快恢復(fù)二極管
2011-12-23 16:54:50
快恢復(fù)二極管HFD3060H（可完全替換DSEC30-06A），電壓600V，電流30A，快恢復(fù)時(shí)間短（20ns），開(kāi)關(guān)速度快，降低器件的開(kāi)關(guān)損耗和提高電力電子電路的工作頻率，在高頻電力調(diào)節(jié)系統(tǒng)
2020-09-24 16:10:01
平面鈍化芯片 極低泄漏電流 恢復(fù)時(shí)間非常短 改善熱性能 極低的IRM值 軟恢復(fù)特性 低EMI/RFI的軟反向恢復(fù) 低IRM減少： -二極管內(nèi)的功耗 -降低開(kāi)關(guān)損耗 快恢復(fù)二極管
2020-09-24 16:17:13
快恢復(fù)二極管FMD4206S，電壓600V，電流20A，快恢復(fù)時(shí)間50ns，TO-3PF封裝。開(kāi)關(guān)速度快，低損耗。低漏電流。適用于高頻整流的低損耗電源用二極管。常應(yīng)用于CCM方式PFC；白色家電
2020-09-24 16:11:08
快恢復(fù)二極管HFD8060P（可完全替換MUR8060PT/STTH100W06C），電壓600V，電流80A，超快恢復(fù)時(shí)間，低漏電流，高浪涌特性，開(kāi)關(guān)特性好，低功耗及射頻干擾?？蓱?yīng)用于低電壓
2020-09-24 16:04:45
快恢復(fù)二極管與普通整流二級(jí)管最大的區(qū)別就是快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。那么快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是如何定義的呢？下面來(lái)給大家普及一下基礎(chǔ)知識(shí)：快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）的定義：電流
2017-02-10 17:51:37
快恢復(fù)二極管與普通整流二級(jí)管最大的區(qū)別就是快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。那么快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是如何定義的呢？下面來(lái)給大家普及一下基礎(chǔ)知識(shí)：快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）的定義：電流
2021-08-13 17:15:07
快恢復(fù)二極管快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能
2023-02-17 14:08:01
MBR20150CT（20A 150V）， 這樣可把二次繞組以及整流管損耗降至一定限度三、快恢復(fù)二極管與肖特基二極管特點(diǎn)1、快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間為幾百納秒，而肖特基二極管比它快，甚至幾納秒；2、快
2023-02-16 14:56:38
MBR20150CT（20A 150V）， 這樣可把二次繞組以及整流管損耗降至一定限度三、快恢復(fù)二極管與肖特基二極管特點(diǎn)1、快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間為幾百納秒，而肖特基二極管比它快，甚至幾納秒；2
2023-02-20 15:22:29
在電子行業(yè)中使用快恢復(fù)二極管和肖特基二極管的客戶并不少，但是真正可以說(shuō)出它們之間的區(qū)別就很少，那么我們作為快恢復(fù)二極管和肖特基二極管的生產(chǎn)廠家，我們是有義務(wù)去為客戶解答的，下面就由凌訊來(lái)為各大
2015-10-19 11:26:11
二極管時(shí)應(yīng)盡量選取同一批號(hào)的二極管，以保證其自身參數(shù)的一致性,從而做到二極管的近似均壓。快恢復(fù)二極管不均壓的外部原因是外部電路的影響，如電路中二極管的布局和外引線質(zhì)量等。另外，電路中分布電容的存在也是
2021-11-23 17:50:52
、6.2V穩(wěn)壓二極管代換。3.開(kāi)關(guān)二極管的代換開(kāi)關(guān)二極管損壞后，應(yīng)用同型號(hào)的開(kāi)關(guān)二極管更換或用與其主要參數(shù)相同的其它型號(hào)的開(kāi)關(guān)二極管來(lái)代換。高速開(kāi)關(guān)二極管可以代換普通開(kāi)關(guān)二極管，反向擊穿電壓高的開(kāi)關(guān)二極管可以代換反向擊穿電壓低的開(kāi)關(guān)二極管。快恢復(fù)二極管規(guī)格書(shū)下載：
2021-07-07 14:58:27
由于電路電流信號(hào)頻率較高，二極管速度跟不上。你測(cè)得是電流有效值，應(yīng)該是直流的吧，可能信號(hào)中有高頻成分，電流峰值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)你測(cè)出的2A，這樣就導(dǎo)致二極管峰值功率特別高，管子很燙。 快恢復(fù)二極管加載過(guò)熱處理辦法，一般情況下會(huì)建議您使用超快恢復(fù)二極管。快恢復(fù)二極管規(guī)格書(shū)下載：
2022-03-31 16:57:33
，電流峰值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)你測(cè)出的2A，這樣就導(dǎo)致二極管峰值功率特別高，管子很燙。快恢復(fù)二極管加載過(guò)熱處理辦法，一般情況下會(huì)建議您使用超快恢復(fù)二極管。快恢復(fù)二極管規(guī)格書(shū)下載：
