長(zhǎng)期可靠性運(yùn)行所允許的范圍之內(nèi)。IGBT 是主流中大容量/中高速器件，開(kāi)關(guān)損耗特性研究得到一貫重視。作為典型MOS門極壓控器件，其開(kāi)關(guān)損耗主要決定于開(kāi)關(guān)工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)情況等因素，系統(tǒng)
2025-04-22 10:30:15
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絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:4218221 
低頻下，二極管可以按照講到的模型來(lái)考慮，按照應(yīng)用場(chǎng)景采用簡(jiǎn)化模型還是復(fù)雜模型，但是當(dāng)高頻信號(hào)加載在二極管上時(shí)，就要考慮二極管的動(dòng)態(tài)特性了。
2023-02-21 12:45:062685 
今天呢，我們先來(lái)看看半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)特性，也就是用二極管和三極管構(gòu)成的一個(gè)簡(jiǎn)單電路，來(lái)模擬開(kāi)和關(guān)這樣的一個(gè)特性。
2023-02-27 09:31:125451 
本文探討如何通過(guò)動(dòng)態(tài)電壓調(diào)整(DVS)來(lái)實(shí)現(xiàn)精密電壓調(diào)節(jié)。DVS是一種根據(jù)預(yù)期的負(fù)載瞬變將輸出電壓稍微調(diào)高或調(diào)低的過(guò)程。本文介紹如何使用特定IC實(shí)現(xiàn)可靠的電壓監(jiān)控。
2023-11-08 13:04:572918 
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示，該電路為IGBT常用電路，可作為IGBT開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試電路，評(píng)估IGBT的開(kāi)通及關(guān)斷行為。
2024-03-15 10:25:515428 
的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見(jiàn)表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
，暫時(shí)不用考慮，重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性（開(kāi)關(guān)特性）。 動(dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲?。骸 ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的開(kāi)通過(guò)程 IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，分為幾段時(shí)間 1.與MOSFET類似的開(kāi)通過(guò)程，也是
2011-08-17 09:26:02
成正比的特性，通過(guò)檢測(cè)Uce（ON）的大小來(lái)判斷Ie的大小，產(chǎn)品的可靠性高。不同型號(hào)的混合驅(qū)動(dòng)模塊，其輸出能力、開(kāi)關(guān)速度與du/dt的承受能力不同，使用時(shí)要根據(jù)實(shí)際情況恰當(dāng)選用?！ ∮捎诨旌向?qū)動(dòng)模塊
2011-08-17 09:46:21
來(lái)解決問(wèn)題。有時(shí)候，用一個(gè)NPT進(jìn)行簡(jiǎn)易并聯(lián)的效果是很好的，但是與一個(gè)電平和速度相同的PT器件相比，使用NPT會(huì)造成壓降增加。動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性是指IGBT在開(kāi)關(guān)期間的特性。鑒于IGBT的等效電路，要
2012-07-09 14:14:57
適用于高頻切換的場(chǎng)合；IGBT 導(dǎo)通壓降低，耐壓高，所以適用于高壓大功率場(chǎng)合。所以從功耗的角度來(lái)說(shuō)，應(yīng)用時(shí)要注意對(duì)于驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)頻率、門極電阻和驅(qū)動(dòng)電壓的調(diào)節(jié)，以符合系統(tǒng)溫升的要求，并且對(duì)于系統(tǒng)中的做出調(diào)整
2022-09-16 10:21:27
上次我們討論了IGBT關(guān)斷過(guò)程中門極電壓對(duì)載流子的控制過(guò)程，得出結(jié)論：通過(guò)門極電阻改善IGBT關(guān)斷特性并不理想，主要因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT是雙極性器件，我們控制門極電壓實(shí)際上控制的是注入到N-基區(qū)的電子電流
2023-02-13 16:20:01
IGBT半橋電路的中間引出端通過(guò)均流電感并聯(lián)在一起，以提高每個(gè)IGBT半橋單元的動(dòng)態(tài)均流效果。IGBT模塊的正負(fù)端通過(guò)復(fù)合母排連接到直流支撐電容的兩極上。選用復(fù)合母排不但有助于減小IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程產(chǎn)生
2015-03-11 13:18:21
并聯(lián)IGBT驅(qū)動(dòng)所用分開(kāi)柵極電阻相比公用連接方式而言，可以改善動(dòng)態(tài)過(guò)程均流。這也可以降低由于閾值電壓VGEth 之間偏差引起的動(dòng)態(tài)不平衡。圖5為測(cè)試所用的示意圖，額外串聯(lián)的二極管用于有意增加并聯(lián)IGBT
