二極管的結電容分兩種：勢壘電容和擴散電容。而一般數(shù)據(jù)手冊給到的結電容參數(shù)，通常指的是勢壘電容。

上面這個是ES1J超快恢復二極管數(shù)據(jù)手冊的結電容參數(shù)Cj=8pF。同時我們知道，對于常用的二極管來說，它有普通整流二極管、快恢復二極管、超快恢復二極管、肖特基二極管等。那么什么是二極管的反向恢復時間呢？它和結電容之間有什么關系呢？下面列舉常用二極管的反向恢復時間：

普通二極管：反向恢復時間一般 >500ns以上；

快恢復二極管：反向恢復時間一般在150ns-500ns之間；

超快恢復二極管：反向恢復時間一般在15ns-35ns之間；

肖特基二極管：反向恢復時間一般<10ns，也有個別在20ns這個量級。

我們一般都認為，二極管的反向恢復時間和它的結電容有關。結電容越大，反向恢復時間越長；結電容越小，反向恢復時間越短。也有人常說的快管和慢管。我們把這幾種具有代表性的二極管結電容參數(shù)放在一起進行對比看看是否如上所述：

根據(jù)上面列的數(shù)據(jù)可以看出來，反向恢復時間并不和數(shù)據(jù)手冊表示的結電容參數(shù)有關。那么，我們研究一下，這里的結電容和反向恢復時間到底指的是什么呢？正如一開始所講的，二極管的結電容分為2種：勢壘電容和擴散電容。下面就從這個角度出發(fā)，深入挖掘一下，從本質(zhì)上理解它們的含義。

勢壘電容

我們知道，P區(qū)空穴多，N區(qū)電子多，因為擴散，會在中間形成內(nèi)建電場區(qū)。N區(qū)那邊失去電子帶正電荷，P區(qū)那邊得到電子帶負電荷。

當給PN結加上反向電壓，內(nèi)電場區(qū)的厚度隨著反向電壓的大小而改變。如果反向電壓增大，那么內(nèi)電場區(qū)厚度也增加，即內(nèi)部電荷增多。反之，如果反向電壓減小，那么內(nèi)部電荷減少。

如果把PN結等效為右邊的勢壘電容這幅圖的話，就相當于電容的充放電。PN結兩端電壓變化，引起積累在中間區(qū)域的電荷數(shù)量的改變，從而呈現(xiàn)電容效應，這個電容就是勢壘電容。勢壘電容的大小和外加反向電壓有關，所以，不同反向電壓下，勢壘電容的大小也是不同的。

我們還是以ES1J數(shù)據(jù)手冊里面的結電容Cj為例，廠家給了測試條件：VR=4V，f=1MHz。這里VR指的是反向電壓，R指的是Reverse反向的意思。所以，二極管數(shù)據(jù)手冊里面的結電容指的是勢壘電容。那么，也就是勢壘電容的大小和反向恢復時間沒有直接聯(lián)系。

這里再插入講一下，對于勢壘電容和擴散電容，確實不是很容易從直覺上理解，我們可以根據(jù)下面所講的，從直觀上這么來理解：

如果加反向電壓的話，源的正極相當于把N區(qū)的電子吸過來；源的負極相當于把P區(qū)的空穴吸過去。它們各自的運動是背離的。這樣，中間就構成了一個空間電荷區(qū)。為什么說是電荷區(qū)呢？因為當N區(qū)的電子被吸走后，它就帶正電荷；P區(qū)的空穴被吸走后，它就帶負電荷。所以，左邊的正電荷和右邊的負電荷構成了內(nèi)電場。如果外加的反向電壓越高，各自被吸走的電子和空穴也就越多，那么正負電荷也就越多，內(nèi)電場也就越強。體現(xiàn)在中間的PN結，就是反向電壓越高，厚度更寬。建立了一道厚厚的城墻壁壘，構成了勢壘電容。下面來看一下什么是二極管的擴散電容。

擴散電容

什么是擴散電容：當有外加正向偏壓時，在 p-n 結兩側的少子擴散區(qū)內(nèi)，都有一定的少數(shù)載流子的積累，而且它們的密度隨電壓而變化，形成一個附加的電容效應，稱為擴散電容。

我們根據(jù)它的定義，用一幅圖來描述一下。

如果加正向電壓的話，源的正極吸引對面N區(qū)的電子，同時排斥P區(qū)的空穴；源的負極吸引對面P區(qū)的空穴，同時排斥N區(qū)的電子。也就是異性相吸，同性相斥的原理。這樣的話，正負極相互促進，一拉一推，電子和空穴就會相互移動并結合，產(chǎn)生了擴散運動。但是需要注意的是，在電子和空穴相互移動的時候，并不全部在PN結這個地方結合。而是越靠近PN結，結合的越多，還有一些漏網(wǎng)之魚擴散到更遠的地方結合，這就是擴散運動了。