2021-06-29 13:49:58
?快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（tr）的定義：電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。在快恢復(fù)二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
本文介紹了國(guó)內(nèi)外專(zhuān)家學(xué)者為提高快恢復(fù)二極管(FRD)的反向恢復(fù)速度及軟度所做的種種不懈努力,介紹了與IGBT、功率MOSFET等現(xiàn)代電力電子器件相配套的FRD的國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀及采用的技術(shù)方案,以及晶閘管
2010-05-04 08:06:37
，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超
2018-07-16 15:12:36
快恢復(fù)二極管，它具有開(kāi)關(guān)特性好，反向恢復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積較小、安裝簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)?？勺鞲哳l、大電流的整流、續(xù)流二極管，在開(kāi)關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(PWM)、不間電源(UPS)、高頻加熱、交流電
2022-03-31 10:04:12
快恢復(fù)二極管工作原理及特點(diǎn)作用快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流
2021-11-12 06:34:53
快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">快恢復(fù)
2021-09-09 06:52:46
正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小
2015-11-27 17:55:42
在業(yè)余條件下，可以利用萬(wàn)用表能檢測(cè)快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦?，以及?nèi)部有無(wú)開(kāi)路、短路故障，并能測(cè)出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表，還能測(cè)量反向擊穿電壓。下面讓辰達(dá)電子帶你認(rèn)識(shí)一下如何檢測(cè)快恢復(fù)
2021-06-25 17:46:42
電子元件都是有正負(fù)極的，那么MDD快恢復(fù)二極管的正負(fù)極是怎樣的呢？我們?cè)诎惭b快恢復(fù)二極管的時(shí)候不免都有這種疑問(wèn)，要正確了解到MDD快恢復(fù)二極管的特征才能正確快速的安。 一般情況下，我們都是使用萬(wàn)能表
2020-09-18 17:02:52
快恢復(fù)二極管資料下載內(nèi)容主要介紹了：快恢復(fù)二極管的作用與結(jié)構(gòu)常用的快恢復(fù)二極管
2021-04-19 06:56:15
二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr一般為幾百納秒，正向壓降為0．6～0．7V，正向電流幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可可幾百至幾千伏。 超快恢復(fù)二極管則是在快恢復(fù)二極管的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，其反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步
2021-05-14 08:11:44
什么是超快恢復(fù)二極管？’既然那么多的朋友都有關(guān)注到這個(gè)問(wèn)題，那么我們今天就來(lái)為大家淺談一下超快恢復(fù)二極管。揭開(kāi)它神秘的面紗。?超快恢復(fù)二極管是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間超短的半導(dǎo)體二極管，常用
2016-04-20 14:38:22
編輯-Z超快恢復(fù)二極管如何選？我們?cè)谶x用超快恢復(fù)二極管時(shí)要注意什么呢？下面給大家介紹一下ASEMI超快恢復(fù)二極管資料。 當(dāng)我們選擇超快恢復(fù)二極管整流器時(shí)，總是會(huì)關(guān)注反向恢復(fù)時(shí)間trr（它代表從指定
2021-10-25 17:34:10
：ITO-220AC特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：8A，600V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：8A芯片個(gè)數(shù)：1正向電壓(VF)：1.5V芯片尺寸：86 MIL浪涌電流Ifsm：125A漏電流(Ir
2021-09-01 15:56:11
只有0.2V，但它不僅影響功率快恢復(fù)二極管的效率，而且影響快恢復(fù)二極管的溫升，所以如果條件允許時(shí)，盡量選擇導(dǎo)通壓降小、額定工作電流為實(shí)際電流兩倍的快恢復(fù)二極管。 2、快恢復(fù)二極管型號(hào)大全之快恢復(fù)二極管