2018-12-03 13:50:08
作為晶體管的一種，是由別的電路來(lái)控制的。具體點(diǎn)說(shuō)，IGBT的簡(jiǎn)化模型有3個(gè)接口，有兩個(gè)（集電極、發(fā)射極）接在強(qiáng)電電路上，還有一個(gè)接收控制電信號(hào)，叫作門極。給門極一個(gè)高電平信號(hào)，開(kāi)關(guān)（集電極與發(fā)射極之間
2023-02-16 15:36:56
管并聯(lián)方案的時(shí)候也很好用?！ Gext：由工程師設(shè)置，包含Rgon（開(kāi)通電阻）和Rgoff（關(guān)斷電阻），一般在設(shè)計(jì)時(shí)通過(guò)不同的充放電回路來(lái)設(shè)置不同的Rgon和Rgoff；柵極電阻對(duì)IGBT的開(kāi)關(guān)
2021-02-23 16:33:11
IGBT柵極的下拉電阻要靠近柵極放置，作用是給IGBT寄生電容Cge放電，那么這個(gè)電阻一般選擇多大？
IGBT的柵極加一個(gè)穩(wěn)壓二極管，是為了防止寄生電容Cgc在IGBT關(guān)斷的時(shí)候（集電極電壓耦合
2024-06-16 22:09:24
電路的開(kāi)關(guān)周期。二極管V應(yīng)選用正向過(guò)渡電壓低、逆向恢復(fù)時(shí)間短的軟特性緩沖二極管。 (3)、適當(dāng)增大柵極電阻Rg。實(shí)踐證明，Rg增大，使IGBT模塊的開(kāi)關(guān)速度減慢，能明顯減少開(kāi)關(guān)過(guò)電壓尖峰，但相應(yīng)的增加了
2012-06-19 11:26:00
能有著重要的影響。 河北工業(yè)大學(xué)省部共建電工裝備可靠性與智能化國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員，針對(duì)現(xiàn)階段仍存在的問(wèn)題，對(duì)于不同功率循環(huán)下的IGBT的熱退化特性進(jìn)行了研究。設(shè)計(jì)了動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn)，對(duì)不同的工作模式下IGBT模塊的退化
2020-12-10 15:06:03
1000V 的IGBT 通態(tài)壓降為2～3V 。IGBT 處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。2 ．動(dòng)態(tài)特性IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET 來(lái)運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds下降過(guò)程后期
2018-10-18 10:53:03
，BIPOLAR適用于中速開(kāi)關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過(guò)這兩者的復(fù)合化，既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件，同時(shí)也是兼顧低飽和
2019-05-06 05:00:17
，BIPOLAR適用于中速開(kāi)關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結(jié)構(gòu)、輸出部為BIPOLAR結(jié)構(gòu)的元器件，通過(guò)這兩者的復(fù)合化，既是使用電子與空穴兩種載體的雙極元件，同時(shí)也是兼顧低飽和
2019-03-27 06:20:04
(潮光光耦網(wǎng)整理編輯)2012-04-03 變頻器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生產(chǎn)的一種IGBT門極驅(qū)動(dòng)光耦合器，其內(nèi)部集成集電極發(fā)射極電壓欠飽和檢測(cè)電路
2012-07-06 16:28:56
-uGS和門極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)電壓、開(kāi)關(guān)、開(kāi)關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。其中門極正電壓uGS的變化對(duì)IGBT的開(kāi)通特性，負(fù)載短路能力和duGS/dt電流有較大
2012-09-09 12:22:07
、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長(zhǎng)外
2018-08-27 20:50:45
(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開(kāi)關(guān)
2025-03-25 13:43:17
和器件
特性相關(guān)的三個(gè)主要功率
開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還
通過(guò)舉例說(shuō)明二
極管的恢復(fù)
特性是決定MOSFET 或
IGBT導(dǎo)通
開(kāi)關(guān)損耗的主要因素，討論二
極管恢復(fù)性能對(duì)于硬
開(kāi)關(guān)拓?fù)?/div>
2021-06-16 09:21:55
能耗的功率損耗；Eon2則包括了與二極管恢復(fù)相關(guān)的硬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通能耗，可通過(guò)恢復(fù)與IGBT組合封裝的二極管相同的二極管來(lái)測(cè)量，典型的Eon2測(cè)試電路如圖2所示。IGBT通過(guò)兩個(gè)脈沖進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換來(lái)測(cè)量Eon
