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高功率密度工業(yè)電源的實(shí)現(xiàn)

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2015-07-24 10:43:151481

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2015-09-09 11:11:072290

德州儀器:功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介

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為滿(mǎn)足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)對(duì)功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā),提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:033982

金升陽(yáng)推出DC/DC模塊電源寬壓功率密度產(chǎn)品——URA/B_YMD-30WR3 系列

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和信號(hào)完整性以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和精度。 ? 在這些趨勢(shì)之外,功率密度越來(lái)越高也是一個(gè)不爭(zhēng)的行業(yè)趨勢(shì),如果能在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率,就能以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)級(jí)性能。隨著功率需求的增加,電路板面積和厚度日益成為限制
2022-11-29 01:04:002449

功率密度權(quán)衡——開(kāi)關(guān)頻率與熱性能

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2022-12-26 09:30:523461

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2021-03-07 08:47:04

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2022-11-07 06:45:10

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,容易受厚膜膠相對(duì)較大的電阻率以及印制導(dǎo)體厚度的限制。而很多層數(shù)交疊折繞的平面銅箔繞組,可以獲得極低的電阻,它主要受限于小電流的單層設(shè)計(jì)及桶形繞組的結(jié)構(gòu)。以上就是一些關(guān)于功率密度高頻電源變壓器的應(yīng)用方案的簡(jiǎn)單理論。
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克服了上述問(wèn)題,可實(shí)現(xiàn)功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、電壓、功率開(kāi)關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個(gè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,用于驅(qū)動(dòng)外部功率 MOSFET,以
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Leadway GaN系列模塊的功率密度

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OBC功率密度目標(biāo)4kW/L,如何通過(guò)電容選型突破空間瓶頸?

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【深圳】誠(chéng)聘硬件工程師(功率密度ACDC硬件)

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2017-09-06 17:28:43

一種新型正激功率密度逆變器

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什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?

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2023-06-16 09:04:37

基于德州儀器GaN產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高功率密度

從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī),電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間,而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無(wú)減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸,但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
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2017-07-05 14:58:021411

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如何提高器件和系統(tǒng)的功率密度

功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:063203

基于GaN功率器件的大功率功率密度EV逆變器

提高功率密度的路線(xiàn)圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開(kāi)始。與碳化硅相比,氮化鎵可以顯著降低動(dòng)態(tài)損耗,因此可以降低整體損耗。因此,這是未來(lái)實(shí)現(xiàn)功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:461151

使用GaN實(shí)現(xiàn)功率密度和高效系統(tǒng)

(MOSFET),因?yàn)樗軌蝌?qū)動(dòng)更高的功率密度和高達(dá) 99% 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能,使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術(shù)(如碳化硅)不同的一系列挑戰(zhàn)。
2022-07-29 14:06:521635

具有Dialog零電壓開(kāi)關(guān)的電源功率密度

該芯片組提供完整、易于使用的功率密度 AC/DC 充電解決方案、高達(dá) 94% 的效率和先進(jìn)的保護(hù)功能,可在小物理充電器尺寸中以安全、涼爽的操作實(shí)現(xiàn)功率充電。iW709 將 USB 供電 (USB
2022-08-03 09:28:391102

先進(jìn)的LFPAK MOSFET技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常的工作電流、卓越的性能、穩(wěn)健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設(shè)計(jì)用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度,適用于當(dāng)今空間受限的功率汽車(chē)應(yīng)用。
2022-08-09 08:02:114328

240W功率密度高效LLC電源

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2022-08-09 14:21:5468

功率密度數(shù)字IC呼喚新一代電源穩(wěn)壓器

復(fù)雜的功率密度數(shù)字集成電路 (IC),例如圖形處理器單元 (GPU) 和現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA),可以在各種功能豐富的電子環(huán)境中找到,包括汽車(chē)、醫(yī)療、電信、數(shù)據(jù)通信、工業(yè)、通信、游戲和消費(fèi)類(lèi)音頻/視頻。功率密度的數(shù)字 IC 幾乎已經(jīng)滲透到每一個(gè)嵌入式系統(tǒng)中。
2022-08-11 14:38:541351

PMP11328功率密度30A PMBus電源設(shè)計(jì)

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2022-09-08 10:07:101

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介
2022-10-31 08:23:243

如何實(shí)現(xiàn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率密度

一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià),電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評(píng)價(jià),逆變器以體積功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià);一般乘用車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià),而商用車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評(píng)價(jià)。
2022-10-31 10:11:216549

電源系統(tǒng)功率密度如何提升?