2021-07-30 14:33:17
物體內(nèi)部與加熱電流相反的方向，便會(huì)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的很大電渦流。 說(shuō)到高頻設(shè)備，就不得不提超快恢復(fù)二極管MUR2060AC，主要原因是MUR2060AC這個(gè)配件是高頻設(shè)備部件的重要組成部分，也是電器設(shè)備的高頻化
2021-11-17 16:12:54
編輯-ZMURF1640CT參數(shù)描述型號(hào)：MURF1640CT封裝：ITO-220AB特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：16A 400V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：16A芯片個(gè)數(shù)：2正向電壓
2021-09-17 17:08:43
編輯-ZSF58參數(shù)描述型號(hào)：SF58封裝：DO-27特性：小電流、直插超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：5A600V芯片材質(zhì)：GPP正向電流(Io)：5A芯片個(gè)數(shù)：1正向電壓(VF)：1.70V浪涌電流
2021-09-25 16:33:05
編輯-Z快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，超快恢復(fù)二極管SFP6006的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步降低，使其trr可低至幾十納秒。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)上看，快恢復(fù)可分為單管和對(duì)管（也稱(chēng)雙管）兩種，雙管內(nèi)有兩個(gè)
2021-09-10 16:13:18
編輯-ZSFF1604超快恢復(fù)二極管是一種具有良好開(kāi)關(guān)特性和超短反向恢復(fù)時(shí)間的半導(dǎo)體二極管。SFF1604常用于高頻逆變器件的開(kāi)關(guān)器件做續(xù)流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器，可以充分發(fā)揮開(kāi)關(guān)器件
2021-09-02 16:13:11
、環(huán)氧樹(shù)脂：UL 94V-0 級(jí)阻燃3、鉛：純鍍錫，無(wú)鉛，可焊4、極性：色帶表示陰極5、高溫焊接保證6、重量：2.15 克 以上就是ASEMI高效率恢復(fù)二極管HER608的詳細(xì)參數(shù)和特征。強(qiáng)元芯電子是一家
2021-09-24 16:41:51
泄漏要求；獨(dú)特的鉑金擴(kuò)散壽命控制技術(shù)，確保極快的恢復(fù)時(shí)間和低正向壓降；先進(jìn)的鈍化保護(hù)技術(shù)，降低反向漏電流，提高器件可靠性；三次光刻，無(wú)需離子注入和擴(kuò)散，大大縮短了工藝周期，降低了生產(chǎn)成本。 快恢復(fù)二極管
2021-11-29 16:16:50
和小信號(hào)檢測(cè)二極管。 肖特基二極管是功率整流應(yīng)用的最佳半導(dǎo)體器件，因?yàn)檫@些器件具有高電流密度和低正向壓降，這與普通的PN結(jié)器件不同。這些優(yōu)勢(shì)有助于降低熱量水平，減少設(shè)計(jì)中包含的散熱器數(shù)量，并提高電子系
2021-10-18 16:45:00
DPG80C400HB快恢復(fù)二極管，電流80A，電壓400V，快恢復(fù)時(shí)間45ns，標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝。軟恢復(fù)特性，反向恢復(fù)時(shí)間短，改善熱性能，可靠性高?？蓱?yīng)用于整流器，開(kāi)關(guān)電源等?！ ?b class="flag-6" style="color: red">快恢復(fù)
2020-09-24 16:14:45
ES1J超快恢復(fù)二極管和ES1D超快恢復(fù)二極管的區(qū)別是什么？
2023-03-09 17:35:00
耐壓有要求。只要耐壓能滿足，肯定可以代用。并且快恢復(fù)二極管也有用于整流的，即在開(kāi)關(guān)電源的次級(jí)整流部分，由于頻率高，只能用快恢復(fù)二極管FR107進(jìn)行整流。否則會(huì)因二極管損耗過(guò)多而降低電源的整體效率，嚴(yán)重
2021-09-07 16:05:24
編輯-ZMUR1660AC在TO-220AC封裝里采用的1個(gè)芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢復(fù)二極管。MUR1660AC的浪涌電流Ifsm為175A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時(shí)耐溫
2021-11-17 16:11:23
編輯-ZMUR2060AC在TO-220AC封裝里采用的1個(gè)芯片，其尺寸都是120MIL，是一款超快恢復(fù)時(shí)間二極管。MUR2060AC的浪涌電流Ifsm為200A，漏電流(Ir)為10uA，其工作
2021-11-30 16:30:19
的關(guān)斷特性參數(shù)（反向恢復(fù)時(shí)間t、反向恢復(fù)電荷Q、反向峰值電流I）的作用引起的。最優(yōu)參數(shù)的快恢復(fù)二極管MUR860D與高頻開(kāi)關(guān)器件協(xié)同工作，最大限度地減少高頻逆變電路中開(kāi)關(guān)器件引起的過(guò)壓尖峰、高頻干擾