2018-09-28 14:14:34
、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開(kāi)關(guān)等用途。 什么是IGBT？IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型
2022-04-01 11:10:45
、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。 MOS管與IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。 IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示
2020-07-19 07:33:42
【不懂就問(wèn)】說(shuō)MOS管是壓控型器件，而IGBT是流控型器件導(dǎo)致了他們工作原理和結(jié)構(gòu)的完全不一樣那么既然都是可以當(dāng)作開(kāi)通關(guān)斷或者放大作用的管子且門極驅(qū)動(dòng)的話，都要接上電阻來(lái)控制開(kāi)短的快慢，為什么要分電壓電流型呢？電路中根據(jù)U=IR，只要有回路，壓流是共存的，這怎么分得開(kāi)呢？
2018-07-04 10:10:27
，究竟它是如何辦到的？讓我們來(lái)進(jìn)一步深入了解?！ ?b class="flag-6" style="color: red">通過(guò)TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗IGBT是主要用作電子開(kāi)關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件，正如其開(kāi)發(fā)的目的，結(jié)合了高效率和快速的開(kāi)關(guān)功能，它在
2020-07-07 08:40:25
更低（對(duì)于IGBT來(lái)說(shuō)是集電極電流、集電極-發(fā)射極間電壓）。不言而喻，Vd-Id特性也是導(dǎo)通電阻特性。根據(jù)歐姆定律，相對(duì)Id，Vd越低導(dǎo)通電阻越小，特性曲線的斜率越陡，導(dǎo)通電阻越低。IGBT的低Vd（或
2018-12-03 14:29:26
晶體管組成的復(fù)合晶體管，它的轉(zhuǎn)移特性與MOSFET十分類似。為了便于理解，這里我們可通過(guò)分析MOSFET來(lái)理解IGBT的轉(zhuǎn)移特性。圖2.MOSFET截面示意圖當(dāng)MOSFET的柵極-源極電壓VGS=0V
2019-10-17 10:08:57
困難，可以用萬(wàn)用表測(cè)量IGBT的C極和E極，如果IGBT是好的，C、E兩極測(cè)得電阻值無(wú)窮大，則說(shuō)明IGBT沒(méi)有體二極管。IGBT非常適合應(yīng)用于如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域
2021-05-14 09:24:58
和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過(guò)舉例說(shuō)明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開(kāi)關(guān)拓?fù)涞挠绊?。?dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長(zhǎng)外，IGBT
2019-03-06 06:30:00
電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔茫虼?，只要電路參?shù)設(shè)置合適，一般輸出電壓可以比輸入電壓高很多倍。它有三個(gè)工作狀態(tài)：截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。三極管一般是弱電中使用，而且出現(xiàn)在開(kāi)關(guān)作用
2023-02-08 17:22:23
的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào)，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來(lái)判斷是IGBT還是MOS管。同時(shí)還要注意IGBT有沒(méi)有體二極管，圖上沒(méi)有標(biāo)出并不表示一定沒(méi)有，除非
2021-03-02 13:47:10
當(dāng)二極管的正向電流變化時(shí)，其正向電阻也在發(fā)生微小的變化，正向電流愈大，正向電阻愈小，反之則大。在一些控制電路中，在利用這一特性實(shí)現(xiàn)電路的控制功能。在電子開(kāi)關(guān)電路中，利用二極管正向電阻和反向電阻相差
2021-01-22 16:10:45
區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP 雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT 的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給
2012-06-19 11:36:58
，通態(tài)電阻等）-- 截止時(shí)有漏電流；-- 最大的通態(tài)電流有限制；-- 最大的阻斷電壓有限制；-- 控制信號(hào)有功率要求，等等。（3）：電子開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性有限制：-- 開(kāi)通有一個(gè)過(guò)程，其長(zhǎng)短與控制信號(hào)
2018-10-25 16:11:27