擴散的空穴和電子在內(nèi)部電場區(qū)相遇，會有部分空穴和電子復合而消失，也有部分沒有消失。沒有復合的空穴和電子穿過內(nèi)部電場區(qū)，空穴進入N區(qū)，電子進入P區(qū)。

進入N區(qū)的空穴，并不是立馬和N區(qū)的多子-電子復合消失，而是在一定的距離內(nèi)，一部分繼續(xù)擴散，一部分與N區(qū)的電子復合消失。

顯然，N區(qū)中靠近內(nèi)部電場區(qū)處的空穴濃度是最高的，距離N區(qū)越遠，濃度越低，因為空穴不斷復合消失。同理，P區(qū)也是一樣，濃度隨著遠離內(nèi)部電場區(qū)而逐漸降低?？傮w濃度分布如下圖所示。

當外部電壓穩(wěn)定不變的時候，最終P區(qū)中的電子，N區(qū)中的空穴濃度也是穩(wěn)定的。也就是說，P區(qū)中存儲了數(shù)量一定的電子，N區(qū)中存儲了數(shù)量一定的空穴。如果外部電壓不變，存儲的電子和空穴數(shù)量就不會發(fā)生變化，也就是說穩(wěn)定存儲了一定的電荷。這里的二極管外部電壓指的是二極管正向電壓VF穩(wěn)定不變，其實它和正向電流IF成正比關系，也就是說，當正向電流IF穩(wěn)定不變，電子和空穴的濃度也是穩(wěn)定的。通過下面這幅圖也能看出VF和 IF的關系。

但是，如果電壓發(fā)生變化，比如正向電壓降低，也就是電流減小，單位時間內(nèi)涌入N區(qū)中的空穴也會減小，這樣N區(qū)中空穴濃度必然會降低。同理，P區(qū)中電子濃度也降低。所以，穩(wěn)定后，存儲的電子和空穴的數(shù)量想比之前會更少，也就是說存儲的電荷就變少了。

這就是電容。電壓變化，存儲的電荷量也發(fā)生了變化，跟電容的表現(xiàn)一模一樣，這電容就是擴散電容了。

那這個電容大小是多少呢？

擴散電容：

A：PN結的面積	：電子擴散長度
e：電子電荷量	：空穴擴散長度
：P區(qū)熱平衡電子濃度	：玻爾茲曼常數(shù)
：N區(qū)熱平衡空穴濃度	T：溫度
	V：正向壓降

擴散電容隨正向偏壓V按指數(shù)規(guī)律增加。這也是擴散電容在大的正向偏壓下起主要作用的原因。

PN結電流方程：

：反向飽和電流	T：溫度
e：電子電荷量	V：正向壓降
：玻爾茲曼常數(shù)

如上所示，二極管的電流也與正向偏壓按指數(shù)規(guī)律增加，所以，擴散電容的大小與電流的大小差不多是正比的關系。

可能有的人有這樣的疑問：既然是少子構成的擴散電容，那么多子呢？

我們繼續(xù)觀察上面這幅圖。少子，指的是左邊N區(qū)的空穴，右邊P區(qū)中的電子。但是也要知道N區(qū)還有更多的電子，P區(qū)還有更多的空穴。難道擴散電容和它們沒關系嗎？為什么是少子構成了擴散電容呢？我們看下面這幅圖。

假如沒有擴散作用，N區(qū)中電子是多子，且電子帶負電，但是整個N區(qū)是電中性的，因為N區(qū)是硅原子和正五價原子構成，它們都是中性的。同理P區(qū)中空穴是多子，整體也是電中性的。

按照直覺上來認為的話，如果加上正向電壓，就有了正向電流。N區(qū)的電子向P區(qū)移動，P區(qū)的空穴向N區(qū)移動，如果電子和空穴都在交界處復合消失，那么N區(qū)和P區(qū)是電中性的。

但直覺畢竟是直覺，事實是，電子和空穴有的會擦肩而過，電子會在沖進P區(qū)，空穴也會沖進N區(qū)。盡管P區(qū)有很多空穴，電子進入后也不會馬上和空穴復合消失，而是會存在一段時間。這時如果我們看P區(qū)整體，它不再是電中性了，它有了凈電荷。電荷數(shù)量就是還沒有復合的電子數(shù)量，也就是少數(shù)載流子的數(shù)量。同理，N區(qū)也有凈電荷，為少數(shù)載流子空穴的數(shù)量。

所以說，擴散電容是少數(shù)載流子的積累效應。

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