2021-12-07 16:12:41
編輯-ZMURF1040CT在ITO-220AB封裝里采用的2個(gè)芯片，是一款超快恢復(fù)二極管。MURF1040CT的浪涌電流Ifsm為150A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時(shí)耐溫度范圍為-55
2021-09-17 17:07:27
編輯-ZMURF1640CT在ITO-220AB封裝里采用的2個(gè)芯片，其尺寸都是90MIL，是一款超快恢復(fù)二極管。MURF1640CT的浪涌電流Ifsm為175A，漏電流(Ir)為10uA，其工作
2021-09-03 16:18:50
RS1j快恢復(fù)二極管，有哪些可以替代的元件？ 應(yīng)急使用。
2017-10-25 06:28:43
。 SF58參數(shù)描述型號(hào)：SF58封裝：DO-27特性：小電流、直插超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：5A600V芯片材質(zhì)：GPP正向電流(Io)：5A芯片個(gè)數(shù)：1正向電壓(VF)：1.70V浪涌電流Ifsm
2021-12-08 16:12:59
。SF58具有低成本、快速切換以實(shí)現(xiàn)高效率、低反向泄漏、高正向浪涌電流能力、高溫焊接等特點(diǎn)。 以上就是關(guān)于SF58-ASEMI超快恢復(fù)二極管SF58的詳細(xì)介紹。ASEMI品牌在整流橋和二極管領(lǐng)域已有12年的專(zhuān)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，供應(yīng)全系列高品質(zhì)，高性能的整流橋和二極管產(chǎn)品。
2021-09-10 16:14:19
編輯-ZSFF1604在ITO-220AB封裝里采用的2個(gè)芯片，是一款超快恢復(fù)二極管。SFF1604的浪涌電流Ifsm為175A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時(shí)耐溫度范圍為-55~150攝氏度
2021-09-16 17:20:59
編輯-ZSFF2004在ITO-220AB封裝里采用的2個(gè)芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢復(fù)二極管。SFF2004的浪涌電流Ifsm為200A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時(shí)耐溫度范圍
2021-09-02 16:15:09
編輯-ZSFF2006在ITO-220AB封裝里采用的2個(gè)芯片，其尺寸都是110MIL，是一款超快恢復(fù)二極管。SFF2006的浪涌電流Ifsm為200A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時(shí)耐溫度范圍
2021-11-15 16:26:42
編輯-ZSFF3006在ITO-220AB封裝里采用的2個(gè)芯片，其尺寸都是120MIL，是一款高壓大電流超快恢復(fù)二極管。SFF3006的浪涌電流Ifsm為300A，漏電流(Ir)為10uA，其工作
2021-11-16 16:24:01
編輯-ZSFF806A在ITO-220AC封裝里采用的1個(gè)芯片，是一款超快恢復(fù)二極管。SFF806A的浪涌電流Ifsm為125A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時(shí)耐溫度范圍為-55~150攝氏度
2021-09-15 16:42:02
編輯-ZSFP6006在TO-247封裝里采用的2個(gè)芯片，是一款超快恢復(fù)二極管。SFP6006的浪涌電流Ifsm為600A，漏電流(Ir)為10uA，其工作時(shí)耐溫度范圍為-55~150攝氏度
2021-09-25 16:31:27
STTH80S06/RURG8060快恢復(fù)二極管，電流80A，電壓600V，TO-247封裝。超快開(kāi)關(guān)，低反向電流，低熱阻，低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品適用于開(kāi)關(guān)電源和太陽(yáng)能逆變器。由于它的低正向壓降
2020-09-24 15:59:11
STTH8R06FP-ASEMI快恢復(fù)二極管可以用來(lái)做整流二極管嗎？-Z
2021-05-28 14:47:32
US1M-ASEMI高效恢復(fù)二極管的作用是什么-Z
2021-06-22 14:12:47
上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下?！ ⌒ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱(chēng)肖特基二極管(Schottky
2019-03-11 11:24:39
在開(kāi)關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中，一般選用反向恢復(fù)時(shí)悶較短的整流二極管，常用的主要有快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基勢(shì)壘二極管。 快恢復(fù)二極管和超快恢復(fù)二極管廣泛用于PWM脈寬調(diào)制器、開(kāi)關(guān)電源
2020-10-29 08:50:49