整個(gè)混合開(kāi)關(guān)的頻率響應(yīng)。實(shí)驗(yàn)樣品該實(shí)驗(yàn)基于溝槽場(chǎng)停止IGBT芯片的樣品，該芯片的額定阻斷電壓高達(dá)1200 V，標(biāo)稱電流高達(dá)200 A，厚度為125μm。通過(guò)質(zhì)子輻照改善了IGBT的頻率特性，相關(guān)技術(shù)在
2023-02-22 16:53:33
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
特性好、熱穩(wěn)定性好、功率增益大及噪聲小等優(yōu)點(diǎn)與雙極型大功率三極管的大電流、低導(dǎo)通電阻特性集于一體，是性能較高的高速、高壓半導(dǎo)體功率器件。IGBT識(shí)別常見(jiàn)的IGBT的名稱、功能、特性、電路符號(hào)、實(shí)物
2023-02-03 17:01:43
Q1。如何計(jì)算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來(lái)操作感性開(kāi)關(guān)負(fù)載。開(kāi)關(guān)頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會(huì)有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
障礙!MOS管MOS管即MOSFET，中文名金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。其特性，輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性。IGBT管IGBT中文名絕緣柵雙極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是MOS管
2019-05-02 22:43:32
定要滿足放電時(shí)間明顯小于主 電路開(kāi)關(guān)周期的要求，可按R≤T/6C計(jì)算，T為主電路的開(kāi)關(guān)周期。二極管V應(yīng)選用正向過(guò)渡電壓低、逆向恢復(fù)時(shí)間短的軟特性緩沖二極管。（3）適當(dāng)增大柵極電阻Rg。實(shí)踐證明，Rg增大
2011-10-28 15:21:54
的專用數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）來(lái)即時(shí)調(diào)整電源的輸出電壓。電壓轉(zhuǎn)換器的輸出電壓通常通過(guò)電阻分壓器設(shè)置。這對(duì)于固定電壓非常有效。但是，如果要改變輸出電壓，則必須調(diào)整分壓器的電阻值之一。這可以通過(guò)電位計(jì)動(dòng)態(tài)完成。圖
2022-03-14 16:06:51
、硬件設(shè)計(jì)我們使用三極管作為加熱元件，通過(guò)NTC來(lái)控制通過(guò)三極管的電流，以起到控制溫度的作用，至于溫度控制到多少，可以通過(guò)調(diào)節(jié)電位器來(lái)控制。同時(shí)使用另一個(gè)NTC來(lái)測(cè)量當(dāng)前的溫度。電路圖如下：...
2022-01-14 07:07:41
什么是輸出比較寄存器呢？怎樣通過(guò)輸出比較寄存器來(lái)調(diào)整pwm輸出的占空比呢？
2021-11-16 08:28:58
運(yùn)算器的工作原理是什么？怎樣去通過(guò)門電路去實(shí)現(xiàn)一種運(yùn)算器設(shè)計(jì)呢？
2021-10-20 07:14:31
各位大神們，小弟想問(wèn)一下，在康華光的模擬電子技術(shù)中在講到三極管的交流動(dòng)態(tài)電阻時(shí)特別指出那個(gè)公式只適用于射極靜態(tài)電流需小于5mA，然而因?yàn)楝F(xiàn)在工作的需要，算出的射極靜態(tài)電流為5.049mA，請(qǐng)問(wèn)這樣還能用交流動(dòng)態(tài)電阻的那個(gè)式子嗎，會(huì)有多大的偏差？
2016-07-26 11:35:15
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
16A，電壓600V，我的直流側(cè)電壓只有48V，檢測(cè)的電流也只有2A左右，但是斷電后IGBT都很燙。 是不是在關(guān)斷的瞬間的尖峰電壓擊穿了GE，有什么措施呢？我門極只加了個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻50歐，還要不要加什么電路呢？（開(kāi)關(guān)頻率10K， 死區(qū)2us）
2017-07-17 21:19:30
？我們?cè)賮?lái)看下IGBT關(guān)斷電阻與關(guān)斷損耗的關(guān)系，通過(guò)圖2可以看出IGBT的關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷損耗的影響甚微。圖2. IGBT關(guān)斷損耗與門極電阻關(guān)系從以上兩張圖片可知，通過(guò)門極電阻影響IGBT關(guān)斷特性似乎并不
2023-02-13 16:11:34
提高了50V，達(dá)到650V。圖1圖1 全新650V IGBT4的截面圖。相對(duì)于600V IGBT3的改進(jìn)：芯片厚度增加 （y）、溝道寬度降低（z）、背部P射極能效提高。650V IGBT4動(dòng)態(tài)特性
2018-12-07 10:16:11
本文在分析IGBT的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性和過(guò)流狀態(tài)下的電氣特性的基礎(chǔ)上，通過(guò)對(duì)常規(guī)的IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行改進(jìn)，得到了具有良好過(guò)流保護(hù)特性的IGBT驅(qū)動(dòng)電路。該電路簡(jiǎn)單，可靠，易用
2009-10-15 11:12:39
