信號(hào)晶體管，此處以LRC的型號(hào)L2SC4083NWT1G為例：

圖2-4：L2SC4083NWT1G最大額定參數(shù)

如果能使基極電流達(dá)到集電極電流的1/hFE，晶體管將處于導(dǎo)通狀態(tài)，考慮到溫度特性，應(yīng)該使基極電流稍大，稱為過(guò)驅(qū)動(dòng)，通常設(shè)定為按使用晶體管hFE的最低值計(jì)算得到的基極電流的1.5-2倍以上。

R1/R2的計(jì)算：

圖2-5：L2SC4083NWT1G額定參數(shù)

從上圖可知L2SC4083NWT1G的hfe最低值為56，條件里面的負(fù)載電流為5mA，所以可以控制基極電流Ib=5mA/56×1.5（2）=0.13mA-0.18mA，由于基極電位是0.6V，那么R1上產(chǎn)生的壓降為1.8-0.6=1.2V，Ib取0.2mA，所以R1=1.2V/0.2mA=6kΩ（忽略流過(guò)R2的電流，0.6V時(shí)be二極管導(dǎo)通，導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)小于R2，電流大部分流向Q1，流向R2的很?。?/p>

R2是輸入端開(kāi)路時(shí)確保晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)的電阻，如果R2過(guò)大，將容易受噪聲電流的干擾，過(guò)小則在晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)無(wú)用電流流過(guò)R2，R2可以取值10kΩ。

€3.超β和達(dá)林頓連接

超β和達(dá)林頓連接是應(yīng)對(duì)需要大負(fù)載電流時(shí)的設(shè)計(jì)方法，由于發(fā)射極接地型開(kāi)關(guān)的負(fù)載電流就是Ic，所以基極必須提供大于1/hfe的基極電流，當(dāng)Ic需求為幾百mA時(shí)，驅(qū)動(dòng)基極的電路（通常為GPIO）就可能無(wú)法提供足夠的基極電流，此時(shí)要么采用超β晶體管，即hfe很大的晶體管，要么將兩個(gè)晶體管達(dá)林頓連接，實(shí)現(xiàn)hfe1×hfe2，達(dá)到增大hfe的目的。

圖2-6：NPN型達(dá)林頓連接

如圖2-6是兩只NPN型達(dá)林頓連接，導(dǎo)通時(shí)粉絲基極電流Ib1流入，驅(qū)動(dòng)Q1和Q2導(dǎo)通，干路電流Ic分為兩個(gè)藍(lán)色支路到GND（這樣每個(gè)晶體管只承擔(dān)一半的Ic電流）。不導(dǎo)通時(shí)，out輸出高電平。圖2-7是兩只PNP型達(dá)林頓連接，對(duì)于GPIO驅(qū)動(dòng)in端，有效降低了對(duì)GPIO灌電流的要求。

圖2-7：PNP型達(dá)林頓連接

采用達(dá)林頓連接時(shí)Q1的發(fā)射極電流全部變成Q2的基極電流，所以總hfe=hfe1×hfe2。若將L2SC4083NWT1G采用達(dá)林頓連接，56×56=3136，那么1mA的基極電流就可以驅(qū)動(dòng)3A的集電極電流。在計(jì)算達(dá)林頓連接電路的基極電流時(shí)，需要注意兩個(gè)晶體管導(dǎo)通時(shí)，基極-發(fā)射極間的壓降是2×Vbe=1.2V-1.4V。

€4.射極跟隨器型開(kāi)關(guān)

射極跟隨器型開(kāi)關(guān)即輸出out連接發(fā)射極。

圖2-8：NPN跟隨器型開(kāi)關(guān)

如圖2-8是NPN跟隨器型開(kāi)關(guān)，與發(fā)射極接地型開(kāi)關(guān)不同的是，out端是發(fā)射極的電位，即in為高電平時(shí)，Q1導(dǎo)通，out端連接高電平VDD（忽略Vce）；當(dāng)in為低電平時(shí)，Q1截止，out端被R3下拉至GND為低電平，所以射極跟隨器型開(kāi)關(guān)是一個(gè)同相開(kāi)關(guān)，這也就是“跟隨”的由來(lái)。

圖2-9：PNP跟隨器型開(kāi)關(guān)

對(duì)于PNP跟隨器型開(kāi)關(guān)，in為高電平（VDD-Vin＜0.6V）時(shí)，Q1截止，out端通過(guò)R3連接到VDD高電平；當(dāng)in為低電平（VDD-Vin＞0.6V）時(shí)，Q1導(dǎo)通，out端直連GND為低電平。（PNP是發(fā)射極電位最高，基極要比發(fā)射極低0.3V才會(huì)導(dǎo)通。0.3V是鍺管的理論值，硅管則為0.7V左右，實(shí)際值可能更低。）

射極跟隨器型開(kāi)關(guān)的計(jì)算參考發(fā)射機(jī)接地型開(kāi)關(guān)即可，這里不再過(guò)多演算。

€5.損耗

晶體管的損耗主要體現(xiàn)在導(dǎo)通狀態(tài)，處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)的功率損耗為P損=Vce(sat)×Ic。（Vcesat：集電極飽和電壓），Ic比較大時(shí)，需要考慮發(fā)熱問(wèn)題。