三相超快恢復(fù)二極管整流橋開(kāi)關(guān)模塊的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)是什么？三相超快恢復(fù)二極管整流橋開(kāi)關(guān)模塊的主要技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用有哪些？
2021-06-08 08:09:38
在實(shí)際的應(yīng)用電路中，二極管和晶體管因其特性和性能不同而需要區(qū)分使用。在電源類(lèi)應(yīng)用中區(qū)分使用的主要目的是提高效率。本文將介紹PFC（功率因數(shù)改善）的一個(gè)例子，即利用二極管的特性差異來(lái)改善臨界模式
2018-11-27 16:46:59
級(jí)別。前者的反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，而MURF1040CT在100ns以下，大大提高了電源的效率。 超快恢復(fù)二極管MURF1040CT是在快恢復(fù)二極管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。其反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減少
2021-09-03 16:17:05
`快恢復(fù)二極管從名稱(chēng)上很好理解，肖特基二極管是以人名命名，由于制造I藝完全不同，是肖特基博士的一個(gè)創(chuàng)新。肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky) 命名的，SBD是肖特基二極管
2018-11-01 15:26:11
（FRD），更高的超快恢復(fù)二極管（SRD），開(kāi)關(guān)二極管，最快的是肖特基管（其原理不同于以上幾個(gè)二極管） 快恢復(fù)二極管是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM
2021-06-30 13:51:20
較小，以提高效率和降低功耗。平均二極管電流等于平均輸出電流。所選二極管封裝必須能夠處理功耗。 同步控制器控制整流開(kāi)關(guān)的另一個(gè)MOSFET。如果使用N通道MOSFET，則必須產(chǎn)生高于輸出電壓的電壓，以
2013-08-12 15:05:53
SiC-SBD，藍(lán)色是第二代，可確認(rèn)VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開(kāi)關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說(shuō)是損耗最小的二極管。促進(jìn)電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
耗散，因此降低了熱和電傳導(dǎo)損耗。它的高結(jié)溫能力提高了高環(huán)境溫度下或無(wú)法獲得充分冷卻的應(yīng)用中的可靠性。肖特基二極管的應(yīng)用:MBR系列肖特基勢(shì)壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開(kāi)關(guān)式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
濾波電感。有了電容濾波器，LLC轉(zhuǎn)換器還可以使用額定電壓較低的整流器，從而降低系統(tǒng)成本。此外，次級(jí)側(cè)整流器可實(shí)現(xiàn)零電流轉(zhuǎn)換，大大減少了反向恢復(fù)損耗。利用LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的各項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，可進(jìn)一步提高效率，降低
2022-11-10 06:45:30
?快恢復(fù)二極管電路容易擊穿是常見(jiàn)的問(wèn)題，當(dāng)快恢復(fù)二極管電路出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象的時(shí)候應(yīng)該怎么去做呢？ 快恢復(fù)二極管電路中，擊穿是因?yàn)槟蛪褐挡粔蚋咚?，燒毀是因?yàn)轭~定電流小所致。建議替換成耐壓值較高，額定電流
2021-01-27 14:11:38
` 一、超快恢復(fù)肖特基二極管的檢測(cè) 用萬(wàn)用表檢測(cè)快恢復(fù)、超快恢復(fù)肖特基二極管的方法基本與檢測(cè)塑封硅整流二極管的方法相同。即先用RX1K擋檢測(cè)一下其單向?qū)щ娦裕话阏螂娮铻?.5KΩ左右，反向
2018-12-05 11:54:21
快恢復(fù)二極管分別有TO-220AB（鐵封）、ITO-220AB（塑封）、TO-247、TO-252、TO-263等封裝，有時(shí)候參數(shù)大小會(huì)影響快恢復(fù)二極管能做什么樣的封裝。比如：?1、MUR1640
2016-12-14 11:45:54
過(guò)熱燒毀。四、快恢復(fù)二極管規(guī)格型號(hào)不符。更換新二極管時(shí)錯(cuò)將工作參數(shù)不符合要求的管子換上或者接線錯(cuò)誤，造成二極管管擊穿損壞。五、電路板短路，用蒸汽清潔的電路板后，沒(méi)有晾干，由水造成電路短路故障而造成的。請(qǐng)?jiān)谟谜羝鍧嵑螅儆脡嚎s空氣吹一遍再檢測(cè)應(yīng)該可以避免這種損壞。?快恢復(fù)二極管規(guī)格書(shū)下載：
2021-05-13 17:27:00
