高功率密度的模塊電源目前在我國的工業(yè)、通訊和制造業(yè)領(lǐng)域占據(jù)著主導(dǎo)地位,如何在設(shè)計過程中實現(xiàn)高頻率電源的低損耗和散熱平衡,就成為了很多生產(chǎn)商和研發(fā)人員所面臨的頭號問題。本文將會就這一問題展開簡要的敘述分析,幫助工程師們更有效的實現(xiàn)低損耗高功率的電源設(shè)計。
2015-07-24 10:43:15
1481 為了更好地理解對功率密度的關(guān)注,讓我們看看實現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出,效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:14
2068 
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā),提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
3982 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件,但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計。
2025-09-23 09:26:33
2066 
EPC公司和ADI公司推出參考設(shè)計,采用全面優(yōu)化的新型模擬控制器來驅(qū)動EPC的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)。新型模擬LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效eGaN?FET相結(jié)合,可實現(xiàn)高達(dá)2 MHz的開關(guān)頻率,從而實現(xiàn)高功率密度和低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換。
2022-03-16 09:42:38
1741 
描述PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計
2023-06-21 07:35:15
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析,可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù),進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示,在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 電源,滿足基站遠(yuǎn)程射頻單元 (RRU) 應(yīng)用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 內(nèi)核電壓軌電源規(guī)格。該電源在
2022-09-27 06:47:49
采用纖巧 QFN 封裝的 42V 高功率密度降壓型穩(wěn)壓器
2019-09-12 07:35:56
高功率密度雙8AμModule穩(wěn)壓器
2019-05-17 17:25:42
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作,使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面,幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先,讓我們來定義功率密度,并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
%的緊湊型電子變壓器。 這種緊湊型變壓器的設(shè)計,首先遇到的問題是要在高功率密度和高效率兩者間作折衷選擇,其研制出的主要技術(shù)是使用銅箔交疊的平面繞組結(jié)構(gòu),以增加銅箔密度的方法減小在高頻(MHz級
2016-01-18 10:27:02
能量轉(zhuǎn)換元件如變壓器、儲能元件如電感及電容,達(dá)到高效率、高功率密度的要求。為求簡便,本文以下稱之電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。電源轉(zhuǎn)換技術(shù)的發(fā)展著重在達(dá)到高功率密度及高轉(zhuǎn)換效率,即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉(zhuǎn)換
2018-12-05 09:48:34
)兼容性。技術(shù)優(yōu)勢GaN 材料特性:高功率密度:GaN 的寬帶隙特性使其在相同尺寸下輸出功率遠(yuǎn)高于 GaAs 或硅基器件。高頻性能優(yōu)異:在 6GHz 頻段仍能保持高效率與線性度,適合寬帶線性放大應(yīng)用。高
2025-12-12 09:40:25
克服了上述問題,可實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,用于驅(qū)動外部功率 MOSFET,以
2018-10-31 11:26:48
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心,通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計,實現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價值在于為工業(yè)自動化、機(jī)器人、電動汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
我們在設(shè)計 11kW、800V平臺OBC 時,為實現(xiàn) 4kW/L 的高功率密度目標(biāo),發(fā)現(xiàn) 傳統(tǒng)牛角電容體積過大 導(dǎo)致布局困難,請問 永銘LKD系列 是否有滿足 高耐壓 且 體積小 的解決方案?
2025-12-02 09:24:46
獵頭職位:硬件工程師(高功率密度ACDC硬件) (薪資:17-20K/月,具體面議)工作職責(zé):1、負(fù)責(zé)采用軟開關(guān)拓?fù)?kW-10kW的DCDC硬件方面設(shè)計;2、負(fù)責(zé)高功率密度ACDC硬件方面的開發(fā)
2017-09-06 17:28:43
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 16:29:16
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 15:43:13
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數(shù)設(shè)計校正(PFC)和非對稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應(yīng)用程序。在升壓PFC設(shè)計中,采用了GaNSense功率ic,以實現(xiàn)更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
什么是功率密度?功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度?
