IGBT工作中的特性：

IGBT 的靜態(tài)特性，靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關(guān)鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關(guān)特性。

（1）光電流特性：IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極電壓中間的關(guān)聯(lián)曲線圖。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的操縱，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性類似。也可分成飽和狀態(tài)區(qū)1 、變大區(qū)2 和穿透特性3 一部分。在截至情況下的IGBT ，順向電壓由J2 結(jié)擔(dān)負(fù)，反方向電壓由J1結(jié)擔(dān)負(fù)。假如無N 緩沖區(qū)域，則正反面向阻隔電壓能夠保證一樣水準(zhǔn)，添加N 緩沖區(qū)域后，反方向關(guān)斷電壓只有做到幾十伏水準(zhǔn)，因而限定了IGBT 的一些運(yùn)用范疇。

（2）遷移特性：IGBT 的遷移特性就是指輸出漏極電流Id 與柵源電壓Ugs 中間的關(guān)聯(lián)曲線圖。它與MOSFET 的遷移特性同樣，當(dāng)柵源電壓低于打開電壓Ugs（th） 時，IGBT 處在關(guān)斷情況。在IGBT 通斷后的絕大多數(shù)漏極電流范疇內(nèi)， Id 與Ugs呈線性相關(guān)。柵源電壓受漏極電流限定，其值一般取名為15V上下。

（3）電源開關(guān)動畫特效：IGBT 的電源開關(guān)特性就是指漏極電流與漏源電壓中間的關(guān)聯(lián)。IGBT 處在導(dǎo)通態(tài)時，因?yàn)樗腜NP 晶體三極管為寬基區(qū)晶體三極管，因此 其B 值極低。雖然閉合電路為達(dá)林頓構(gòu)造，但穿過MOSFET 的電流變成IGBT 總電流的關(guān)鍵一部分。這時，通態(tài)電壓Uds（on） 能用下式表明

Uds（on） = Uj1 Udr IdRoh

式中Uj1 —— JI 結(jié)的順向電壓，其數(shù)值0.7 ～1V ;Udr ——擴(kuò)展電阻Rdr 上的損耗;Roh ——斷面電阻器。

通態(tài)電流Ids 能用下式表明：Ids=（1 Bpnp）Imos；式中Imos ——穿過MOSFET 的電流。

因?yàn)镹 區(qū)存有氧化還原電位調(diào)配效用，因此 IGBT 的通態(tài)損耗小，抗壓1000V的IGBT 通態(tài)損耗為2 ～ 3V 。IGBT 處在斷態(tài)時，僅有不大的泄露電流存有。

IGBT的動態(tài)特性

IGBT在啟用全過程中，絕大多數(shù)時間做為MOSFET來運(yùn)作的，僅僅在漏源電壓Uds 降低全過程中后期，PNP 晶體三極管由變大區(qū)至飽和狀態(tài)，又提升了一段時間延遲。td（on） 為啟用時間延遲， tri 為電流增益值。具體運(yùn)用中常會得出的漏極電流啟用時間ton 即是td （on） tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 構(gòu)成。

IGBT的開啟和關(guān)斷規(guī)定給其柵極和基極中間再加上順向電壓和負(fù)性電壓，柵極電壓可由不一樣的光耦電路造成。當(dāng)挑選這種光耦電路時，務(wù)必根據(jù)下列的主要參數(shù)來開展：元器件關(guān)斷參考點(diǎn)的規(guī)定、柵極正電荷的規(guī)定、耐固性規(guī)定和開關(guān)電源的狀況。由于IGBT柵極- 發(fā)射極特性阻抗大，故可應(yīng)用MOSFET驅(qū)動器技術(shù)性開展開啟，但是因?yàn)镮GBT的鍵入電容器較MOSFET為大，故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)當(dāng)比很多MOSFET光耦電路出示的偏壓高些。

IGBT在關(guān)斷全過程中，漏極電流的波型變成幾段。由于MOSFET關(guān)斷后，PNP晶體三極管的儲存正電荷無法快速清除，導(dǎo)致漏極電流較長的尾端時間，td（off）為關(guān)斷時間延遲，trv為電壓Uds（f）的增益值。具體運(yùn)用中經(jīng)常得出的漏極電流的下降時間Tf由圖上的t（f1）和t（f2）幾段構(gòu)成，而漏極電流的關(guān)斷時間

t（off）=td（off） trv十t（f）；式中，td（off）與trv之和又稱之為儲存時間。

IGBT的電源開關(guān)速率小于MOSFET，但顯著高過GTR。IGBT在關(guān)斷時不用負(fù)柵壓來降低關(guān)斷時間，但關(guān)斷時間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的提升而提升。IGBT的打開電壓約3～4V，和MOSFET大致相同。IGBT通斷時的飽和狀態(tài)損耗比MOSFET低而和GTR貼近，飽和狀態(tài)損耗隨柵極電壓的提升而減少。

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