編輯-ZSFF2004參數(shù)描述型號(hào)：SFF2004封裝：ITO-220AB特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：20A，400V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：20A芯片個(gè)數(shù)：2正向電壓(VF
2021-09-16 17:22:26
參數(shù)描述型號(hào)：D92-02封裝：TO-247/3P特性：超快恢復(fù)二極管電性參數(shù)：20A，200V芯片材質(zhì)：抗沖擊硅芯片正向電流(Io)：20A芯片個(gè)數(shù)：2正向電壓(VF)：0.85V芯片尺寸：110
2021-09-09 16:34:24
驅(qū)動(dòng)振鈴吸收電路的二極管將1號(hào)驅(qū)動(dòng)振鈴吸收電路的快恢復(fù)二極管RS1M換成普通整流二極管1N4007（參數(shù)同M7），振鈴峰值約140v，比原電路下降近2v，振鈴前后的電壓差約5v，比原來(lái)減少一半，也就
2016-02-28 16:40:50
無(wú)線充電怎么提高效率呢，急需
2015-10-19 10:43:15
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為
2019-06-12 02:34:10
二極管，人們常將與IGBT、功率M0SFET等器件相匹配的FRD稱(chēng)之為超快恢復(fù)二極管，由于IGBT、功率MOSFET器件的開(kāi)關(guān)速度很快，因此要求FRD不僅反向恢復(fù)要很快，而且要求“軟”特性，以避免產(chǎn)生高
2019-04-16 09:37:22
一下在PFC輸出端的基本構(gòu)成–二極管和MOSFET的組合部分中，二極管的特性是怎樣影響效率的。二極管使用FRD（快速恢復(fù)二極管），給出了3種特性不同的二極管的效率測(cè)量結(jié)果。右圖表示各FRD的電路效率
2018-11-27 16:45:20
高壓硅二極管具有低正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會(huì)在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動(dòng)態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復(fù)行為可以忽略不計(jì)，但確實(shí)表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下?！ ⌒ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱(chēng)肖特基二極管
2019-01-08 13:56:57
），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（0.5-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。 前者
2016-04-19 14:29:35
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒！ 優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，大電流，超高速！電特性當(dāng)然都是二極管！ 復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝
2015-11-27 18:02:58
請(qǐng)問(wèn)肖特基二極管和快恢復(fù)二極管在運(yùn)用上有什么區(qū)別？謝謝！
2010-04-21 16:03:33
編輯人：LLASEMI-SBT2060VFCT快恢復(fù)二極管走關(guān)稅是多少？
2018-11-19 17:01:54
我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在大家在選型這個(gè)二極管的時(shí)候，一般都是采用那種快恢復(fù)的二極管，有些場(chǎng)合明明不需要高速的快恢復(fù)二極管，但是大家也一樣的采用了，看來(lái)是不是快恢復(fù)二極管已經(jīng)可以通吃整個(gè)二極管應(yīng)用了？
2019-05-16 00:12:23
電源所用的快恢復(fù)整流二極管都是肖特基二極管結(jié)構(gòu)。這種快恢復(fù)整流二極管充分利用肖特基二極管多數(shù)載流子導(dǎo)電，因而正、反向恢復(fù)時(shí)間都短的優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)高頻高效整流?！ 」β?b class="flag-6" style="color: red">二極管的正向恢復(fù)時(shí)間理解為：一個(gè)尚未導(dǎo)
2011-07-14 08:32:21
電路板設(shè)計(jì)是一項(xiàng)關(guān)鍵而又耗時(shí)的任務(wù)，出現(xiàn)任何問(wèn)題都需要工程師逐個(gè)網(wǎng)絡(luò)逐個(gè)元件地檢查整個(gè)設(shè)計(jì)?？梢哉f(shuō)電路板設(shè)計(jì)要求的細(xì)心程度不亞于芯片設(shè)計(jì)。下面我們一起來(lái)探討在PCB設(shè)計(jì)時(shí)如何減少錯(cuò)誤并提高效率？
2016-11-04 19:22:08
859 
使用 DSN2 肖特基二極管提高效率
2022-11-15 20:25:24
0 帶有快速體二極管的MOSFET器件通過(guò)LLC拓?fù)浜虵REDFET來(lái)提高效率
2023-12-08 17:35:56359 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論