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
2021-03-11 08:12:17
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率,但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力?! 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
漏感能量損耗,限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率,從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器,有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而,為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高
2022-04-12 11:07:51
漏感能量損耗,限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率,從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器,有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而,為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高
2022-06-14 10:14:18
描述 PMP20978 參考設(shè)計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計。此設(shè)計將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
的氮化鎵(GaN)直流/直流解決方案去除了中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換級,設(shè)計師可以在單級中將48V電壓降至更低的輸出電壓。去除中間母線直流/直流轉(zhuǎn)換器使得功率密度和系統(tǒng)成本顯著增加,同時提高了可靠性。與硅
2019-07-29 04:45:02
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率,減小體積無源器件,進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而,由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性,給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
升壓從動器PFC通過調(diào)整來提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡化了復(fù)雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅(qū)動損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開關(guān)損耗和循環(huán)能量,提高系統(tǒng)效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37
,功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達(dá) 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能,可確保電路可靠性并簡化設(shè)計使用 TI
2018-10-25 11:49:58
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率,但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間,”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說,“如果不能增大尺寸,那么只能提升功率密度?!?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固,因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用,集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問題,給出一個驅(qū)動器方案,解決設(shè)計過程的風(fēng)險。
2020-10-28 06:59:27
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何在高功率密度模塊電源中實現(xiàn)低損耗設(shè)計?這個問題是很多生產(chǎn)商和研發(fā)人員所面臨的頭號問題。畢竟,高功率密度的模塊電源目前在我國的工業(yè)、通訊和制造業(yè)領(lǐng)域占據(jù)著主導(dǎo)地位。所以,下文將會就這一問題展開
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度?
2021-04-25 07:40:14
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率(功率密度)?
2013-10-16 16:32:02
高密度智能功率模塊(IPM)推向市場。由于采用精細(xì)間距技術(shù)實現(xiàn)高布線密度的直接鍵合銅(DBC)基板,改善了熱性能,這些緊湊型IPM遠(yuǎn)小于具有相同電流和電壓額定值的競爭產(chǎn)品。它們也表現(xiàn)出降低的功率損耗
2018-10-18 09:14:21
的占地面積,并以現(xiàn)有的管理成本創(chuàng)造出更多的價值。本文分析了追求能源轉(zhuǎn)換效率在節(jié)能、采集/處理成本和機(jī)柜/工廠車間利用率中所占百分比的實際成本,并與增加功率密度和系統(tǒng)效率進(jìn)行了比較。
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī),電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間,而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸,但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
描述此參考設(shè)計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT),實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設(shè)計。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時間調(diào)節(jié),此參考設(shè)計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求,如低功耗(以減輕機(jī)箱冷卻方面的負(fù)擔(dān))、高功率密度(以減小空間要求)、高可靠性和高耐用性,以及其它在普通電源中不常見的特性
2011-04-06 10:57:14
1720 
文章研究了1.5-5V低壓電源用高效、高功率密度變壓器的電路模型,設(shè)計可行性和設(shè)計參數(shù)的折衷考慮方案。這類變壓器由單一或多個罐形磁心與交替結(jié)構(gòu)的平面繞組構(gòu)成。理論計算和實
2011-10-14 17:48:55
36 工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求,如低功耗(以減輕機(jī)箱冷卻方面的負(fù)擔(dān))、高功率密度(以減小空間要求)、高可靠性和高耐用性,以及其它在普通電源中不常見的特性,如易于并
2012-10-11 20:42:57
2598 
高功率密度逆變電源研制,有需要的下來看看
2016-03-25 13:57:20
20 高功率密度蒸發(fā)冷卻ECR離子源磁體線圈研制_熊斌
2017-01-08 13:26:49
0 ,需要開發(fā)出高效可靠的LED專用驅(qū)動電源與之配套。當(dāng)前LED驅(qū)動電源存在功率密度、功率因數(shù)和效率較低等問題,因此開展高功率密度LED驅(qū)動電源的研究意義深遠(yuǎn)。
2017-10-23 14:36:28
9 TI高功率密度電源設(shè)計中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:00
3829 設(shè)計超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:00
5835 
URB_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產(chǎn)品的需求,而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。
2019-10-22 13:48:24
2604 
然而,這中間有很多附帶的挑戰(zhàn),比如集成之后單一器件的 EMI 問題。而在電源器件不斷追求高功率密度的大背景下,將更多器件集成到一個封裝里面的前提是尺寸要小,因此實現(xiàn)起來極具挑戰(zhàn)。
2020-08-06 17:38:59
1509 機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作,使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面,幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。 首先,讓我們來定義功率密度,并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15
1460 元件集成來減小系統(tǒng)體積,我還將演示如何與 TI 合作,使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面,幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先,讓我們來定義功率密度,并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)。
2020-11-19 15:14:00
11 高功率密度系統(tǒng)需要大電流轉(zhuǎn)換器
2021-03-21 12:38:38
10 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:51
9 采用小型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2021-05-18 20:00:35
10 小型QFN封裝的DN1038-42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2021-05-24 17:58:08
17 高效率高功率密度電力電子技術(shù)及案例分析
2021-07-22 09:59:28
5 高功率密度、高效率和更寬的頻率支持使基于 GaN 的解決方案成為適合許多射頻應(yīng)用的優(yōu)良選擇。嵌入式系統(tǒng)設(shè)計人員都知道,每一種材料都必須權(quán)衡利弊。在探討最佳設(shè)計實踐之前,有必要澄清關(guān)于 GaN 的一些
2021-07-28 17:06:18
2104 的散熱
