常用分析電路的方法有以下幾種：1、直流等效電路分析法；2、交流等效電路分析法；3、時(shí)間常數(shù)分析法；4、頻率特性分析法。
2016-05-17 11:14:49
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伏安特性是指橫軸為電壓、縱軸為電流的一組測試記錄。 那么NPN型晶體管的伏安特性增模描述呢？ 晶體管有三個(gè)引腳，因此需用通過兩個(gè)伏安特性來展示晶體管的特征，這兩個(gè)伏安特性分別為輸入伏安特性和輸出伏安特性。
2023-02-20 15:04:423128 
小川今天給大家介紹的是晶體管對高頻特性的影響的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
2023-02-25 10:20:422536 
晶體管特性圖示儀測三極管直流參數(shù)
2012-08-20 07:47:47
晶體管特性圖示儀測三極管直流參數(shù)
2012-08-20 09:43:57
晶體管交直流參數(shù)對電路設(shè)計(jì)的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
）晶體管以圖7-1-3示出的等效模擬型代替；（2）所有直流電源、隔直電容，旁路電容都看作短路；（3）其它元件按原來相對位置畫出，利用等效電路可以求取放大器的放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻以及分析放大器的頻率特性。(520101)
2021-06-02 06:14:09
什么是電阻測量法？晶體管共發(fā)射極電路特點(diǎn)有哪些？
2021-09-27 08:33:35
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
晶體管在高頻信號(hào)幅頻特性不擴(kuò)展的理由擴(kuò)展共射級(jí)放大電路的幅頻特性
2021-03-02 07:51:16
的電阻值接近0，則說明其C、E極間已擊穿損壞。若晶體管C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多，則說明該管的熱穩(wěn)定性不良。也可以用晶體管直流參數(shù)測試表的ICEO檔來測量晶體管的反向擊穿電流。測試
2012-04-26 17:06:32
? 01晶體管測量模塊在 淘寶購買到的晶體管測試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨。▲ 剛剛到貨的集體管測試線是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點(diǎn)陣液晶屏，顯示內(nèi)容更加
2021-07-13 08:30:42
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路，主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種
2018-01-15 12:46:03
是晶體管的直流電流放大系數(shù)，是指在靜態(tài)（無變化信號(hào)輸入）情況下，晶體管IC與IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情況下β和hFE較為接近,也可相等，但兩者含義是有明顯區(qū)別的，而且在許多場合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經(jīng)集電極。這一集電極電流IC流經(jīng)電阻RL，從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終，輸入電壓e被轉(zhuǎn)換（增幅）成ICRL電壓反映在輸出?！?：hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
ΔuO = ΔiCRC 。實(shí)質(zhì)上，這種控制作用就是放大作用。 3. 晶體管的工作狀態(tài) 當(dāng)給晶體管的兩個(gè) PN 結(jié)分別施加不同的直流偏置時(shí)，晶體管會(huì)有放大、飽和和截止三種不同的工作狀態(tài)。這幾種工作狀態(tài)
2021-05-13 06:43:22
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分享FFT頻譜分析法測相位
2016-11-28 09:18:11
直流電源后，在“Output”選項(xiàng)卡中選擇“I（Q1（IC））”，如下圖所示，確定輸出的縱坐標(biāo)是晶體三極管的集電極電流。
第三步 運(yùn)行輸出結(jié)果
最后點(diǎn)擊“Run”，得到下圖的輸出特性曲線圖
2023-04-27 14:48:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
上使用的模擬器“SPICE”對設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介紹了各種電路印制電路板的實(shí)際制作，以及電路特性的測量，并對電路的工作機(jī)制進(jìn)行了驗(yàn)證?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分為兩部分。第一部分介紹單