78 IGBT模塊動(dòng)態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)STA3500電氣配置高壓源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV 高流源/IC：600A/1500A/3000A
2024-08-01 15:23:28
穩(wěn)壓管的伏安特性和動(dòng)態(tài)電阻
穩(wěn)壓管也是一種晶體二極管，它是利用PN結(jié)的擊穿區(qū)具有穩(wěn)定電壓的特性來(lái)工作的。穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓設(shè)
2009-11-06 16:54:377348 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4511496 IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開(kāi)關(guān)特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582705 
半導(dǎo)體二極管是一種非線性器件，它對(duì)直流和交流（或者說(shuō)動(dòng)態(tài)量）呈現(xiàn)出不同的等效電阻。二極管的直流電阻是其工作在伏安特性上某一點(diǎn)時(shí)的端電壓與其電流之比。
2016-05-23 13:40:058036 來(lái)控制器件的開(kāi)關(guān)速度，達(dá)到優(yōu)化器件效率的目的。在IGBT出現(xiàn)工作異常時(shí)（例如短路），可以通過(guò)調(diào)整柵極電阻來(lái)控制器件的工作狀態(tài)，防止器件損壞達(dá)到保護(hù)器件的目的。
2017-05-17 09:58:215892 
特性，嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測(cè)試原理，設(shè)計(jì)并搭建壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性測(cè)試平臺(tái)。采用Ansoft Q3D軟件對(duì)測(cè)試平臺(tái)的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，
2017-12-26 14:16:013 IGBT器件T1通過(guò)雙脈沖信號(hào)兩次開(kāi)通和關(guān)斷。換流的變化率di/dt導(dǎo)通過(guò)電阻RGon來(lái)調(diào)節(jié)的，VCC是直流母線電壓。
2020-05-02 17:51:006367 
直接的聯(lián)系；本文提出了一種能夠?qū)Ξ?dāng)前全部等級(jí)的IGBT模塊進(jìn)行動(dòng)態(tài)分析的離線測(cè)試系統(tǒng)。用戶在PC上輸入測(cè)試條件并發(fā)送給DSP控制單元完成相應(yīng)的測(cè)試，獲得不同工作環(huán)境下的器件開(kāi)關(guān)特性，進(jìn)而通過(guò)測(cè)試設(shè)備記錄測(cè)試結(jié)果。對(duì)于電壓超過(guò)三千
2020-07-03 08:00:0012 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0027 IGBT ，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由 MOSFET （輸入級(jí)）和 PNP 晶體管（輸出級(jí)）復(fù)合而成的一種器件，既有 MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙
2020-11-17 08:00:0014 IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開(kāi)關(guān)特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:317687 門極參數(shù)Rge Cge和Lg對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)波形的影響說(shuō)明。
2021-04-18 10:22:4918 工業(yè)應(yīng)用中需要根據(jù)工況選用合適的 IGBT 模塊袁不能直接參考模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)上的數(shù)據(jù)來(lái)應(yīng)用模塊遙本文針對(duì)特定的應(yīng)用工況搭建硬件和軟件電路袁進(jìn)行全面自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試袁分析了各工況條件對(duì)開(kāi)關(guān)特性的影響袁為
2021-05-17 09:51:1966 繞線電阻是由錳銅線和康銅線制成的，那么繞線電阻的特性是什么呢？繞線電阻的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些呢？主要應(yīng)用在哪些方面呢？
2021-06-12 09:37:009127 大家好，這期我們?cè)倭囊幌?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的開(kāi)關(guān)損耗，我們都知道IGBT開(kāi)關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開(kāi)關(guān)暫態(tài)過(guò)程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會(huì)釋放功率，對(duì)外做功產(chǎn)生熱量。那為什么IGBT開(kāi)關(guān)