和信號(hào)完整性以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和精度。 在這些趨勢(shì)之外,功率密度越來(lái)越高也是一個(gè)不爭(zhēng)的行業(yè)趨勢(shì),如果能在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率,就能以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)級(jí)性能。隨著功率需求的增加,電路板面積和厚度日益成為限制因
2022-11-29 07:15:101577

實(shí)現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法

本文將介紹實(shí)現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法,工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:591604

功率密度權(quán)衡——開(kāi)關(guān)頻率與熱性能

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))電源模塊功率密度越來(lái)越高是行業(yè)趨勢(shì),每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,電源模塊的尺寸會(huì)越來(lái)越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:022248

基于WAYON維安MOSFET功率密度應(yīng)用于USB PD電源

基于WAYON維安MOSFET功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:351525

設(shè)計(jì)指南 | 功率密度電源要怎么設(shè)計(jì)?

單相交流輸入電源設(shè)計(jì),該電源具有超過(guò) 36 W/in 3 的功率密度 ,且 滿(mǎn)載效率為94.55% 。表1 總
2023-01-09 19:50:044007

功率器件的功率密度

功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:203471

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介

對(duì)于電源管理應(yīng)用程序而言,功率密度的定義似乎非常簡(jiǎn)單:它指的是轉(zhuǎn)換器的額定(或標(biāo)稱(chēng))輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積,如圖1所示。
2023-03-23 09:27:491977

用于功率密度應(yīng)用的碳化硅功率器件

交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。開(kāi)關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 17:37:531898

您知道超高功率密度電源怎么設(shè)計(jì)嗎?

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護(hù)的要求,電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來(lái)越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓?fù)湟彩艿搅嗽S多人的關(guān)注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:041446

如何提高系統(tǒng)功率密度

功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如,在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí),GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì),能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度,而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254

影響電源模塊功率密度的關(guān)鍵因素

依靠簡(jiǎn)單的經(jīng)驗(yàn)法則來(lái)評(píng)估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,例如電源解決方案開(kāi)關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比;與驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)密度的負(fù)載相比,功率密度往往以不同的速率變化;因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器
2023-08-18 11:36:271226

如何提升工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)的功率效率和功率密度呢?

電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員致力于提升工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)的功率效率和功率密度,這些設(shè)計(jì)涵蓋多軸驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電站和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器等。
2023-09-26 10:00:04971

功率密度電機(jī)的設(shè)計(jì)方案

主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu),極槽布置布置采用:12極18槽,最高轉(zhuǎn)速20000rpm,功率密度52.43kW/L,磁鋼型蛤采用:N50,硅鋼材料采用:Arnon 5
2023-10-08 10:48:511468

雙模塊如何實(shí)現(xiàn)盡可能功率密度

模塊的高效率、功率密度和高可靠性的挑戰(zhàn)需要通過(guò)持續(xù)的模塊改進(jìn)來(lái)支持。阻斷電壓為 1700V 和 3300V 的全 SiC MOSFET 模塊已從研究階段成功開(kāi)發(fā)到量產(chǎn),并滿(mǎn)足最高的牽引質(zhì)量、可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)。 封裝和芯片移位 近年來(lái),下一代功率
2023-10-24 16:11:301871

采用IGBT7功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例

采用IGBT7功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例
2023-12-05 15:06:062055

功率半導(dǎo)體冷知識(shí):功率器件的功率密度

功率半導(dǎo)體冷知識(shí):功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652

非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)
2023-11-23 09:08:351361

PMP22648.1-汽車(chē)車(chē)聯(lián)網(wǎng) (V2X) 電源功率密度 PCB layout 設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP22648.1-汽車(chē)車(chē)聯(lián)網(wǎng) (V2X) 電源功率密度 PCB layout 設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-19 15:55:250

功率設(shè)備提升功率密度的方法

在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中,功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526

AP9523功率密度5V/2.5A模塊電源方案

AP9523功率密度5V/2.5A模塊電源方案
2023-12-25 13:36:421804

芯干線(xiàn)科技出席功率密度GaN數(shù)字電源技術(shù)交流會(huì)

芯干線(xiàn)與世紀(jì)電源網(wǎng)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手、傾心打造的“功率密度 GaN 數(shù)字電源技術(shù)交流會(huì)”,于近日盛大啟幕!
2024-12-24 15:24:431273

金升陽(yáng)推出功率密度整流模塊LMR3000-4850

在通信與工業(yè)控制領(lǐng)域,穩(wěn)定、高效的電源是保障系統(tǒng)可靠運(yùn)行的核心。金升陽(yáng)LMR3000-4850整流模塊憑借功率密度、智能數(shù)字化控制及多重安全防護(hù),成為通信基站、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化及機(jī)器人等領(lǐng)域的理想選擇。
2025-07-10 17:30:42880

上海海思MCU產(chǎn)品Hi3071助力功率密度電源創(chuàng)新設(shè)計(jì)

自開(kāi)關(guān)電源誕生以來(lái),功率密度的提升一直是開(kāi)關(guān)電源設(shè)備不斷演進(jìn)的方向之一。
2025-11-07 15:56:231056

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