2021-01-05 22:38:36
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
類型。3.2 晶體管的種類及其特點(diǎn)》巨型晶體管GTR是一種高電壓、高電流的雙極結(jié)型晶體管（BJT），因此有時(shí)被稱為功率BJT。特點(diǎn)：電壓高，電流大，開關(guān)特性好，驅(qū)動(dòng)功率高，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜;GTR和普通雙極結(jié)型
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
年代和 1960 年代，它也被稱為超級(jí)阿爾法對。Darlington認(rèn)識(shí)到這種設(shè)計(jì)對發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢，并為這一概念申請了專利?！ ∵_(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對輸入電流
2023-02-16 18:19:11
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
常用分析電路的方法有以下幾種：1、直流等效電路分析法在分析電路原理時(shí)，要搞清楚電路中的直流通路和交流通路。直流通路是指在沒有輸入信號(hào)時(shí)，各半導(dǎo)體三極管、集成電路的靜態(tài)偏置，也就是它們的靜態(tài)工作點(diǎn)
2016-07-19 10:32:32
常用分析電路的方法有以下幾種： 1、直流等效電路分析法 在分析電路原理時(shí)，要搞清楚電路中的直流通路和交流通路。直流通路是指在沒有輸入信號(hào)時(shí)，各半導(dǎo)體三極管、集成電路的靜態(tài)偏置，也就是它們的靜態(tài)
2016-06-01 21:24:32
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
基于單片機(jī)的晶體管特性圖示儀
2012-08-20 09:30:07
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置。 晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
我正在考慮將F_t與晶體管的Gm / Id進(jìn)行繪圖。如果你知道如何做其中任何一件事，如果你能讓我知道，我真的很感激。我正在附上我的設(shè)置。 NMOS晶體管當(dāng)然是BSIM3模型的頂層視圖。最誠摯的問候，埃
2018-09-27 15:40:22
如何用Multisim10進(jìn)行數(shù)據(jù)采集？如何用LabVIEW顯示單結(jié)晶體管伏安特性？
2021-04-09 06:13:03
怎樣去設(shè)計(jì)掃描信號(hào)發(fā)生器？掃描信號(hào)發(fā)生器的階梯波和鋸齒波有什么關(guān)系？以CRT示波器為顯示終端顯示波形，與通用晶體管特性圖示儀比較，具有哪些優(yōu)點(diǎn)？
2021-04-15 06:13:59
層次分析法.pdf
2009-09-15 12:54:16
1、層次分析法AHP2、單片機(jī)學(xué)習(xí)層次分析法AHP將半定性，半定量的問題轉(zhuǎn)化為定量計(jì)算的一種行之有效的方法。成對比較矩陣和正互反矩陣設(shè)要比較n個(gè)因素C1,C2,……Cn對目標(biāo)O的影響，從而確定他們在
2021-07-19 06:19:28
數(shù)學(xué)建模算法：層次分析法之如何選擇旅游目的地
2019-06-03 17:31:04
直流電流增益率的關(guān)系式GI：數(shù)字晶體管的直流電流增益率GI=IO/IinhFE=IC/IBIO=IC , Iin=IB +IR2, IB=IC/hFE , IR2=VBE/R2電壓關(guān)系式 VIN
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
的選擇和比較進(jìn)行了分析?？紤]了晶體管參數(shù)，如與時(shí)間相關(guān)的輸出有效電容（Co（tr））和關(guān)斷能量（Eoff）等，這會(huì)影響LLC轉(zhuǎn)換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀電路圖的工作原理:要描繪晶體管的特性曲線，需要對被測晶體管加上兩種電壓:一是要在晶體管的集電極加上工作電壓，但這個(gè)工作電壓不是固定的直流電壓，而是一個(gè)按一定頻率變化的鋸齒波
2008-07-25 13:34:04
用微變等效電路分析法分析放大電路的關(guān)鍵在于正確地畫出放大電路的微變等效電路。具體方法是：首先畫出放大電路交流通路，然后用晶體管的簡化h參數(shù)等效電路代替晶體管，并標(biāo)明電壓、電流的參考方向。應(yīng)用微變等效電路分析法分析放...