2022-04-19 16:00:386067 電壓轉(zhuǎn)換器的輸出電壓通常通過(guò)電阻分壓器設(shè)置。這對(duì)于固定電壓非常有效。但是，如果要改變輸出電壓，則必須調(diào)整分壓器的電阻值之一。這可以通過(guò)電位計(jì)動(dòng)態(tài)完成。圖1所示為一種如此簡(jiǎn)單的電路，其開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器IC采用降壓或降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
2022-12-14 15:45:073773 
IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間說(shuō)明 IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)
2023-02-22 15:08:431 關(guān)于IGBT、MOSFET、BJT的開(kāi)關(guān)工作特性的基本思想 最近一直在弄實(shí)驗(yàn)室一個(gè)金屬離子源的控制板，其中有一個(gè)模塊需要完成一個(gè)恒流源的可控輸出，其負(fù)載是金屬離子源的遠(yuǎn)控電流輸入口，考慮到金屬離子源
2023-02-23 09:55:292 統(tǒng)是針對(duì)IGBT器件的開(kāi)關(guān)特性及內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復(fù)特性而推出的全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)。適用于電流小于4500A，集電極電壓 小于6000V，續(xù)流 二極管正向電流小于4500A的IGBT器件的
特性參數(shù)測(cè)試。
2023-02-24 10:49:091 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:5411862 
重要意義。為了全面獲得電-熱-力綜合影響下壓接型 IGBT 芯片的動(dòng)態(tài)特性，該文結(jié)合雙脈沖測(cè)試
電路原理，研制出具備電-熱-力靈活調(diào)節(jié)的壓接型 IGBT 芯片動(dòng)態(tài)特性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。通過(guò)對(duì)動(dòng)態(tài)特性
實(shí)驗(yàn)平臺(tái)關(guān)鍵問(wèn)題進(jìn)行有限元仿真計(jì)算，實(shí)現(xiàn)平臺(tái)回路寄生電感、IGBT 芯片表面壓力分布
2023-08-08 09:58:281 三
極管怎樣
通過(guò)各級(jí)電壓判斷工作狀態(tài)
呢？? 三
極管是一種常見(jiàn)的電子元器件，通常用于放大電流、
開(kāi)關(guān)電路和各種電子設(shè)備的控制。三
極管可以
通過(guò)各級(jí)電壓
來(lái)判斷它的工作狀態(tài)，這是非常重要的，因?yàn)樗梢宰屛覀兞私?/div>
2023-09-15 17:49:285778 IGBT 功率模塊的開(kāi)關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:142647 
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測(cè)試也變的尤為重要，其中動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是IGBT模塊測(cè)試一項(xiàng)重要內(nèi)容，IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能的重要依據(jù)。其動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開(kāi)關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:353766 
和門極組成。因其高電壓和高電流開(kāi)關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷是通過(guò)控制門極電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的。下文詳細(xì)介紹IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件，以及具體的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程。 IGBT導(dǎo)
2023-10-19 17:08:0226499 高頻信號(hào)為什么容易衰減？為什么高頻信號(hào)不能直接通過(guò)電阻的分壓來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的衰減呢？ 隨著科技的不斷發(fā)展，生活中越來(lái)越少有人不了解“高頻信號(hào)”的概念。高頻信號(hào)是指頻率比較高、波長(zhǎng)比較短的電磁波信號(hào)，往往
2023-10-20 15:02:244220 和性能，動(dòng)態(tài)測(cè)試是必不可少的。下面將詳細(xì)介紹IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試的參數(shù)。 1. 開(kāi)通特性測(cè)試（Turn-on Characteristics Test）： 開(kāi)通特性測(cè)試是通過(guò)控制IGBT的輸入信號(hào)，來(lái)檢測(cè)
2023-11-10 15:33:513139 穩(wěn)壓二極管的動(dòng)態(tài)電阻
2023-11-30 17:46:262064 
