晶體管開(kāi)關(guān)電路（工作在飽和態(tài)）在現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)應(yīng)用中屢見(jiàn)不鮮，經(jīng)典的74LS，74ALS等集成電路內(nèi)部都使用了晶體管開(kāi)關(guān)電路，只是驅(qū)動(dòng)能力一般而已。

　　TTL晶體管開(kāi)關(guān)電路按驅(qū)動(dòng)能力分為小信號(hào)開(kāi)關(guān)電路和功率開(kāi)關(guān)電路；按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地（PNP晶體管發(fā)射極接電源）和射級(jí)跟隨開(kāi)關(guān)電路。

　　發(fā)射極接地開(kāi)關(guān)電路

　　1．1 NPN型和PNP型基本開(kāi)關(guān)原理圖：

　　上面的基本電路離實(shí)際設(shè)計(jì)電路還有些距離：由于晶體管基極電荷存儲(chǔ)積累效應(yīng)使晶體管從導(dǎo)通到斷開(kāi)有一個(gè)過(guò)渡過(guò)程（當(dāng)晶體管斷開(kāi)時(shí)，由于R1的存在，減慢了基極電荷的釋放，所以Ic不會(huì)馬上變?yōu)榱悖?。也就是說(shuō)發(fā)射極接地型開(kāi)關(guān)電路存在關(guān)斷時(shí)間，不能直接應(yīng)用于中高頻開(kāi)關(guān)。

　　1．2 實(shí)用的NPN型和PNP型開(kāi)關(guān)原理圖1（添加加速電容）

　　解釋?zhuān)寒?dāng)晶體管突然導(dǎo)通（IN信號(hào)突然發(fā)生跳變），C1瞬間短路，為三極管快速提供基極電流，這樣加速了晶體管的導(dǎo)通。當(dāng)晶體管突然關(guān)斷（IN信號(hào)突然發(fā)生跳變），C1也瞬間導(dǎo)通，為卸放基極電荷提供一條低阻通道，這樣加速了晶體管的關(guān)斷。C通常取值幾十到幾百皮法。電路中R2是為了保證沒(méi)有IN輸入高電平時(shí)三極管保持關(guān)斷狀態(tài)；R4是為了保證沒(méi)有IN輸入低電平時(shí)三極管保持關(guān)斷狀態(tài)。R1和R3是基極電流限流用。