2021-04-20 07:01:01
如圖，這個(gè)是節(jié)點(diǎn)分析法需要求的電路，求出Vx(t)的表達(dá)式。
2019-01-10 10:14:57
電極-發(fā)射極電流與幾乎零柵流驅(qū)動(dòng)器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結(jié)合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術(shù)和傳統(tǒng)雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
晶體管中，輸入回路負(fù)載線與輸入特性曲線的交點(diǎn)為什么就是Q點(diǎn)？
2019-04-01 06:36:50
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個(gè)好？
2021-04-20 06:36:55
請問能幫忙分析這個(gè)電路晶體管如何be如何負(fù)偏置嗎？貌似VCC會(huì)對Vin造成直流干擾吧？在Vin和Lb間要加一個(gè)隔直電容吧？
2019-04-15 06:36:28
頻率特性變化的密勒效應(yīng)，再比如基于晶體管的負(fù)反饋、差分放大電路的設(shè)計(jì)。這些內(nèi)容如果認(rèn)真的去看《晶體管電路設(shè)計(jì)》，同時(shí)結(jié)合李老師的電路板進(jìn)行實(shí)際的電路搭建和測試分析，相信每一個(gè)位用心的同學(xué)都會(huì)有或多或少的收獲
2016-06-03 18:29:59
晶體管實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)一 三極晶體管與場效應(yīng)晶體管的特性圖示一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測量晶體管輸入輸出特性的測量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
37 層次分析法:層次分析法：椅子的問題，席位分配問題，行走步長問題，實(shí)物交換模型。
2009-09-15 12:43:079 高頻晶體管的特性與使用技巧目前已經(jīng)商品化的高頻晶體管，大致上可分成:Si—BJT(BJT:Bipolar Junction Transistor，雙極性接點(diǎn)晶體管)Si—MOSFETSi—JFETGaAs—MESFETGaAs—HEMT
2009-10-04 09:31:0544 晶體管性能的優(yōu)劣，可以從它的特性曲線或一些參數(shù)上加以判別。本次實(shí)驗(yàn)主要介紹采用簡易的儀器設(shè)備鑒別晶體管性能的方法，即用萬用表粗測晶體管的性能和用逐點(diǎn)法測繪管子
2009-10-28 10:14:1426 電池電位分析法1.1 基本原理1.2 直接電位法1.３電位滴定法1.4 實(shí)驗(yàn)1.1 基本原理1.1.1 概述1.1.2 電位分析法的理論依據(jù)1.1.3 參比電極1.1.4 指示電極1.1.1 概
2009-11-02 13:48:0917 電池電位分析法1 電位分析法1.1 基本原理1.2 直接電位法1.３電位滴定法1.4 實(shí)驗(yàn)1.1 基本原理1.1.1 概述1.1.2 電位分析法的理論依據(jù)1.1.3 參比電極1.1.4 指
2009-11-03 08:32:1112 光學(xué)分析法 主要內(nèi)容：1. 紅外光譜法2. 紫外-可見分光光度法3. 分子發(fā)光分析法4. 原子吸收光譜法5. 原子發(fā)射光譜法6.&n
2010-08-26 15:58:390 晶體管直流穩(wěn)壓源
2006-04-15 23:24:331818 
偏壓點(diǎn)分析（Bias Point Detail）和直流掃描分析（DC Sweep）
一、學(xué)習(xí)目的：
1、使用電路繪制程序Capture繪制
2007-11-16 12:31:235845 
晶體管特性曲線描繪儀
晶體管特性曲線描繪儀電路圖的工作原
2008-07-25 13:35:501950 
交流等效電路分析法
交流等效電路分析法，是把電路的交流系統(tǒng)從
2008-11-08 08:40:2920891 
直流等效電路分析法:采用直流等效電路分析法的目的是：了解被分析電路的直流系統(tǒng)
2008-11-08 08:46:397594 
晶體管水平掃描電路的掃描電壓線性改進(jìn)電路圖
2009-07-01 13:10:35623 
控制系統(tǒng)的時(shí)域分析法--控制系統(tǒng)的時(shí)域分析法
2009-07-27 14:20:351535 電力晶體管的基本特性
(1)靜態(tài)特性
共發(fā)射極接法時(shí)可分為三個(gè)工作區(qū)：
?、?截止區(qū)。在截止區(qū)
2009-11-05 12:07:481815 高頻晶體管,高頻晶體管原理是什么
具有高速電子移動(dòng)率、低噪音特性、高fr（斷開頻率）等優(yōu)良的特性。以使用化合物半導(dǎo)本
2010-03-01 11:12:074419 電力晶體管的基本特性和主要參數(shù)有哪些?
電力晶體管-基本特性
1)靜態(tài)特性
2010-03-05 13:37:033235 晶體管特性圖示儀,晶體管特性圖示儀是什么意思
體管特性圖示儀它是一種能對晶體管的特性參數(shù)進(jìn)行測試的儀器。 一般
2010-03-05 14:29:093767 通過圖解分析法和微變等效電路分析法，對晶體管恒流源負(fù)載的等效靜態(tài)電阻和動(dòng)態(tài)電阻進(jìn)行了詳細(xì)分析，闡明了它們在不同工作狀態(tài)下的變化情況，以指導(dǎo)具有晶體管恒流源負(fù)載的晶體管工作狀態(tài)的確定.