通過機(jī)電元件集成來減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作,使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面,幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。
首先,讓我們來定義功率密度,并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:26
2447 高功率密度雙向車載充電器規(guī)格書
2021-12-07 10:00:33
3 在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器,有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而,為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高功率密度,軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:45
3361 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:06
3203 
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。與碳化硅相比,氮化鎵可以顯著降低動態(tài)損耗,因此可以降低整體損耗。因此,這是未來實現(xiàn)高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:46
1150 提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動態(tài)損耗,從而降低整體損耗。因此,這是未來實現(xiàn)高功率密度的一種方法。 第二個參數(shù)是整個逆變器堆棧的厚度;具有扁平薄型逆變器
2022-08-03 10:16:55
1271 基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn),并在實際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實施高功率解決方案,并提供應(yīng)用示例,展示 GaN 器件如何在超過 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:13
3008 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《240W高功率密度高效LLC電源.zip》資料免費下載
2022-08-09 14:21:54
68 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:05
10 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作(高 Fmax)、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比,GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙,達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿,達(dá)
2022-09-19 09:33:21
3472 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:24
3 一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評價,電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評價,逆變器以體積功率密度指標(biāo)評價;一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評價,而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評價。
2022-10-31 10:11:21
6549 本文將介紹實現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法,工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:59
1604 
基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35
1525 
單相交流輸入電源設(shè)計,該電源具有超過 36 W/in 3 的高功率密度 ,且 滿載效率為94.55% 。表1 總
2023-01-09 19:50:04
4006 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:20
3471 
交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個關(guān)鍵因素。
2023-03-30 17:37:53
1895 作為一種寬帶隙晶體管技術(shù),GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機(jī)會,以實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法,這些方法在以前并不可能實現(xiàn),如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中,我將探討如何實現(xiàn)。
2023-04-07 09:16:45
1391 
在功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如,在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時,GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢,能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度,而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27
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氮化鎵(GaN)是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器(PA)的主要技術(shù)。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因,也是功率密度能力的原因。因此,GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:09
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主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu),極槽布置布置采用:12極18槽,最高轉(zhuǎn)速20000rpm,功率密度52.43kW/L,磁鋼型蛤采用:N50,硅鋼材料采用:Arnon 5
2023-10-08 10:48:51
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模塊的高效率、高功率密度和高可靠性的挑戰(zhàn)需要通過持續(xù)的模塊改進(jìn)來支持。阻斷電壓為 1700V 和 3300V 的全 SiC MOSFET 模塊已從研究階段成功開發(fā)到量產(chǎn),并滿足最高的牽引質(zhì)量、可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)。 封裝和芯片移位 近年來,下一代高功率
2023-10-24 16:11:30
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通過GaN電機(jī)系統(tǒng)提高機(jī)器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27
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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28
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采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計實例
2023-12-05 15:06:06
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功率半導(dǎo)體冷知識:功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45
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隨著電動汽車(EVs)的銷售量增長,整車OBC(車載充電器)的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此,我們將探討如何設(shè)計、選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以及如何通過GaN HEMT設(shè)備最大化OBCS的功率密度。
2023-12-17 11:30:00
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在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中,功率密度是一個不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07
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PD快充芯片U8608凸顯高功率密度優(yōu)勢氮化鎵芯片具備令人矚目的高功率密度特性,這意味著它可以在相對較小的尺寸上輸出更大的功率。在當(dāng)下眾多需要小型化且高功率輸出的場景中,其價值尤為凸顯。PD快充芯片
2024-12-19 16:15:01
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芯干線與世紀(jì)電源網(wǎng)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手、傾心打造的“高功率密度 GaN 數(shù)字電源技術(shù)交流會”,于近日盛大啟幕!
2024-12-24 15:24:43
1273 一、新能源汽車高功率密度電驅(qū)動系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)趨勢開發(fā)超高功率密度電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的驅(qū)動力在于:相同體積或質(zhì)量下,輸出功率更大,超車加速能力和高速持續(xù)行駛能力更強(qiáng),獲得優(yōu)異的動力性能和駕駛體驗;相同輸出功率
2025-06-14 07:07:10
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Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管(FET)集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能,可使設(shè)計人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08
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