全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。

　　此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關損耗可降低約35％，非常有助于進一步降低各種設備的功耗。

　　另外，羅姆也已開始供應SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”，該評估板中配置有非常適用于SiC元器件的驅(qū)動的ROHM柵極驅(qū)動器IC（BM6101FV-C）、各種電源IC及分立產(chǎn)品，可為客戶提供輕松進行元器件評估的解決方案。

　　本系列產(chǎn)品已于2019年8月起以月產(chǎn)50萬個的規(guī)模逐步投入量產(chǎn)（樣品價格2，100日元起，不含稅）。生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co.， Ltd.（日本福岡）。此外，本系列產(chǎn)品和評估板已于2019年9月起開始網(wǎng)售，可從AMEYA360、icHub購買。

　　近年來，隨著AI和IoT的發(fā)展與普及，對云服務的需求日益增加，與此同時，在全球范圍對數(shù)據(jù)中心的需求也隨之增長。數(shù)據(jù)中心所使用的服務器正在向大容量、高性能方向發(fā)展，而如何降低功耗量就成為一個亟需解決的課題。另一方面，以往服務器的功率轉(zhuǎn)換電路中，主要采用的是硅（Si）元器件，如今，損耗更低的SiC元器件被寄予厚望。特別是采用了TO-247-4L封裝的SiC MOSFET，與以往封裝相比，可降低開關損耗，因此有望應用于服務器、基站、太陽能發(fā)電等高輸出應用中。

　　2015年，ROHM于全球第一家成功實現(xiàn)溝槽柵結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn)，并一直致力于領先于行業(yè)的產(chǎn)品開發(fā)。此次新開發(fā)出650V／1200V耐壓的低損耗SiC MOSFET，未來也會繼續(xù)推進創(chuàng)新型元器件的開發(fā)，同時提供包括非常適用于SiC驅(qū)動的柵極驅(qū)動器IC等在內(nèi)的解決方案，為進一步降低各種設備的功耗貢獻力量。

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　　采用4引腳封裝（TO-247-4L），開關損耗降低約35％

　　在傳統(tǒng)的3引腳封裝（TO-247N）中，源極引腳的電感分量※2）會引起柵極電壓下降，并導致開關速度延遲。

　　此次，SCT3xxx xR系列所采用的4引腳封裝（TO-247-4L），可以分離電源源極引腳和驅(qū)動器源極引腳，因此，可減少電感分量的影響。這樣，能夠充分地發(fā)揮出SiC MOSFET的高速開關性能，尤其是可以顯著改善導通損耗。與以往產(chǎn)品相比，導通損耗和關斷損耗合起來預計可降低約35％的損耗。

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　　SCT3xxx xR系列是采用溝槽柵結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET。此次新推出了共6款機型，其中包括650V的3款機型和1200V的3款機型。

　　＜應用＞

　　服務器、基站、太陽能逆變器、蓄電系統(tǒng)、電動汽車的充電站等。

　　＜評估板信息＞

　　SiC MOSFET評估板“P02SCT3040KR-EVK-001”中配備了非常適用于SiC元器件驅(qū)動的ROHM柵極驅(qū)動器IC（BM6101FV-C）、各種電源IC及分立產(chǎn)品，可輕松進行元器件的評估。為了提供在同一條件下的評估環(huán)境，該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產(chǎn)品，還可安裝并評估TO-247N封裝的產(chǎn)品。另外，使用該評估板，可進行雙脈沖測試、Boost電路、兩電平逆變器、同步整流型Buck電路等評估。

　　開始銷售時間? ? 2019年9月

　　評估板型號? ? ? ?P02SCT3040KR-EVK-001

　　網(wǎng)售平臺? ? ? ? ? AMEYA360、icHub

　　支持頁面? ? ? ? ??https://www.rohm.com.cn/power-device-support

　　評估板的構(gòu)成

　　＜術語解說＞

　　※1　溝槽柵結(jié)構(gòu)

　　溝槽（Trench）意為凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其側(cè)壁形成MOSFET柵極的結(jié)構(gòu)。不存在平面型MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在的JFET電阻，比平面結(jié)構(gòu)更容易實現(xiàn)微細化，有望實現(xiàn)接近SiC材料原本性能的導通電阻。

　　※2　電感分量

　　表示電流變化時由電磁感應產(chǎn)生的電動勢大小的量。