2011-03-01 15:26:01138 簡易自動(dòng)晶體管特性圖示儀以AT89S52單片機(jī)為控制核心,由D/A來輸出掃描電壓和階梯電流,可以自動(dòng)識(shí)別 晶體管 的管腳與極性,并測量共射組態(tài)下三極管的特性曲線與主要參數(shù)以及穩(wěn)壓二極
2011-07-25 15:19:23123 本文基于對層次分析法在處理多目標(biāo)決策問題時(shí)計(jì)算量較大、易出現(xiàn)誤差的情況提出改進(jìn)的目的，采用修改標(biāo)度值和簡化判斷矩陣的方法，有效地解決了層次分析法在處理多目標(biāo)決策問
2011-08-15 09:46:510 晶體管特性圖示儀原理與使用 晶體管特性圖示儀原理與使用
2016-02-18 14:56:2453 回路分析法PPT
2017-03-14 16:05:580 本文介紹了放大電路的分析方法，圖解分析法和小信號(hào)模型分析法。 靜態(tài)工作點(diǎn)的圖解分析 采用該方法分析靜態(tài)工作點(diǎn)，必須已知三極管的輸入輸出特性曲線。
2017-11-23 11:02:4231 本文介紹了場效應(yīng)管放大電路及FET放大電路的小信號(hào)模型的分析法。
2017-11-23 15:07:2422 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是雙極型晶體管和基本放大電路的分析特性參數(shù)等資料課件免費(fèi)下載內(nèi)容包括了:1.雙極型晶體管2 BJT基本放大電路直流分析方法3 BJT基本放大電路交流分析方法4 三種組態(tài)放大器的中頻特性5單級(jí)共發(fā)放大器的頻率特性6 多級(jí)放大電路
2018-10-23 17:06:0915 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是晶體管的特性與參數(shù)詳細(xì)資料說明包括了：1 晶體管的工作原理，2 晶體管的伏安特性，3 晶體管的主要參數(shù)
2019-06-17 08:00:0026 本文主要闡述了磁敏晶體管的工作原理及磁敏晶體管的特性。
2019-12-20 11:16:258461 
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。
2021-03-21 15:43:036509 
晶體管直流穩(wěn)壓電源(電源技術(shù)在線作業(yè)一)-晶體管直流穩(wěn)壓電源? ? ? ? ? ? ? ? ? ??
2021-08-31 17:30:3716 這個(gè)Demo將介紹如何用ChipScopy創(chuàng)建并運(yùn)行l(wèi)ink sweep。
2022-07-10 15:45:581840 設(shè)計(jì)晶體管放大器時(shí)，要考慮穩(wěn)定性的問題。如果不穩(wěn)定，就會(huì)可能發(fā)生“自激現(xiàn)象”。一般分析的方向有環(huán)路分析法，負(fù)阻分析法，S參數(shù)網(wǎng)絡(luò)分析法。
2022-08-05 18:07:494668 
這一節(jié)繼續(xù)對共射放大電路進(jìn)行總結(jié)分析，講述晶體管頻率特性不擴(kuò)展的原因!
2023-01-10 14:11:191421 
這一節(jié)繼續(xù)對共射放大電路進(jìn)行總結(jié)分析，講述晶體管頻率特性不擴(kuò)展的原因！
2023-01-30 15:11:491712 高頻晶體管（High Frequency Transistor）是一種用于高頻信號(hào)放大和處理的晶體管。相比于普通的晶體管，高頻晶體管具有更高的工作頻率和更低的噪聲系數(shù)，因此廣泛應(yīng)用于無線電通信、雷達(dá)、導(dǎo)航、廣播電視等領(lǐng)域。
2023-02-25 15:05:443765 對電路進(jìn)行分析的方法很多，如疊加定理、支路分析法、網(wǎng)孔分析法、結(jié)點(diǎn)分析法、戴維南和諾頓定理等。根據(jù)具體電路及相關(guān)條件靈活運(yùn)用這些方法，對基本電路的分析有重要的意義?，F(xiàn)就具體電路采用不同方法進(jìn)行如下比較。
2023-03-13 09:51:249093 
在本文中，我們將討論CB晶體管的特性曲線，如 CB晶體管的靜態(tài)輸入和靜態(tài)輸出特性曲線（共基）。
2024-05-05 15:47:002559 
晶體管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大、開關(guān)、穩(wěn)壓等多種功能。晶體管特性參數(shù)的測量對于確保其在電路中正確工作至關(guān)重要。
2024-05-13 17:09:431556 在電子工程中，晶體管是一種廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，它能夠控制電流的流動(dòng)。在眾多晶體管類型中，達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）以其獨(dú)特的工作原理和顯著的特性而備受矚目。本文將深入探討達(dá)林頓晶體管的工作原理，以及其主要特性，并給出相應(yīng)的分析和討論。
2024-05-22 16:49:213733 晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負(fù)載的特性表現(xiàn)，這些特性直接關(guān)系到晶體管在各種電路中的應(yīng)用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響，包括輸入信號(hào)、電源電壓、溫度以及晶體管自身的結(jié)構(gòu)參數(shù)等。
2024-09-24 17:59:572692
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