Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
PN結器件優(yōu)越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗?！ 〉?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
應用領域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
商用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開始商用，至今已有20年商用積累，并在部分高中端電源市場批量應用，逐步向通用市場滲透，具備廣闊的市場前景。 碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場強等關鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
?！ ∠鄬?，硅材料的禁帶寬度較低，在較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高，而高的漏電流會造成熱擊穿，這限制了器件在高溫環(huán)境和大功率耗散條件下工作?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管與硅快速恢復二極管 耐壓
2023-02-28 16:34:16
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導地位。 源于硅基的肖特基二極管，近年來開發(fā)出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復時間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時降低功率損耗。創(chuàng)能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
、反向恢復時間短的半導體二極管）主要用于各種功率轉換器的開關功率器件（如IGBT或MOSFET），以起到續(xù)流效果。碳化硅肖特基二極管4.1 碳化硅肖特基二極管基本型肖特基二極管，也稱為熱載流二極管，通過
2023-02-07 15:59:32
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
碳化硅(SiC)功率器件的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術條件下，該系列二極管可提供業(yè)界最高的阻斷電壓。
2012-02-07 15:40:40
1701 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:355264 據(jù)外媒報道，在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會上，英飛凌（Infineon）推出了首款車用碳化硅產品，肖特基（Schottky）二極管，并為其新創(chuàng)了一個品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:505349 因為本征載流子激發(fā)導致器件性能失效。碳化硅材料在發(fā)生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場是硅材料和砷化鎵(GaAs)的5~20倍12。這一高極限電場可以用來制造高壓、大功率器件。?大功率碳化硅二極管
2018-11-20 15:28:071867 碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結勢壘
肖特基二極管結構（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復
二極管（SiFRD），
碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性?？梢杂行Ы档头聪蚵╇?/div>
2020-11-17 15:55:056966 。 它與硅半導體材料一樣，可以制成結型器件、場效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。 其優(yōu)點是： （1）碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件的正向損耗小。 （2）碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具
2021-01-13 09:42:412238 二次側整流二極管通常使用FRD（快速恢復二極管）和SBD（肖特基勢壘二極管）等，本文提到的基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC基本沒有開關損耗，而且VF具有正向溫度系數(shù)，有利于提高車載充電機實際的效率。
2022-07-26 14:43:341889 碳化硅肖特基功率二極管G3S06504A產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 15:55:050 碳化硅肖特基功率二極管G3S06504H產品規(guī)格書免費下載。
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2022-08-30 15:43:571 碳化硅肖特基功率二極管G3S06540PP產品規(guī)格書免費下載。
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2022-08-30 09:51:090 碳化硅肖特基功率二極管G3S17010P產品規(guī)格書免費下載。
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2022-08-30 15:10:172 碳化硅肖特基功率二極管G5S06504AT產品規(guī)格書免費下載。
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2022-08-30 09:41:292 碳化硅肖特基功率二極管G5S06508AT產品規(guī)格書免費下載。
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2022-08-30 09:34:182 碳化硅肖特基功率二極管G5S06510PT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 09:31:260 碳化硅肖特基功率二極管G4S06515AT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 09:30:450 碳化硅肖特基功率二極管G5S12002A產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 09:26:021 碳化硅肖特基功率二極管G5S12002R產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-30 09:21:050 碳化硅肖特基功率二極管G5S12015P產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:45:371 碳化硅肖特基功率二極管G3S17020PP產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:42:130 碳化硅肖特基功率二極管G51XT產品規(guī)格書免費下載。
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2022-08-31 14:39:090 采碳化硅肖特基功率二極管GAS06520A產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:38:073 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520H產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:36:530 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520L產品規(guī)格書免費下載。
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2022-08-31 14:35:231 碳化硅肖特基功率二極管G4S06510JT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:34:410 碳化硅肖特基功率二極管G5S12010PM產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:33:540 碳化硅肖特基功率二極管G5S12020PM產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 14:33:090 碳化硅肖特基功率二極管G52YT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:39:150 碳化硅肖特基功率二極管G4H06510AT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:38:320 碳化硅肖特基功率二極管G3S06520PM產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:37:440 碳化硅肖特基功率二極管GAS06540B產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:32:572 碳化硅肖特基功率二極管G4S06506AT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:32:091 碳化硅肖特基功率二極管G4S06508AT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:29:500 碳化硅肖特基功率二極管G4S06520BT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:11:470 碳化硅肖特基功率二極管G5S06520AT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 11:09:480 碳化硅肖特基功率二極管G53YT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 10:59:100 碳化硅肖特基功率二極管G5S12005A產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 10:49:510 碳化硅肖特基功率二極管G3S06550PM產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 10:42:080 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520D產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 10:40:441 碳化硅肖特基功率二極管G5S12030BH產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 10:39:580 碳化硅肖特基功率二極管G5S12040BM產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 10:00:180 碳化硅肖特基功率二極管G5S12030PMT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 09:56:290 碳化硅肖特基功率二極管GRS06501AT產品規(guī)格書免費下載。
2022-08-31 09:55:104 碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導體材料的發(fā)展開始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:173674 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導體器件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:401513 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473721 我們拿慧制敏造碳化硅半導體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:163523 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:321819 碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導體器件，具有低開啟電壓、高速開關、高溫性能等優(yōu)點，廣泛應用于電源、驅動、逆變器、電動汽車等領域。
2023-06-04 16:09:004311 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應，即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導體中的載流子向金屬一側偏移，形成整流效應。
2023-06-07 17:10:342338 7.2肖特基勢磊二極管（SBD）第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-09 09:27:531337 
7.4結勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.3.4電流-電壓關系∈《碳化硅技術
2022-02-15 11:20:415478 7.3pn與pin結型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.2肖特基勢磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-02-10 09:18:151371 今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應用領域及優(yōu)勢。??一、太陽能逆變器。??碳化硅二極管是太陽能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項技術指標上都優(yōu)于普通雙極二極管技術。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:052134 
碳化硅二極管的優(yōu)點和局限性分析 碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應用。與傳統(tǒng)的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管具有許多優(yōu)點和局限性。下面是對碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:274769 在當今快速發(fā)展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:291624 ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管 在科技政策與法規(guī)的推動下，半導體行業(yè)正經歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設備需求的不斷增長，BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:051090 
結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發(fā)展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經成為國產碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象，比如2024已經有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產清算，僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31753 在電力電子領域，碳化硅（SiC）肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155，深入探討它的特性、參數(shù)和應用。
2025-12-01 15:55:06207 
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