速度、效率、損耗、應(yīng)用范圍等方面有一些不同之處。 工作原理： 硬開(kāi)關(guān)模式下，當(dāng)IGBT開(kāi)關(guān)從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，由于電流和電壓較大，會(huì)產(chǎn)生大量的開(kāi)關(guān)損耗。而在軟開(kāi)關(guān)模式下，IGBT在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中能夠在合適的時(shí)機(jī)通過(guò)控制電壓和電流的波形，來(lái)減少開(kāi)關(guān)損耗。 開(kāi)關(guān)速度： 硬開(kāi)關(guān)
2023-12-21 17:59:324804 /引言/對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō)，門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過(guò)門極負(fù)壓對(duì)器件開(kāi)關(guān)特性的影響，而今天我們來(lái)一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)從導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗和短路性能來(lái)分別
2023-12-22 08:14:021020 
導(dǎo)通時(shí)，當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓，電流開(kāi)始通過(guò)IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC（集電極電流）上升到特定值時(shí)，VCE（集電極-發(fā)射極電壓）下降的速度。
2024-02-06 10:42:424797 
電阻熱噪聲是怎么來(lái)的呢？電阻熱噪聲有何特性？ 電阻熱噪聲是由于電子系統(tǒng)中存在的熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的一種噪聲現(xiàn)象。根據(jù)統(tǒng)計(jì)物理學(xué)原理，溫度高于絕對(duì)零度的物體內(nèi)的粒子將會(huì)發(fā)生熱運(yùn)動(dòng)，這種運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性導(dǎo)致了
2024-03-28 15:36:583042 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種三端子的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，它結(jié)合了MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的高輸入阻抗和BJT（雙極型晶體管）的低導(dǎo)通壓降特性，因此在高電壓、大電流的電力電子領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。
2024-05-01 15:07:004733 
對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō)，門極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過(guò)門極負(fù)壓對(duì)器件開(kāi)關(guān)特性的影響，而今天我們來(lái)一起看看門極正電壓對(duì)器件的影響。文章將會(huì)從導(dǎo)通損耗，開(kāi)關(guān)損耗和短路性能來(lái)分別討論。 1
2024-05-11 09:11:17927 
二極管，作為電子電路中的基礎(chǔ)元件，其性能的好壞直接影響到整個(gè)電路的穩(wěn)定性和效率。二極管的特性可以大致分為靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性兩大類。靜態(tài)特性主要描述了二極管在直流或低頻交流信號(hào)作用下的性能，而動(dòng)態(tài)特性則描述了二極管在高頻或快速變化的信號(hào)作用下的性能。本文將詳細(xì)探討二極管的這兩種特性。
2024-05-28 14:26:524635 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)于IGBT的正常工作至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)電路中的一個(gè)重要組成部分是驅(qū)動(dòng)電阻，它對(duì)IGBT的開(kāi)關(guān)速度、功耗
2024-07-25 10:50:493752 、復(fù)合母排等部件的特性； 3、通過(guò)實(shí)驗(yàn)取得數(shù)據(jù)確定組件的開(kāi)通和關(guān)斷電阻、死區(qū)時(shí)間等參數(shù)。 1.2 實(shí)驗(yàn)原理 圖 1 為雙脈沖測(cè)試平臺(tái)的電路原理圖，上管T1 處于關(guān)斷狀態(tài)，只有續(xù)流二極管工作，通過(guò)控制下管T2 的開(kāi)關(guān)動(dòng)作進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)平臺(tái)搭建完成之后，給T2 管門極
2025-01-27 18:10:002623 
分析負(fù)載特性來(lái)調(diào)整報(bào)警閾值，核心是 找到負(fù)載對(duì)電能質(zhì)量的 “敏感點(diǎn)” 和 “耐受極限” ，再將這些特性轉(zhuǎn)化為具體的閾值調(diào)整規(guī)則（如收緊敏感指標(biāo)、放寬耐受指標(biāo)）。需分 4 步系統(tǒng)分析，每步都對(duì)
2025-10-10 17:00:20613 
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